搜索
模拟电路之《三极管》主讲人：许猛华电信1302教学对象2教学内容1教法学法3教学过程4教学反思5说课环节一、教学内容主导教材高等教育出版社出版，康华光主编《电子技术基础-模拟部分》辅助教材《电子线路》线性部分(第四版)谢嘉奎高教出版社《模拟电子技术基础》华成英高教出版社教学章节第三章三极管及其放大电路第三章三极管及其放大电路BJT放大模式下BJT的工作原理基本共射极放大电路的分析方法放大电路静态工作点的稳定问题共集放大电路和共基放大电路组合放大电路*放大电路的频率响应二、教学对象电气信息类专业大学二年级学生教法教什么直观教学法模像直观（三极管实物）学与教三、教法学法学法学什么实践与理论相结合四、教学过程课后学生学习的反馈学生的课堂反应备课：备重点—三种工作模式难点—静态工作点、组合放大电路完成课后作业通过练习例题理解重难点备课上课课后教学方法课堂氛围五、教学反思做好新旧知识的衔接，回顾二极管相关知识。应该更加注重学与教相结合，采用创新的教学方法，提高学生的学习兴趣。要充分做好课堂同学们对所学知识反馈，及时做好课堂进度的调整。注重学生为主体，教师主导的学习氛围，让学生在做中学，强调学生的主体地位。应该及时了解学生对三极管学习的情况，从作业反映学习情况。第三章双极结型三极管及放大电路基础3.1BJT半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor,简称BJT）。BJT是由两个PN结背对背排列组成的。实物图像半导体三极管的型号用字母表示材料用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格3DG110B第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管双极结型三极管NPN型符号:---bce--NNP发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极PNP型---ebc--PPN发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极排列方式不同3.2放大模式下BJT的工作原理BJT工作在放大模式下，须满足内部条件和外部条件。NNPBBVCCVRbRCebc共发射极接法c区b区e区(1)外部条件：发射结正偏：集电结反偏：由VBB保证由VCC、VBB保证UCB=UCE-UBE放大模式发射结正偏，集电结反偏。饱和模式发射结和集电结均加正偏。截止模式发射结和集电结均加反偏。比较：三极管与二极管一样属于非线性器件，但其特性与工作模式有关。重点讨论BJT的放大模式，以NPN型为例，讨论结果对PNP型同样适用，只是所需电压极性相反，产生的电流方向相反。（2）内部条件：①发射结为不对称结：e区掺杂浓度远大于b区；②基区宽度很小；③集电结面积大于发射结面积（约3~5倍）。目的：使E区多子自由电子通过发射结注入、基区扩散（复合）和集电区收集（通过C结漂移）三个环节将IEN转化为ICN，大小仅受E结电压控制。一、BJT内部的载流子传输过程1.因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子，形成了扩散电流IEN。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。所以发射极电流IE≈IEN。2.发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流IB≈IBN。大部分到达了集电区的边缘。NNPBBVCCVRbRCebcIENEPIIEBILOREMIPSUMDOLOR3.因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN。另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。NNPBBVCCVRbRCebcIENEPIIEBICNICI（3共集电极ENIM（2）共射极三种连接方式四、BJT的主要参数(1)电流放大系数(2)极间反向电流(3)极限参数成功需要有一颗探索科学的心THANKYOU