晶体抛光操作规程

晶体抛光操作规程一.上胶1.首先把抛光晶体的各条边进行保护性倒角(0.25±0.01)用万能角度尺测布角度数并磨修误差在5分内。角度垂直度用角度刀尺颁到看不到隙缝就好。（布角60.4度）再把抛光晶体的第一面和夹具及上盘胶一起放在红外灯下烤,加热30至40分钟.2.待胶完全融化后把晶体一起粘在夹具里,基准面与标准底面完全重合,看不到隙缝.3.关上红外灯,等到晶体和胶完全冷却.二.细磨1.把冷却后胶合晶体的第一面在铸铁磨盘上进行粗砂细磨用W280.2.经过W280一道砂后进检验无砂眼后再磨后一道砂W20.以此类推直到W10..3.经过了W280,W20,W10三道砂细磨后检验合格转入下一操作三.抛光1.把细磨好胶合晶体的第一面放在钢盘上抛光2.首先是用钻石研磨膏W3进行粗抛,在显微镜下看不到明显划痕,其次是用W1细抛同样原理看不到细划痕.平面度在1/4λ精度（每用完一种规格的研磨膏都要清洗）3.清洗胶合晶体后进行化学抛光大约抛5分钟，在显微镜下看不到细亮道子就好。四.下盘清洗1.把粘着的晶体放在红外灯下烤,加热30至40分钟.2.待胶完全软化后把晶体慢慢从夹具里拿出来.3.经过一个小时至两个小时的冷却后,把晶体泡入酒精中,过6到7小时后,待晶体上的胶融化后从酒精中取出来并清洗干净.以上是第一面的操作规程，第二面是以第一面的反射面作为基准，在平行光管下边看边上盘在视场里的刻度与反射面的刻度重合就好。过半个小时后冷却再细磨。边细磨边修平行度经过三道砂后进行抛光，规程和第一面一样。清洗下盘。