晶胞均摊法计算

-1-均摊法计算晶胞中粒子的个数一、NaCl晶胞（4）与Na＋紧邻的Cl－构成的空间结构为。（5）该晶胞中，若相邻的Na＋和Cl－之间的距离为0.5×10－10m，二、CsCl晶胞则晶体的密度为g·cm-3。（4）若2个最近的Cs+核间距离为acm，氯化铯的相对分子质量为M，NA为阿佛加德罗常数，则CsCl晶体的密度为g·cm-3。三、CO2晶胞（1）每个晶胞中CO2分子数为个。（2）与CO2分子距离相等且最近的CO2分子共有个。（3）若CO2晶胞的密度为g/cm3，NA为阿佛加德罗常数，则最近的两个CO2分子的距离为cm。四、金刚石、石墨晶体（1）每个金刚石晶胞中碳原子数为个。（2）如果C—C键的键能是ＷkJ·mol－1，则将12g金刚石碳碳键完全破坏掉需要的能量是kJ。（3）石墨晶体同一层中，每个C原子与个C原子形成C-C键，键角为，其中最小的环为元环，每个C原子被个六元环共有，每个C-C键被个六元环共有；每个六元环拥有的C原子数为个，拥有的C-C键数为个，则C原子数与C-C键数之比为。☆（4）六方氮化硼在高温高压下，可以转化为立方氮化硼，其结构与金刚石相似，晶胞边长为361.5pm，立方氮化硼晶胞中含有_____个氮原子、_____个硼原子，立方氮化硼的密度是_______g·cm-3（只要求列算式）-2-⊿六棱柱晶胞①处于顶点的微粒，同时为个晶胞所共有，每个晶胞占有该微粒的；②处于侧棱上的微粒，同时为个晶胞所共有，每个晶胞占有该微粒的；③处于底棱上的微粒，同时为个晶胞所共有，每个晶胞占有该微粒的；④处于面上的微粒，同时为个晶胞所共有，每个晶胞占有该微粒的；⑤处于晶胞内部的微粒，则完全属于该晶胞。练1：2001年报道硼和镁形成的化合物刷新了金属化合物超导温度的最高记录。右下图示意的是该化合物的晶体结构单元：镁原子间形成正六棱柱，且棱柱的上、下底面还各有一个镁原子；6个硼原子位于棱柱内。则该化合物的化学式可表示为A．MgBB．MgB2C．Mg2BD．Mg3B2⊿三棱柱晶胞①处于顶点的微粒，同时为个晶胞所共有，每个晶胞占有该微粒的；②处于侧棱上的微粒，同时为晶胞所共有，每个晶胞占有该微粒的；③处于底棱上的微粒，同时为个晶胞所共有，每个晶胞占有该微粒的；④处于面上的微粒，同时为个晶胞所共有，每个晶胞占有该微粒的；⑤处于晶胞内部的微粒，则完全属于该晶胞。练2：某晶体的一部分如图所示，这种晶体中A、B、C三种粒子数之比是A．3∶9∶4B．1∶4∶2C．2∶9∶4D．3∶8∶4练3：单质硼有无定形和晶体两种，参考下表数据回答下面问题。(1)晶体硼的晶体类型属于__________晶体，理由是__________。(2)已知晶体硼结构单元是由硼原子组成的正二十面体，其中有20个等边三角形的面和一定数目的顶点，每个顶点上各有1个硼原子。通过分析图形及推算，此晶体结构单元由___个硼原子构成，其中B-B键的键角为___________。(3)假设将晶体硼结构单元中每个顶角均削去，余下部分的结构与C60相同，则C60由____个正五边形和____个正六边形构成。练4：A、B、C、D、E、F、G均是前四周期的元素。A的基态原子外围电子排布式为3s2;B原子的L电子层的p能级上有一个空轨道;C元素的基态原子最外层有3个未成对电子，次外层有2个电子；D的原子的2p轨道上有1个电子的自旋方向与其它电子的自旋方向相反;E与A同周期，是同周期元素中第一电离能第二大的元素;F和G在周期表中既处于同一周期又位于同一族，且原子序数F比G小2。(1)C的外围电子排布图为。C与氢元素可分别形成含10个电子的分子、阴离子和阳离子，阳离子中中心原子的杂化类型为；分子的VSEPR模型名称为；阴离子的立体构型为。(2)G的价电子排布式为___________。用电子式表示化合物AE2的形成过程。(3)F与BD易形成配合物F(BD)5，在F(BD)5中F的化合价为_______；与BD分子互为等电子体的分子和离子分别为和（填化学式）。(4)E有多种含氧酸根，EO3-的空间构型为。(5)B、D与氢元素形成的化合物H4B2D2分子中B原子的杂化方式为。(6)某种含F化合物的晶胞如图所示，其化学式为___________。-3-练习1、(1)一种Al－Fe合金的立体晶胞如图1所示。确定该合金的化学式________。用NA表示阿伏加德罗常数，则晶胞质量的计算式是_______________。(2)石墨的层状结构如下图2所示，图中7个六元环实际占有的碳原子数是，(3)石墨能与熔融金属钾作用，形成蓝色的C24K、灰色的C48K、C60K等。有一种青铜色的CxK中K原子（用o表示）的分布如图3所示，则x=；2、在硅酸盐中，SiO44－四面体（如下图（a））通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。图（b）为一种无限长单链结构的多硅酸根，其中Si原子的杂化形式为，Si与O的原子数之比为，化学式为。3、前四周期原子序数依次增大的元素A，B，C，D中，A和B的价电子层中未成对电子均只有1个，平且A－和B+的电子相差为8；与B位于同一周期的C和D，它们价电子层中的未成对电子数分别为4和2，且原子序数相差为2。回答下列问题：（1）D2+的价层电子排布图为_______。（2）四种元素中第一电离最小的是________，电负性最大的是________。（3）A－、B+和C3+三种离子组成的化合物B3CA6，其中化学键的类型有_____；该化合物中存在一个复杂离子，该离子的化学式为_______，配位体是。（4）A、B和D三种元素组成的一个化合物的晶胞如图所示。①该化合物的化学式为_________；D的配位数为_______；②列式计算该晶体的密度_______g·cm-3。-4-4、ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含ⅥA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题：（1）S单质的常见形式为S8，其环状结构如下图所示，S原子采用的轨道杂化方式是_____；（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为;（3）Se原子序数为，其核外M层电子的排布式为；（4）H2Se的酸性比H2S（填“强”或“弱”）。气态SeO3分子的立体构型为，SO32-离子的立体构型为；（5）H2SeO3的K1和K2分别为2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4第一步几乎完全电离，K2为1.2×10-2，请根据结构与性质的关系解释；①H2SeO4和H2SeO3第一步电离程度大于第二部电离的原因：；②H2SeO4和H2SeO3酸性强的原因：；（6）ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如下图所示，其晶胞边长为540.0pm，密度为_________g·cm-3（列式并计算），a位置S2-离子与b位置Zn2+离子之间的距离为_____pm（列式表示）。5、铜在我国有色金属材料的消费中仅次于铝，广泛地应用于电气、机械制造、国防等领域。回答下列问题：(1)铜原子基态电子排布式为；(2)用晶体的x射线衍射法可以测得阿伏加德罗常数。对金属铜的测定得到以下结果：晶胞为面心立方最密堆积，边长为361pm。又知铜的密度为9.00g·cm-3，则铜晶胞的体积是cm3、晶胞的质量是g，阿伏加德罗常数为mol-1(列式即可，己知Ar(Cu)=63.6)；(3)氯和钾与不同价态的铜可生成两种化合物，这两种化合物都可用于催化乙炔聚合，其阴离子均为无限长链结构(如下图)，a位置上Cl原子的杂化轨道类型为。已知其中一种化合物的化学式为KCuCl3，另一种的化学式为；(4)金属铜单独与氨水或单独与过氧化氢都不能反应，但可与氨水和过氧化氢的混合溶液反应，得到深蓝色溶液，反应的化学方应程式为。-5-5、