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本科毕业设计（论文）格式模板本彩页封面仅为电子稿样本，文本装订时请以班为单位到教材科领取纸质封面及资料袋后再装订毕业设计（论文）诚信声明本人郑重声明：所呈交的毕业设计（论文）是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。就我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表和撰写的研究成果，也不包含为获得华东交通大学或其他教育机构的学位或证书所使用过的材料。如在文中涉及抄袭或剽窃行为，本人愿承担由此而造成的一切后果及责任。本人签名____________导师签名__________年月日华东交通大学毕业设计（论文）任务书姓名学号毕业届别专业毕业设计（论文）题目指导教师学历职称具体要求：进度安排：指导教师签字：年月日教研室意见：教研室主任签字：年月日题目发出日期设计（论文）起止时间附注：华东交通大学毕业设计（论文）开题报告书课题名称课题来源课题类型导师学生姓名学号专业开题报告内容：1）研究意义2）研究内容方法及预期目的：1）研究方法或设计方法2）预期目的：指导教师签名：日期：课题类型：（1）A—工程设计；B—技术开发；C—软件工程；D—理论研究；（2）X—真实课题；Y—模拟课题；Z—虚拟课题（1）、（2）均要填，如AY、BX等。华东交通大学毕业设计(论文)评阅书(1)姓名学号专业毕业设计(论文)题目指导教师评语：指导教师签字：年月日评阅人评语：评阅人签字：年月日得分得分华东交通大学毕业设计(论文)评阅书(2)姓名学号专业毕业设计(论文)题目答辩小组评语：等级组长签字：年月日答辩委员会意见：等级答辩委员会主任签字：年月日（学院公章）注：答辩小组根据评阅人的评阅签署意见、初步评定成绩，交答辩委员会审定，盖学院公章。“等级”用优、良、中、及、不及五级制（可按学院制定的毕业设计(论文)成绩评定办法评定最后成绩）。华东交通大学毕业论文评阅书（1）姓名陈力学号20090111200140指导教师评分评分标准得分学习能力、态度30－25分24－22分21－19分18分≤18分学习主动、认真，出勤率全，能熟练综合运用所学知识，全面出色完成任务。学习认真、较主动，出勤率高，能综合运用知识，全面完成任务。学习尚认真，出勤率较高，能运用所学知识，按期完成任务。学习要求不高，出勤率一般，在教师帮助下能运用所学知识，按期完成任务。学习马虎，出勤率较低，运用所学知识能力较差，不能按期完成任务。研究论文20－17分16－15分14－13分12分≤12分研究方案合理，论证充分，创新意思强，计算正确无误。能较全面考虑问题，研究方案较合理，有创新意思，论证较充分，计算正确。尚能全面考虑问题，研究方案较合理，有些创新，论证基本正确，计算无原则错误。全面考虑问题不够，研究方案尚可，论证不够充分，计算无重大原则错误。考虑问题片面，研究方案不合理，计算中有重大原则错误。实验研究20－17分16－15分14－13分12分≤12分实验方案合理，实验动手能力强，实验数据准确，数据处理正确。实验方案较合理，实验动手能力较强，实验数据基本准确，数据处理正确。实验方案基本合理，实验动手能力较强，实验数据基本准确，数据处理基本正确。实验方案基本合理，实验动手能力一般，实验数据基本准确，数据处理无原则错误。实验方案不太合理，实验动手能力差，实验数据不准确，数据处理有重大错误。外语、计算机能力20－17分16－15分14－13分12分≤12分能熟练阅读外文参考资料，能正确无误的写出外文摘要，能熟练应用计算机。能较熟练阅读外文参考资料，能用外文写出论文摘要，能较熟练应用计算机。能基本独立完成教师规定的外语、计算机应用方面要求。能完成教师规定外语、计算机方面的要求。末达到教师规定外语、计算机方面的要求。毕业实习10－9分8分7分6分≤6分实习主动、积极，实习日记、实习报告内容完整、充实，图文并茂。能认真的完成实习任务，实习日记、实习报告内容完整、质量较好。基本完成实习任务，实习日记、实习报告内容不够完整，质量一般。实习报告内容不完整，但尚能将大部分规定的内容写出，质量较差。实习不认真，实习日记、报告马虎潦草，内容不完整。质量差。总评分（满分100）指导教师：______年____月____日华东交通大学毕业论文评阅书（2）姓名陈力学号20090111200140评阅人评分评阅人：______年____月____日项目及权重(满分)分数形式审查(30)核心部分质量(50)创新及综合能力(20)合计(100)答辩评分答辩委员会评分答辩组组长：答辩委员会主任：____年____月____日______年____月____日项目及权重(满分)分数设计(论文)、图纸规范化(30)答辩陈述表现(20)回答问题表现(30)综合能力(20)合计(100)项目及权重分数总评分(指导教师评分×50%+评阅人评分×20%+答辩小组评分×30%)审定等级(优100-90，良89-80，中79-70，及格69-60，不及格59及以下)华东交通大学毕业设计（论文）答辩记录姓名学号毕业届别专业题目答辩时间答辩组成员（签字）：答辩记录：等小组答辩完成后，根据小组的5个问题，自己拟定答案，要求必须手写。记录人为：同组的另一个同学答辩组组长是一个老师的名字，要签名，不能打印。记录人（签字）：年月日答辩小组组长（签字）：年月日附注：摘要IIII-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究专业：学号：学生姓名：指导教师：摘要宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。…………本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词：氮化物；MOCVD；LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱中文摘要：独占一页；论文题目用小2号黑体字、居中宋体，5号，对齐居中页眉：中文宋体，小五号，居中正文用小4号宋体字摘要用3号黑体字、居中关键词用小4号黑体字、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔AbstractIIStudyonMOCVDgrowthandpropertiesofIII-ⅤnitridesandhighbrightnessblueLEDwafersAbstractGaNbasedⅢ-ⅤnitrideshavepotentialapplicationsonhighbrightnessLEDs,shortwavelengthlasers,ultravioletdetectors,hightemperatureandhighpowerelectronicdevices.Studyonphysicsissuesandtechnologiesofnitridesopenanewareaof3thgenerationsemiconductor.MorethantencompaniesinAmericaandJapanreportedtohavedevelopedthenitridesgrowthtechnologysinceNichiacompanyinJapanfirstrealizedthecommercializationofGaNbasedblueLEDin1994.Inthisthesis,GaNanditsternaryweregrownbyahome-madeatmospherepressuremetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)andThomasSwan6×2”MOCVDsystems.HighbrightblueLEDwaferswereobtainedbyoptimizingthenitridesgrowthtechnologyandwaferstructure.Someencouragingresultsarefollowingas:1.Wepresenttheideaofusingabufferlayerofdeviationfromstoichiometryformaterialsgrowthonlargelatticemismatchsubstrates.Thisideawasrealizedinnitridesgrowthinthisthesis.TheepilayercrystallinequalitywasimprovedandthedislocationdensitywasdecreasedbyusingGaNlowandhightemperaturebufferlayersofdeviationfromstoichiometry.TheRBS/channelingspectraexhibitedthattheminimumyieldχminofGaNlayerswasjustonly1.5%.TheleakelectriccurrentofGaNbasedLEDwasobviouslydecreasedandlowerthan1μAat5voltreversevoltagebyusingthisnewbuffertechnology.…………Thisworkwassupportedby863programinChina.Keyword:Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Opticalabsorption页眉：外文TimesNewRoman字体，五号，居中的居中英文摘要：独占一页；论文题目用TimesNewRoman字体小2号加粗、居中正文用TimesNewRoman字体小4号ABSTRACT用TimesNewRoman字体3号加粗、居中关键词用TimesNewRoman小4号加粗、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔目录III目录摘要····························································································ⅠAbstract························································································Ⅱ第一章GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）·················11.1III族氮化物材料及其器件的进展与应用·······································11.2III族氮化物的基本结构和性质···················································41.3掺杂和杂质特性································