模拟电子标准作业2016(修改)

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《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部班级姓名学号第1章二极管及其基本电路基本知识点:1、半导体的基本概念;2、PN结的形成及导电特性;3、二极管的分类及特性;4、二极管电路的分析方法重点:二极管的重要特性和典型电路的分析方法难点:二极管电路的分析一、基础题1、判断下列说法的正、误,在相应的括号内画√表示正确,画×表示错误。(1)本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。()(2)掺杂半导体因含有杂质,所以在制造半导体器件时是没有用处的。()(3)稳压管是一种特殊的二极管,它通常工作在反向击穿状态(),它不允许工作在正向导通状态()。2、二极管的最主要特性是。3、分析下示电路中硅二极管是导通还是截止的?输出电压VAO=?(a)(b)4、描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是、、、和。5、设某二极管在正向电流ID=10mA时,其正向压降UD=0.6V。在ID保持不变的条件下,当二极管的结温降低20℃,UD约为____。A.0.55VB.0.6VC.0.65VD.0.75V6、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。7、半导体中中存在两种载流子:和。纯净的半导体称为,它的导电能力《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是;型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。8、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的,而少数载流子的浓度则与有很大关系。9、当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层。当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层。10、在常温下,硅二极管的门限电压约V,导通后在较大电流下的正向压降约V;锗二极管的门限电压约V,导通后在较大电流下的正向压降约V。11、在常温下,发光二极管的正向导通电压约V,高于硅二极管的门限电压;考虑发光二极管的发光亮度和寿命,其工作电流一般控制在mA。12、二极管最主要的特性是____________,它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。13、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。二.判断题1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。(×)2、在N型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P型半导体。(√)3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。(×)4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。(×)5、PN结在无光照无外加电压时,结电流为零。(√)6、温度升高时,PN结的反向饱和电流将减小。(×)7、PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。(×)三、选择题《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部1、二极管加正向电压时,其正向电流是由(a)。a.多数载流子扩散形成b.多数载流子漂移形成c.少数载流子漂移形成d.少数载流子扩散形成2、PN结反向偏置电压的数值增大,但小于击穿电压,(c)。a.其反向电流增大b.其反向电流减小c.其反向电流基本不变d.其正向电流增大3、稳压二极管是利用PN结的(d)。a.单向导电性b.反偏截止特性c.电容特性d.反向击穿特性4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为(c)。a.10μAb.15μAc.20μAd.40μA5、变容二极管在电路中使用时,其PN结是(b)。a.正向运用b.反向运用四、分析题1、图中D1-D3为理想二极管,A,B,C灯都相同,试问哪个灯最亮?2、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V,求图中电路的输出电压Uo。已知稳压管的正向压降为0.7V。《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部3、图所示电路,设Ui=sinωt(V),V=2V,二极管具有理想特性,则输出电压Uo的波形应为图示_______图。《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部班级姓名学号第2章BJT及其放大电路基本知识点:1、BJT的结构及工作原理;2、三极管的分类、特性及主要参数;3、三极管基本放大电路的动态、静态电路的分析方法4、三种基本电路的特点及用途重点:BJT电路的特点及交、直流分析方法难点:画H参数等效电路一、基础题1、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。2、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是电容,影响高频信号放大的是电容。3、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则IBQ,ICQ,UCEQ。4、三极管的三个工作区域是,,。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路。5、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压Va=1.2V,Vb=0.5V,Vc=3.6V,试问该三极管是管(材料),型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的。6、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为dB,总的电压放大倍数为。7、三极管实现放大作用的外部条件是:。某放大电路中的三极管,测得管脚电压Va=-1V,Vb=-3.2V,Vc=-3.9V,这是管(硅、锗),型,集电极管脚是。8、三种不同耦合方式的放大电路分别为:、和__,其中能够放大缓慢变化的信号。9、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的,而前级的输出电阻可视为后级的。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带。10、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为。11、为了保证三极管工作在放大区,要求:①发射结偏置,集电结偏置。②对于NPN型三极管,应使VBC。《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部12、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和耦合三大类。13、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,组态有电压放大作用,组态有电流放大作用,组态有倒相作用;组态带负载能力强,组态向信号源索取的电流小,组态的频率响应好。14、三极管放大电路的三种基本组态是、、。15、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有,,。16、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察VO和VI的波形,则VO和VI的相位差为;当为共集电极电路时,则VO和VI的相位差为。17、放大器有两种不同性质的失真,分别是失真和失真。18、晶体管工作在饱和区时,发射结,集电结;工作在放大区时,集电结,发射结。(填写a正偏,b反偏,c零偏)19、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用组态。20、影响放大电路通频带下限频率fL的是电容和电容。21、三极管工作在放大区时,它的发射结保持偏置,集电结保持偏置。22、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带。23、在三极管多级放大电路中,已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻,则总的电压增益Av=();Av1是()放大器,Av2是()放大器,Av3是()放大器。二、选择题1、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源VCC应当()A、短路B、开路C、保留不变D、电流源2、带射极电阻Re的共射放大电路,在并联交流旁路电容Ce后,其电压放大倍数将()A、减小B、增大C、不变D、变为零3、有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小4、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入()A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路5、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示,当VCE=6V,其电流放大系数β为()《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部A、=100B、=50C、=150D、=256、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为()A、PNP型锗三极管B、NPN型锗三极管C、PNP型硅三极管D、NPN型硅三极管7、多级放大电路的级数越多,则其()A、放大倍数越大,而通频带越窄B、放大倍数越大,而通频带越宽C、放大倍数越小,而通频带越宽D、放大倍数越小,而通频带越窄8、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为()A、20倍B、-20倍C、-10倍D、0.1倍9、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时,要求()A、独立信号源短路,负载开路B、独立信号源短路,负载短路C、独立信号源开路,负载开路D、独立信号源开路,负载短路10、在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的是[],输入电阻最小的是[],输出电阻最小的是[]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定11、在电路中,可以利用____实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。A.共射电路B.共基电路C.共集电路D.共射-共基电路12、在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是____。图2图1《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真13、若图中的电路出现故障,且经测量得知UE=0、UC=VCC(UE和UC分别为三极管发射极和集电极对地电压)。故障的原因是下列四种之一,请判断是。A.Rc开路B.Rc短路C.Re短路D.Rb1开路C1C2bR1bR2cReReCCCVLRV12k450k2k2k20k10iUoU14、图示电路中,用直流电压表测出UCE≈VCC,判断下面列出的故障理由哪些是可能的(画“√”)?哪些是不可能的(画“×”)?1.开路();2.短路();3.短路();4.短路();5.开路();6.e-b结开路()。15、已知VT1、VT2的共射电流放大系数1=2=50,求下图中所示的复合管的管型、等效电流放大系数及交流输入电阻。16、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适+VCCC2C1Rb1Rb2RLReCeRcuiuoVT1VT2ecbVT2VT3sdg(a)(b)《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部三、如图所示电路中,β=100,100bbr,试计算:(15分)1.放大电路的静态工作点;(6分)2.画出放大电路的微变等效电路;(3分)3.求电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro;(6分)《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部班级姓名学号第3章FET放大电路基本知识点:1、FET的结构、工作原理、分类、特点及主要参数;2、FET基本放大电路特点及动态、静态电路的分析方法重点:FET电路的组成特点及交、直流分析方法难点:FET电路的分析计算一、基础题1、根据器件的工作原理,BJT属于控制型器件,而FET属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