机台菜单匹配规定

1.0标题：设备菜单匹配管理规范2.0目的：规定不同设备之间菜单匹配的程序，保证产品质量。3.0范围：适用于生产线上用于相同工艺的不同设备之间的匹配。4.0参考：无。5.0定义：5.1关键工艺：对产品主要特性（PCM结果，成品率和可靠性等）有决定性影响的工艺步骤。5.2非关键工艺：除关键工艺以外的，对产品特性影响较小的工艺步骤。5.3设备匹配：为扩大产能和灵活性，在满足质量要求的情况下，将不同设备或腔体用于同一工艺的加工，工艺菜单内容可根据实际情况作一定限制的修改。6.0责任：6.1设备工程师负责设备硬件条件一致性的匹配调整工作。6.2工艺工程师负责设备的工艺匹配，并达到最终的要求。6.3TD负责对匹配项目完整性的审核，并对PCM的分析结果进行确认。6.4M&S负责联系客户并且反馈成品率情况。6.5QA负责检查匹配工作是否按规定执行。7.0内容：7.1进行设备匹配，必须完成附录中所列的所有相关项目；完成后提交报告，经PCRB审核批准后执行。7.2对型号完全相同的设备之间的菜单匹配，按附表中的要求执行。7.3型号不同的设备之间的菜单匹配，由PCRB会议讨论决定匹配项目与内容。7.4对已经匹配过的设备中，新菜单匹配按照下述原则进行。1）单项匹配完成。2）非关键工艺不进行分片直接release。3）关键工艺在3批量或小批量（风险批）中选取1批进行分片，通知客户，确定验证项目，如果合格则通过。7.5对于附录中需要顾客反馈成品率的批次(分片)由M&S通知顾客，同意后方可作业，表单见《工艺变更(ProcessChange)管理程序》中的“工艺/材料临时变更客户确认单”。7.6设备匹配中项目需要通知顾客的，由M&S负责通知顾客，顾客确认后方可作业,表单见《工艺变更(ProcessChange)管理程序》中的“工艺/材料永久更改客户通知单”。7.5完成匹配的标准：7.5.1单项工艺结果：（下面的σ为reference机台或referencelot该项目的标准偏差）7.5.1.1单项工艺结果以下要求：关键工艺：中心值偏差不得超过1σ或reference机台的3%，均匀性满足控制计划要求（均匀性能测试49点的，提供49点的MAP图）；78系列外延按照5%执行。非关键工艺：中心值偏差不得超过reference机台的5%，均匀性满足控制计划要求。7.5.1.2SPC统计后能满足对技术和质量的要求。7.5.1.3设备间的差异在工艺许可的范围内（由单项工艺工程师进行判断，主管审核）7.5.2PCM结果：所有测试数据必须在PCM规范内，中心值偏差不得超过1.5σ，分布范围不超过原有水平。在签PCRB时，TD提供相关的PCM项目与规范，如无直接相关参数，需得到中测成品率数据，同时通知市场部试验批号、成品率反馈要求等。分片时直接相关参数做trendchart分析，其他参数提供σ分析，分批时对直接相关参数进行trendchart分析。7.5.3分片或分批对比实验结果：所有圆片都要满足PCM和成品率的要求。7.5.4成品率结果：实验片的最低成品率不得低于对照批最低成品率的90%，平均成品率大于对照批平均成品率的95%。7.6当以上所有项目均完成并达到标准，经PCRB审核批准后方可将该设备添加到相关设备组中，应用于生产。8.0附录：8.1附录一：扩散菜单匹配方案8.2附录二：薄膜菜单匹配方案8.3附录三：光刻菜单匹配方案8.4附录四：刻蚀菜单匹配方案9.0有效期：本文件自发布之日起至下次修正日止。10.0机密等级：普通。附录一：扩散菜单匹配方案序号工艺步骤工艺层次是否关键单项试验项目Class分片试验分批试验征求客户同意(分片)通知客户(项目)单独投片片数结果要求PCM成品率1清洗栅氧/电容氧化关颗粒；速率及均匀性，表面检查，CV/BT1000A，212PCM/YIELDNO跟踪3批YESNONO2一般清洗除栅氧/电容氧化非颗粒；速率及均匀性，表面检查，CV/BT1000A，3NoNoNONONONONO3发射区扩散发射区关电阻或膜厚，均匀性，Xj(参考)312PCM3NONONONO4注入退火选择非电阻均匀性，Xj(参考)312PCM3NoNONONO5基区退火选择关电阻或膜厚，均匀性，Xj(参考)212PCM/YIELD3跟踪3批YESNONO6B源Dep扩散选择关电阻均匀性结深偏差(参考)312PCM3跟踪3批NONONO7P/Sb源Dep扩散选择关电阻均匀性结深偏差(参考)312PCM3跟踪3批NONONO8POCl掺杂磷掺杂关电阻均匀性312PCM3跟踪3批NONONO9Nitride淀积电容关膜厚均匀性腐蚀速率生长速率折射率针孔312PCM3跟踪3批NONONO10多晶POLY淀积选择关膜厚均匀性干法腐蚀速率生长速率电阻比较212PCM/YIELD3跟踪3批YESNONO11LPTEOS淀积选择关膜厚均匀性干法，湿法腐蚀速率折射率针孔312PCM3跟踪3批NONONO12外延EPI关电阻率，厚度，均匀性，颗粒及表面质量，SRP分析，漂移率，畸变212PCM/YIELD33YESYESNO13一般氧化所有非膜厚均匀性颗粒CV/BT3NONONONoNONONO14关键氧化选择关膜厚均匀性颗粒CV/BT212PCM/YIELD3跟踪3批YESYESNO15合金所有非DD温度恢复曲线+/-3度；312PCM3NoNONONO附录二：薄膜设备间匹配方案*对注入工艺的设备匹配，只需E11，E12，E13，E14，E15，E16几种注入剂量各选一个菜单作匹配序号工艺步骤工艺层次是否关键(是/否)单项试验项目Class分片试验分批试验征求客户同意(分片)通知客户(项目)单独投片片数结果要求PCM成品率1金属溅射ALSICU1/ALSICU2淀积厚ALSICU淀积ALSI淀积关颗粒、方块电阻、均匀性（25点）、反射率、BT（新机台需做）、膜厚、淀积速率、Rc，RF刻蚀量（AL2），台阶覆盖率，Rth。菜单单项测试数据匹配（电阻均匀性、反射率）312PCM/YIELD1跟踪3批YESNONO2Barry溅射Ti+Tin/RF+Ti+Tin关TI颗粒，方块电阻，均匀性，膜厚，淀积速率，电阻重复性3批TIN颗粒，方块电阻，均匀性，膜厚，折射率，应力，淀积速率，膜厚重复性3批312PCM/YIELD1跟踪3批YESNONO3WSI溅射RF+WSI关RF/WSI颗粒，RF刻蚀量，RF均匀性2擦片SVGSTA非颗粒3NONONONONONONO3AL前清洗CON非BT，颗粒，HF腐蚀速率，Rc3NONONONONONONO4APCVD淀积SIO2CVD屏蔽层非颗粒;SiO2膜厚、均匀性、折射率，应力，掺杂膜先行电阻值、均匀性、结深匹配。针孔（钝化层）3NONONONONONONOAL下CVD介质层关312PCM1NONONONO深磷CVD关312PCM1NONONONO隔离CVD关312PCM1NONONONO钝化CVD关312PCM1NONONONO5PECVD淀积层间介质关膜厚、均匀性、折射率、淀积速率匹配，应力（SIN）；针孔（钝化层）312PCM/YIELD1NOYESNONO钝化层关312PCM1NONONONO电容介质关312PCM1NONONONO6SOG涂敷NBL埋层SODP涂敷关颗粒;膜厚、均匀性、折射率；产品菜单先行电阻值、均匀性、结深匹配312PCM1NONONONO7注入剂量等级关均匀性，Rs，带胶注入镜检（≥5E15）312PCM3跟踪3批NONONO附录三：光刻菜单匹配方案序号工艺步骤工艺层次是否关键单项试验项目Class分片试验扩批试验征求客户同意(分片)通知客户(项目)单独投片片数/新条件结果要求PCM成品率1涂胶所有涂胶程序关胶厚，胶厚均匀性，CD，E03NONONONONONONO2显影所有显影程序关CD与均匀性312NONONONONONO3ASML曝光关键层关OVERLAY，CD与均匀性，形貌312NONO跟踪３批NONONO4UT曝光关键层关OVERLAY,CD与均匀性，形貌312NONO跟踪３批NONONO关键层次：根据工艺来定附录四：刻蚀菜单匹配方案序号工艺步骤工艺层次是否关键单项试验项目Class分片试验分批试验征求客户同意(分片)通知客户(项目)单独投片片数结果要求PCM成品率1多晶腐蚀R多晶关速率、均匀性、选择比、PROFILE、CDbias312PCM1NONONONOPICSPOLY关速率、均匀性、选择比、PROFILE、CDbias312PCM3N0NONONOE多晶非速率、均匀性、选择比312PCMNONONONONO2LPSiN腐蚀有源区关速率、均匀性、选择比、PROFILE、CDbias312PCM1跟踪3批NONONO电容非速率、均匀性、选择比、PROFILE312PCMNONONONO3干法孔腐蚀接触孔关速率、均匀性、选择比、PROFILE、CDbias312PCM/yield3NOYESNONOHardmask(PICS)关速率、均匀性、选择比、PROFILE、CD312PCM3NONOYESNO通孔关速率、均匀性、选择比、PROFILE、CDbias312PCM/yield1NOYESNONO4干法铝腐蚀铝1关速率、均匀性、选择比、PROFILE、CDbias312PCM/yield3跟踪3批YESNONO铝2关速率、均匀性、选择比、PROFILE、CDbias312PCM/yield1跟踪3批YESNONO5平坦化腐蚀平坦化非profile312PCM1NONONONO6钝化腐蚀钝化非速率、均匀性、PROFILE312PCMNONONONONO7干法去胶选择非速率、均匀性3NONONONONONONO8UV选择非抗腐蚀能力、抗注入能力3NONONONONONONO9标记腐蚀Zeromark非Step或LPPOLY速率、均匀性3NONONONONONONO10BOE腐蚀孔腐蚀关速率、均匀性312PCMNONONONONO1110:1HF选择非速率、均匀性3NONONONONONONO1249％HFEPI前全剥非速率、均匀性312PCMNONONONONO13深槽刻蚀PICS腐蚀关速率、均匀性、sel、profile、CD、area212PCM/yield33YESYESNO序号工艺步骤工艺层次是否关键单项试验项目Class分片试验分批试验征求客户同意(分片)通知客户(项目)单独投片片数结果要求PCM成品率14湿法去胶选择非去胶效果3NONONONONONONO15湿法去LPSiN选择非速率、均匀性3NONONONONONONO16100：1HF选择非速率、均匀性3NONONONONONONO17烘箱选择非抗注入能力3NONONONONONONO18干法去硅屑选择非速率、均匀性、去硅屑效果312PCMNONONONONO19湿法去硅屑选择非速率、均匀性、去硅屑效果312PCMNONONONONO注：在成品率一栏中的“跟踪3批”，指后续跟踪3批产品片的成品率情况，但不影响匹配菜单的release。