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试题一答案一、1：4；2：O2-离子做面心立方密堆积，Na+填全部四面体空隙；3：=4CNO2-=8[NaO4][ONa8]；4：O2-电价饱和，因为O2-的电价=（Na+的电价/Na+的配位数）×O2的配位数；5：二、1：Al4[Si4O10](OH)8；2：单网层状结构；3：一层硅氧层一层水铝石层且沿C轴方向堆积；4：层内是共价键，层间是氢键；5：片状微晶解理。三、1：点缺陷，线缺陷，面缺陷；2：由低浓度向高浓度的扩散；3：坯体间颗粒重排，接触处产生键合，大气孔消失，但固-气总表面积变化不大；4：按硅氧比值分类或按硅氧聚和体的大小分类；5：表面能的降低，流动传质、扩散传质、气相传质和溶解-沉淀传质；6：随自由能的变化而发生的相的结构的变化，一级相变、二级相变和三级相变。四、1：O←→VNa′+VCl˙2：AgAg→Agi˙+VAg′3：3TiO23TiNb˙+VNb˙+6OO2TiO22TiNb˙+Oi′′+3O0Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x4：NaClNaCa′+ClCl+VCl˙五、一是通过表面质点的极化、变形、重排来降低表面能，二是通过吸附来降低表面能。1：t=195h2：t=68h七、当O/Si由2→4时，熔体中负离子团的堆积形式由三维架状转化为孤立的岛状，负离子团的聚合度相应的降至最低。一般情况下，熔体中负离子团的聚合度越高，特别是形成三维架状的空间网络时，这些大的聚合离子团位移、转动、重排都比较困难，故质点不易调整成规则排列的晶体结构，易形成玻璃。熔体中负离子团的对称性越好，转变成晶体越容易，则形成玻璃愈难，反之亦然。八、晶界上质点排列结构不同于内部，较晶体内疏松，原子排列混乱，存在着许多空位、位错、键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态，具有较高能量，质点在晶界迁移所需活化能较晶内为小，扩散系数为大。九、二次再结晶出现后，由于个别晶粒异常长大，使气孔不能排除，坯体不在致密，加之大晶粒的晶界上有应力存在，使其内部易出现隐裂纹，继续烧结时坯体易膨胀而开裂，使烧结体的机械、电学性能下降。工艺上常采用引入适当的添加剂，以减缓晶界的移动速度，使气孔及时沿晶界排除，从而防止或延缓二次再结晶的发生。十、PRSZωA2010455ωB10604585ωC70301010十一、略试题二答案一、(1)1、（010）（111）[111][101]；(4分)3、1；Ti4+添八面体空隙，八面体空隙利用率1/4，四八面体空隙全；(3分)4、否，因为Ti4+和O2-间没有明显的共价键成分。(2分)(2)1、岛状结构；(1分)；2、O2-与一个[SiO4]、三个[MgO6]配位：4/4×1+2／6×3=2=O2-的电价，O2-的电价(2分)；3、结构中有两种配位多面体[SiO4]、[MgO6](2分)；[SiO4]呈孤立的岛状，中间被[MgO6]隔开，SiO4]与[MgO6]之间共顶或共棱连接，同层的[MgO6]之间共棱、不同层的[MgO6]之间共顶连接；(4分)4、不易，因为镁橄榄石的Si/O=1/4，最低，网络连接程度弱，结构中络阴离子团尺寸小，迁移阻力小，熔体的粘度低，冷却过程中结构调整速率很快。(2分)二、写出下列缺陷反应式（10）：1、O?VNa′+VCl˙2、AgAg→AAi+VAg′3、3TiO23TiNb˙+VNb′′′+6O02TiO22TiNb˙+Oi′′+3O0Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x三、1．(2分)粘度增加；2．(2分)扩散也可以从低浓度向高浓度进行；3．(2分)都是晶界移动的结果。正常长大是晶粒平均尺寸增加，反常长大是个别大晶粒尺寸异常增加。4．(2分)正确5．(2分)两个固相和一个液相四、表面上的原子产生相对于正常位置的上、下位移，称为表面弛豫。(2分)NaCl单晶中处于表面层的负离子只受到上下和内侧正离子的作用，而外侧是不饱和的。电子云将被拉向内侧的正离子一方而变形，使该负离子诱导成偶极子。这样就降低了晶体表面的负电场。接着，表面层离子开始重排以使之在能量上趋于稳定。为此，表面的负离子被推向外侧，正离子被拉向内侧从而形成了表面双电层。(4分)五、(2分)(2分)因为,所以铂丝向Cr2O3方向移动。(2分)六、由热力学可知，在等温、等压下有在平衡条件下，，则有式中：Ｔ0是相变的平衡温度；为相变热。若在任意温度的不平衡条件下，则有若与不随温度而变化，将上式代入上式得：可见，相变过程要自发进行，必须有，则。(1)若相变过程放热（如凝聚、结晶等）。要使，必须有，，即，这表明系统必须“过冷”。(2)若相变过程吸热（如蒸发、熔融等），要满足这一条件则必须，即，这表明系统要自发相变则必须“过热”。七、扬德方程[1—（1—G）1/3]2=K4tt=194.6h(2分)金斯特林格方程1—2/3G—（1-G）2/3=K6tt=68.1t=68.1(2分)扬德方程假设反应过程中扩散截面不变，而金斯特林格方程考虑了反应中扩散截面的变化。随反应的进行，反应物体积减小，扩散截面变小，所需反应时间要比扬德假设所计算出的时间短。(2分)八、陶瓷材料中晶粒的大小与物料的原始粒度、烧结温度和时间等因素有关；(3分)控制晶粒尺寸方法：控制原始粒度均匀细小，控制烧结温度和时间，添加剂等。(3分)九、1、见图，付三角形3分，界线性质1分，界线上温度降低的方向4.5分；2、D，一致熔融二元化合物，高温稳定、低温分解；(1.5分)M，不一致熔融三元化合物；（1分）3、（4分）E1，单转熔点，E2，低共熔点，E3，单转熔点，E4，过渡点，4、（6分）L(结晶结束)S（产物C+B+M）5、E2温度（1分），H点所在温度（1分）；过H点做副三角形BCM的两条边CM、BM的平行线HH1、HH2，C%=BH2/BC×100%，B%=CH1/BC×100%，C%=H1H2/BC×100%（3分）。试题三答案一、1（100）（111）[111][0-11]各1分2CNTi4+=6[TiO6]CNCa2+=12[CaO12]CNO2--=6[OTi2Ca4]各1分3Z=1(1分)Ti4+(1分)占据1/4八面体空隙(1分)4因为：Z+=2/12*4+4/6*2=2=Z-所以：饱和(3分)5不存在，因为是复合氧化合物。(2分)二、岛状、架状、链状、层状、组群状、链状各1分三、（1）CaCl2VNa′+2ClCl+CaNa′(2分)NaC1-2xCaxCl(1分)（2）OVNa′+VCl′(2分)（3）一是因为晶体中的间隙位置有限，二是因为间隙质点超过一定的限度会不破坏晶体结构的稳定性。四、[SiO4]为基本结构单元，四面体组成形状不规则大小不同的聚合力子团，络阴离子团之间依靠金属离子连接。（4分）；从Na2O—SiO2系统出发，随引入B2O3量的增加，[BO3]与游离氧结合，转变为[BO4]，使断裂的网络重新连接，系统粘度增加（3分）；继续引入B2O3，B2O3以层状或链状的[BO3]存在，系统的粘度降低（3分）。五、固体表面通过表面质点的极化、变形、重排降低固体的表面能（3分）；液体分子可自由移动，通过形成球形表面来降低表面能（2分）；固体质点不能自由移动，只能通过表面质点的极化、变形、重排降低表面能，因此表面能总是高于同组成的液体的表面能（3分）。六、由公式D=D0exp(-Q/RT)；（1分）计算Dα=6.72*10-7；（1分）Dγ=2.7*10-8（1分）；Dα〉Dγ；（1分）因为体心结构较面心结构疏松（2分）。七、由热力学可知,在等温、等压下有在平衡条件下,=0，则有式中：Ｔ0是相变的平衡温度；为相变热。若在任意温度T的不平衡条件下，则有若与不随温度而变化，将上式代入上式得：可见，相变过程要自发进行，必须有0,则0。（3）若相变过程放热（如凝聚、结晶等）0。要使0，必须有0，，即T0T，这表明系统必须“过冷”。（4）若相变过程吸热（如蒸发、熔融等）0,要满足0这一条件则必须0，即T0T，这表明系统要自发相变则必须“过热”。八、选择Mg(OH)2、γ-Al2O3（3分）；因为反应活性高，结构不稳定（3分）。九、蒸发冷凝、表面扩散十、1．见图（6分）；2．S1二元不一致熔融化合物，S2二元不致熔融化合物，S3三元不一致熔融化合物；（各1分）3．P1：过渡点A+BS；P2：双转熔点L+B+S1=S3；P3：低共熔点L=B+C+S3；P4：单转熔点L+A=S2+S1；P5单转熔点L+S1=S2+S3；P6低共熔点L=C+S2+S3；（各1分）4．（4分）L:(结晶结束)S:（产物S1+S2+S3）5．P3,H,B：C：S3=CC1：BB1：B1C1（5分）试题四答案一、填空题（第1题每空0.5分，其它每空1分，总计20分）1.晶胞参数，三斜，正交（斜方），立方。2.化学位梯度，浓度梯度的，定向迁移。3.原子排列状况相同但位向不同，数字相同、数序和正负号不同。4.沸石萤石TiO2MgO。5.烧结初期、烧结中期和烧结后期，再结晶和晶粒长大。6.是，固体质点不能自由移动。7.在垂直于表面的方向上原子间距不同于该方向上晶格内部原子间距的表面，驰豫表面。8.相界面上的化学反应和反应物通过产物层的扩散，相界面上的化学反应速率远小于反应物通过产物层的扩散速率。9.镁橄榄石辉石长石。10.垂直平行。二、（10分）解：(1)D=D0exp(-Q/RT)2分T=563+273=836K时，D=3×10-14cm2/s2分T=450+273=723K时，D=1.0×10-14cm2/s2分代入上式可求Q=48875J，D0=0.34×10-11cm2/s2分(2)D=D0exp(-Q/RT)=1.1×10-14cm2/s2分三、（10分）解：（1）有两种配位多面体，[SiO4]，[MgO6]，同层的[MgO6]八面体共棱，如59[MgO6]和49[MgO6]共棱75O2-和27O2-，不同层的[MgO6]八面体共顶，如1[MgO6]和51[MgO6]共顶是22O2-，同层的[MgO6]与[SiO4]共顶，如T[MgO6]和7[SiO4]共顶22O2-，不同层的[MgO6]与[SiO4]共棱，T[MgO6]和43[SiO4]共28O2-和28O2-；2.5分（3）z=4(2.5分)；（4）Si4+占四面体空隙=1/8，Mg2+占八面体空隙=1/2。（2.5分）四、1、∵△G＝·△GV＋·σ令则已知：△GV＝－3.6×106J/cm3；σ＝0.15J/cm2∴＝8.33×10－8cm（5分）2、个（5分）五、1．如右图，I表示核化速率，u表示晶化速率（5分）；2．在阴影部分以外的温度对形成玻璃有利，因为此时核化速率与晶化速率都较小或只存在一种情况（5分）。六、11）（2分）（2分）2）（1分）2体心立方点阵的晶胞结构图（2分），(112)晶面和晶向（各1.5分）。3选择Mg(OH)2、γ-Al2O3；因为反应活性高，结构不稳定。（3+2）七、1、见图；（6分）2、G，一致熔融二元化合物；F，不一致熔融二元化合物；H，不一致熔融三元化合物（3分）3、E1，单转熔点，E2，低共熔点，E3，低共熔点，E4，单转熔点，E5，单转熔点，E6，多晶转变点，（6分）4、L：(结晶结束)（B消失）（4分）S：（产物A+F+H）（2分）5、E2温度，M2点所在温度；过M2点做副三角形CGH的两条边GH、GC的平行线M2X、M2Y，C%=YH/HC×100%，H%=CX/HC×100%，G%=XY/HC×100%。（4分）