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第一题a)如下图Figure1所示电路图，为一个运算放大器.1)假设是一个理想运算放大器，算出传递函数（transferfunction）2)画出波特图(bothmagnitudeandphase)已知R1=R2=10kΩ,C1=1μF,C2=0.1μFb)下图Figure2是一个反相运放，带有一个T反馈网络用来代替一个很大的电阻值1)假设为理想运放,算出此放大器的电压增益Vo/Vi.2)假设输入电压为Vi=0.2cos5tV,绘制出预计的输出电压波形（标出相关值）。每个rail的供电电压为±15V.现在假设运算放大器为非理想运放，并且有以下参数:输入偏置电流IB=120pA输入偏移电流Iio=±10pA输入偏移电压Vio=±80μV3）用以上数据,计算出由总输入电流在每个输入端的IB和Iio的影响导致的输出偏移电压|VOS|，并且用它的值求出由于总输入偏置电流导致的输出偏移电压的最坏情况。4)计算出由输入偏移电压Vio导致的输出偏移电压|Vos|。5)根据以上结论，求出在输入偏置电流和输入偏移电压作用下所产生的输出偏移电压|VOS|的最坏情况。使用了哪种电路分析原理？第二题双极结式晶体管（BJT）a)素描一个NPN双极晶体管结构。在图表中显示出当偏压在主动模式下，电子和空穴在流动，在主动模式偏颇设备流动。b)假设为一个理想的BJT,素描出集电极电流(IC)以作为一个集电极－发射极电压函数(VCE)。显示不同的基极-发射极电压值(VBE)所产生的影响.并且清楚地表明饱和，正向积极，主动和反向截止区域.c)再一次素描出集电极电流(IC)以作为一个集电极－发射极电压函数(VCE)。这次所要考虑的是一个有限的输出电阻的影响，然后指出厄利电压(VA).MOSFETsd)画出一个N沟道MOSFET的结构。并指出在通道中反型层.e)假设为宜个理想晶体管，画出漏电流(ID)以作为一个漏源电压(VSD)的功能（函数）.显示该门源不同的电压值VGS所产生的影响。此外，清楚地表明，饱和度，欧姆（三极管）和截止区f)解释MOSFET设备的有限输出电阻的起源