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20101．Pn结势垒电容和扩散电容的概念及其不同偏置压下的影响。（12分）2．基区电导调制效应及其对电压放大倍数的影响。（14）3．高频信号下对载流子放大倍数的影响和那些过程对其有影响。（15）4．短沟道效应和窄沟道效应。（15）5．晶体管的开关过程上升延迟的基本方程及其物理意义。（14）2009一．简答1.发射效率和基区输运系数的定义，有什么意义。2.JEFT,MOSFET,MAOSFET,MNSFET个代表什么3.基区宽度扩展对什么参数或什么特性有什么影响4.镇流电阻如何接，阻值大小有何影响二：结合BJT的载流子输运过程，说明为什么说尽量增加发射区掺杂浓度，大于基区掺杂浓度，可以提高共发射极电流放大系数。三：电荷控制方程以及每部分代表的意义是什么。四：PN结加正向偏压Vf和反向偏压Vr时，画出少数载流子浓度分布图，并写出边界区载流子浓度表达式和载流子浓度分布方程。五：发射极电流集边效应定义，产生原因。2008一．1.发射极电流极边效应，又称（）效应，原因（）。2.厄尔利效应，又称（）效应，原因（）。3.BJT是（）型器件，（）控制型；FET是（）型器件，（）控制型。4.（）是平衡PN结的标志，净电流为0的原因（）。二．双极型开关过程中基极电流的作用及改善开关特性的途径。三．从起因及作用方面叙述，大电流下工作的平面晶体管中有哪些自建电场？四．四个MOS管各处于什么状态，并写出IDS的表达式。（具体内容虽不记得，但比较简单，复习一下相关内容即可）五．画出双极型晶体管在如下三种情况下的能带图，少子浓度分布示意图。2007一、填空1、pn结雪崩击穿2、晶体管最大工作电流与放大倍数β的关系（公式）3、半导体表面强反型4、噪声和信噪比的问题二、1、MOS阈值电压，N、P、增强、耗尽2、MSFET跟MOSFET什么关系3、截止频率三、1、MOS管工作原理，N、P、增强、耗尽2、NPN晶体管输出特性曲线3、计算IDS（电流）4、载流子的输运过程（大注入）的影响2006一、PN结势垒电容发射极有效宽度缓变基区自由电场mos型晶体管的短沟道效应双极型晶体管特征频率2005名词解释发射极有效宽度反向恢复时间特征频率势垒电容噪声系数短沟道效应雪崩效应原理回答有效基区扩展晶体管工作原理和放大原理开关过程和电荷控制方程丁型场效应管的电压、放大倍数、阈值电压（开启）2004说明n沟道增强型MOSFET的工作原理，指出并解释影响其开关特性的因素什么是有效基区扩展效应？合金管和平面管中发生的有效基区扩展效应有什么差别？