方形扁平无引线QFN封装的研究及展望

1“半导体技术”2007年第32卷第3期技术论文“摘要”趋势与展望P185-方形扁平无引线QFN封装的研究及展望P188-光纤光栅传感解调系统的研究进展P193-微晶硅NIP太阳电池P197-毫米波CMOS集成电路的现状与趋势技术专栏(半导体先进的加工设备)P202-利用WinSock实现半导体封装设备的通信P205-故障树分析法在半导体设备故障诊断中的应用现代管理P208-看板在晶圆厂清洗-炉管间的派工应用及仿真器件制造与应用P213-钝化边沿的制作及其对GaInP/GaAsSHBT性能的影响P217-90nmNMOS器件TDDB击穿特性研究P220-新型双区阴极结构体效应二极管P223-高稳定宽光谱掺铒光纤光源P226-AlGaN/GaNHEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究工艺技术与材料P230-调制掺杂对AlGaN/GaNHEMT材料电学性能的影响P234-(Bi,Yb)4Ti3O12薄膜退火研究P238-一种新颖的光罩可制造性规则检查方法与系统集成电路设计与开发P241-数字水印技术在软IP核保护中的应用P245-基于MarchC-算法的SRAMBIST电路的设计P248-基于FPGA的CPCI和LVDS接口技术及应用封装、测试与设备P252-半导体器件的贮存寿命P255-发光二极管失效分析P259-表面贴装元件识别的一种亚像素边缘检测方法P263-基于分水岭的分割算法在无损检测中的应用P267-喷射布胶胶液累积体积及其平均流速数值模拟2趋势与展望方形扁平无引线QFN封装的研究及展望陈建明，翁加林，陈学峰，吾玉珍（苏州固锝电子股份有限公司，江苏苏州２１５０１１）摘要：方形扁平无引线（QFN）封装是方形扁平封装（QFP）和球栅阵列（BGA）封装相结合发展起来的先进封装形式，是SMT技术中产品体积进一步小型化的换代产品。讨论了QFN技术的改进及工艺自动化发展进程，指出其必将成为半导体器件高端主流封装形式之一。光纤光栅传感解调系统的研究进展王宏亮，张晶，乔学光，贾振安，王瑜，马超（西安石油大学陕西省光电传感测井重点实验室，西安７１００６５）摘要：光纤光栅传感以其强大的优越性受到了社会的广泛关注，波长编码信号解调是实现光纤光栅多参量、多点分布式传感网络的关键技术。综述了光纤光栅传感信号解调技术的研究进展，对几种较成熟的解调方法的工作机理、特点和性能作了重点分析，分别给出了典型的实验原理图，并对其应用前景作了展望。微晶硅NIP太阳电池俞远高１，杨瑞霞１，侯国付２，薛俊明２（１.河北工业大学信息工程学院，天津３００１３０；２.南开大学光电子薄膜技术与器件研究所，天津３０００７１）摘要：微晶硅NIP太阳电池具有许多优点，如用于制备柔性太阳电池可极大地扩展太阳电池的应用空间，保护窗口层免受等离子轰击以保持其性能，以及扩大窗口层的光学带隙提高太阳电池的开路电压和短路电流等。综合介绍了微晶硅NIP太阳电池的基本原理、研究现状、存在的问题并展望其发展前景。毫米波CMOS集成电路的现状与趋势夏立诚，王文骐，祝远渊（上海大学通信与信息工程学院，上海２０００７２）3摘要：随着深亚微米和纳米CMOS工艺的成熟，设计和实现低成本的毫米波CMOS集成电路已成为可能。简述了毫米波CMOS技术的发展现状，介绍了毫米波CMOS集成电路的关键技术，即晶体管建模和传输线建模，并给出了毫米波CMOS电路的最新进展和发展趋势。技术专栏(半导体先进的加工设备)利用WinSock实现半导体封装设备的通信徐震１，王晓初１，何永基２，易理告１（１.广东工业大学机电工程学院，广州５１００９０；２.艾逖恩控股有限公司，广东深圳５１８００１）摘要：Socket接口是TCP/IP的API,TCP/IP网络中的应用程序，是通过Socket实现的。WinSock是一套开放的、支持多种协议的Windows下的网络编程接口。介绍了利用WinSock进行网络编程的一般方法，并在此基础上解决了半导体封装设备使用TCP/IP协议进行网络实时通信的问题，实现了在服务器和客户机两端准确方便地实时发收文件和互相通信，并测试了发收不同大小文件所消耗的平均时间。故障树分析法在半导体设备故障诊断中的应用姚刚（中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄０５００５１）摘要：介绍了故障树分析法的原理。以反应离子刻蚀（RIE）设备的典型故障为例，建立故障树，通过求解最小实际故障来进行定性分析。尝试扩展故障树在故障判断和改进真空系统可靠性方面的应用，得出几个有针对性的结论。该方法能提高故障诊断的效率和准确性。现代管理看板在晶圆厂清洗-炉管间的派工应用及仿真彭佳，钱省三（上海理工大学工业工程研究所／微电子发展研究中心，上海２０００９３）摘要：看板是实现拉式派工的有效工具，它可以用于晶圆制造厂清洗区和炉管区之间的动态派工。用Extend仿真建模软件建立了有“重入特性”4的晶圆厂仿真模型。通过晶圆厂仿真模型进行模拟，结果显示看板可以解决晶圆生产在清洗工艺后存在违反“等待时间限制”的情况，可以显著提高炉管设备的利用率，并且明显降低产品的生产周期时间。器件制造与应用钝化边沿的制作及其对GaInP/GaAsSHBT性能的影响杜鹏搏１，２，蔡克理２，蔡树军２（１.武汉大学物理科学与技术学院，武汉４３００７２；２.中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄０５００５１）摘要：利用光刻胶形成保护侧墙，用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单，不需要额外的绝缘介质作为掩膜，也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP/GaAs单异质结双极型晶体管（SHBT），并对不同尺寸有无钝化边沿的器件特性进行对比，结果表明钝化边沿能有效改善小尺寸器件的直流特性，对器件的高频特性无明显影响。90nmNMOS器件TDDB击穿特性研究周鹏举，马晓华，曹艳荣，郝跃（西安电子科技大学微电子学院，西安７１００７１）摘要：采用恒定电压应力对90nmNMOS器件进行了TDDB击穿的评价实验，深入研究了90nm情况下TDDB的击穿机理，并对器件寿命进行预测和分析。结果表明，随着栅厚的不断减薄，E和1/E寿命预测模型不再适用。本文提出了一个器件寿命的修正模型，并按此模型对NMOS器件寿命进行预测，结果和实际值取得了很好的一致。新型双区阴极结构体效应二极管张晓（南京电子器件研究所，南京２１００１６）摘要：常规的GaAs体效应二极管的阴极结构多采用欧姆阴极，在毫米波频段（W波段），器件的转换效率小于1%。介绍了一种新型的双区阴极结构在Ｗ波段体效应二极管中的实现，并研制出了样品器件。采用此5种结构，可以显著提高毫米波器件的输出功率和转换效率。高稳定宽光谱掺铒光纤光源魏爱新，李旭辉，汤炜（河北半导体所，石家庄０５００５１）摘要：介绍了掺铒光纤光源的工作原理以及在小体积情况下制作EDFS时，铒纤长度的优化，提高输出光谱的平坦度，提高平均波长稳定度的方法。最后给出了实验样品的测试结果。AlGaN/GaNHEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究严地，罗谦，卢盛辉，靳羽中，罗大为，周伟，杨谟华（电子科技大学微电子学与固体电子学学院，成都６１００５４）摘要：通过计算沟道电场的分布，研究了受主陷阱对AlGaN/GaNHEMT器件击穿特性的影响。研究发现，有受主陷阱的条件下，漏端出现电场峰值，栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0V,Vd=60V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时，栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%。受陷阱电荷影响，当击穿电压大于某个电压时，漏端电场峰值超过栅端电场峰值，此时，击穿发生在漏端。该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法。工艺技术与材料调制掺杂对AlGaN/GaNHEMT材料电学性能的影响许敏１，２，袁凤坡１，陈国鹰２，李冬梅２，尹甲运１，冯志宏１（１.中国电子科技集团公司第十三研究所宽禁带重点实验室，石家庄０５００５１；２.河北工业大学信息工程学院，天津３００１３０）摘要：利用范德堡Hall方法和汞探针CV方法，研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaNHEMT材料电学性质的影响。发现Si掺杂可以改善材料电学性能，二维电子气（2DEG）面密度和方块电阻（ns×μ）可以通过Si调制掺杂精确控制。当Si掺杂浓度为3×1018cm-3时，得到了最低的方块电阻360Ω/□。尽管受到高浓度电子和离化杂质对二维电子气的散射影响，迁移率仍可达1220cm2/(V·s)。分析了范德堡Hall方法和汞探针CV方法的差别，同时测得材料的阈值电压也在合理范围。6(Bi,Yb)4Ti3O12薄膜退火研究成传品，唐明华，叶志，周益春，郑学军（湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及其应用技术教育部重点实验室，湖南湘潭411105）摘要：采用溶胶凝胶旋涂法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉积出(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Yb0.6Ti3O12,BYT]铁电薄膜。系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能（剩余极化强度）的影响。揭示了退火温度对BYT薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能有着明显的影响，给出了最佳退火温度为700℃左右。一种新颖的光罩可制造性规则检查方法与系统李峥１，２，程秀兰１，黄荣瑞２（１.上海交通大学微电子学院，上海２０００３０；２．中芯国际集成电路制造有限公司光罩厂，上海２０１２０３）摘要：介绍了一种较为先进的光罩可制造性规则检查的方法及其系统构成。实验结果表明，通过整合各种EDA工具，在光罩检验前就可发现这些可能给光罩检验造成困难的图形，为后续光罩检验步骤提供参考，显著提高了光罩检验的效率。集成电路设计与开发数字水印技术在软IP核保护中的应用王玮，王福源（郑州大学信息工程学院，郑州４５００５２）摘要：电路软核因费用较低和使用灵活而得到越来越多的应用，但目前的大部分加密方式不适合软核。介绍了一种适用于软IP核设计开始时采用的数字水印嵌入方法，并以4-2编码器为例说明数字水印嵌入软核的方法，并对水印化后电路的性能和开销进行了分析和实验。基于MarchC-算法的SRAMBIST电路的设计须自明１，苏彦鹏１，于宗光１，２（１.江南大学信息工程学院，江苏无锡，２１４０００；２.中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡，２１４０３５）7摘要：针对某SOC中嵌入的8KSRAM模块，讨论了基于MarchC-算法的BIST电路的设计。根据SRAM的故障模型和测试算法的故障覆盖率，研究了测试算法的选择、数据背景的产生，并完成了基于MarchC-算法的BIST电路的设计。实验证明，该算法的BIST实现能大幅提高故障覆盖率。基于FPGA的CPCI和LVDS接口技术及应用王晓君１，宇文英２，罗跃东１（１.北京理工大学电子工程系，北京１０００８３；２.中国网通（集团）有限公司石家庄市分公司，石家庄０５００１１）摘要：CPCI总线为不同应用的高速数字系统提供了一个通用、开放的平台，它充分发挥了PCI总线的高性能、低成本、通用操作系统等特点，而LVDS接口技术无疑也将成为解决高速数字系统数据传输的首选方案。提出了一种基于FPGA实现CPCI总线接口与LVDS接口的新方法，CPCI总线与自定义LVDS接口相结合，在不降低系统通用性的前提下，提高了系统实时并行处理能力。由于所有接口均由FPGA来实现，因此提高了系统的可重构性。封装、测试与设备半导体器件的贮存寿命张瑞霞，徐立生，高兆丰（中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄０５００５１）摘要：从失效机理出发，探讨了半导体器件的贮存寿命，提供了三种美国军用半导体器件长期贮存的实例。介绍了俄罗斯的规范，建议对超期复验中的有效贮存期作必要的修订。发光二极管失效分析蔡伟智（厦门三安电子有限公司，福建厦门３６１００９）摘要：基于发光二极管（LED）所具有的特点，系统地总结出一套发光二极管失效分析方法，并给出了几个典型失效分析案例，简要阐述了失效分析过程中的注意事项。通过失效分析，进一步优化和改善了LED的制造技术，达到提高质