模拟电子技术第一章习题答案

部分习题答案，简单的没有。习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：32101.25AA在80℃时的反向电流约为：321080AA习题1-4已知在下图中，uI=10sinωt(V)，RL=1kΩ，试对应地画出二极管的电流iD、电压uD以及输出电压uO的波形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。+uD-RL(a)+uD-iD+uI-uI/Vt010iD/mAt100t0uI/V-10uo/Vt100习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流IZ、动态电阻rZ以及温度系数αU，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻rZ愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流IZ愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。温度系数αU的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。习题1-6某稳压管在温度为20℃，工作电流为5mA时，稳定电压UZ=10V，已知其动态内阻rZ=8Ω，电压的温度系数αU=0.09%/℃，试问：①当温度不变，工作电流改为20mA时，UZ约为多少？②当工作电流仍为5mA，但温度上升至50℃时，UZ约为多少？解：①3(205)1080.12ZZZUIrV100.1210.12ZUV②0.09%(5020)2.7%ZZUUUT1012.7%10.27ZU习题1-7在下图中，已知电源电压U=10V，R=200Ω，RL=1kΩ，稳压管的UZ=6V，试求：①稳压管中的电流IZ=？②当电源电压U升高到12V时，IZ将变为多少？③当U仍为10V，但RL改为2kΩ时，IZ将变为多少？RL+U-VDZRIZ解：①6LZRLUImAR20614LZRIIImA20ZUUImAR②30ZUUImAR30624LZRIIImA③3LZRLUImAR20317LZRIIImA习题1-8设有两个相同型号的稳压管，稳压值均为6V，当工作在正向时管压降均为0.7V，如果将他们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。+-+-+-(1)12V(1)6.7V(1)1.4V习题1-10假设有两个三极管，已知第一个管子的，则当该管的时，其IC1和IE1各等于多少？已知第二个管子的，则其若该管的IE2=1mA，则IC2和IB2各等于多少？1991?110BIA20.952?解：①1110.991110BIA当时，110.99,1CEImAImA②22219121EImA当时，220.95,50CBImAIA习题1-12一个实际PNP型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。①查看该三极管的穿透电流ICEO约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP型三极管工作在放大区，其uBE和uBC的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN型三极管进行比较。解：①查图可知，ICEO=0.5mA，死区电压约为0.2V；②为了使三极管工作在放大区，对PNP型：uBE0，uBC0；对NPN型：uBE0，uBC0。习题1-13测得某电路中几个三极管各极的电位如图P1-13所示，试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。+5V0V+0.7V(a)+12V+12V+2V(b)0V-6V-5.3V(c)+10.3V+10V+10.75V(d)-5V0V+0.3V(e)+4.7V+5V+4.7V(f)-10V-1V-1.3V(g)+8V+12V+11.7V(h)解：判断依据：NPN型：uBE0，uBC0，放大；uBE0，uBC0，饱和；uBE0，uBC0，截止。PNP型：uBE0，uBC0，放大；uBE0，uBC0，饱和；uBE0，uBC0，截止。放大+5V0V+0.7V(a)+12V+12V+2V(b)0V-6V-5.3V(c)+10.3V+10V+10.75V(d)截止放大饱和截止-5V0V+0.3V(e)+4.7V+5V+4.7V(f)-10V-1V-1.3V(g)+8V+12V+11.7V(h)临界饱和放大放大习题1-15分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15所示。试识别它们的管脚，分别标上e、b、c，并判断这两个三极管是NPN型还是PNP型，硅管还是锗管。1(+3V)2(+9V)3(+3.2V)(a)1(-11V)2(-6V)3(-6.7V)(a)解：本题的前提是两个三极管均工作在放大区。(a)1——发射极e，3——基级b，2——集电极c，三极管类型是NPN锗管。(b)2——发射极e，3——基级b，1——集电极c，三极管类型是PNP硅管。习题1-16已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压UGS(th)和IDO值，以及当uDS=15V，uGS=4V时的跨导gm。uDS=15V由图可得，开启电压UGS(th)=2V，IDO=2.5mA，41.22.84.53.5DmGSigmSu习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P型沟道或N型沟道，增强型或耗尽型）。如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压UGS(off)和饱和漏极电流IDSS；如为增强型，标出其开启电压UGS(th)。(a)绝缘栅型N沟道增强型；(b)结型P沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P沟道增强型。习题1-18已知一个N型沟道增强型MOS场效应管的开启电压UGS(th)=+3V，IDO=4mA，请示意画出其转移特性曲线。习题1-19已知一个P型沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏极电流IDSS=-2.5mA，夹断电压UGS(off)=4V，请示意画出其转移特性曲线。习题1-18图习题1-19图