无机材料科学基础试卷3

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无机材料科学基础试卷三一、名词解释(20分)(8*2.5分)空间群、无规则网络假说、反型尖晶石、网络形成剂、液相独立析晶、非本征扩散、一级相变、固相烧结空间群:空间群:指在一个晶体结构中所存在的一切对称要素的集合。它由两部分组成,一是平移轴的集合(也就是平移群),另外是除平移轴之外的所有其他对称要素的集合(与对称型相对应)。无规则网络假说:凡是成为玻璃态的物质和相应的晶体结构一样,也是由一个三度空间网络所构成。这种网络是由离子多面体(三角体或四面体)构筑起来的。晶体结构网是由多面体无数次有规律重复构成,而玻璃中结构多面体的重复没有规律性。反型尖晶石:二价阳离子分布在八面体空隙中,三价阳离子一半在四面体空隙中,另一半在八面体空隙中的尖晶石。网络形成剂:这类氧化物单键强度大于335KJ/mol,其正离子为网络形成离子,可单独形成玻璃。网络形成剂:这类氧化物单键强度大于335KJ/mol,其正离子为网络形成离子,可单独形成玻璃。液相独立析晶:是在转熔过程中发生的,由于冷却速度较快,被回收的晶相有可能会被新析出的固相包裹起来,使转熔过程不能继续进行,从而使液相进行另一个单独的析晶过程,就是液相独立析晶。非本征扩散:空位来源于掺杂而引起的质点迁移。一级相变:体系由一相变为另一相时,如两相的化学势相等但化学势的一级偏微商(一级导数)不相等的称为一级相变固相烧结:固态粉末在适当的温度、压力、气氛和时间条件下,通过物质与气孔之间的传质,变为坚硬、致密烧结体的过程。二、问答题(70分)1、简述硅酸盐晶体结构分类的原则和各类结构中硅氧四面体的形状。(9分)答:硅酸盐晶体结构分类的原则:结构中硅氧四面体的连接方式。(1.5分)各类结构中硅氧四面体的形状:岛状结构:四面体;组群状结构;(1.5分)双四面体、三节环、四节环和六节环;(1.5分)链状结构:单链、双链;(1.5分)层状结构:平面层;(1.5分)架状结构:三维空间延伸的骨架。(1.5分)2、试述B2O3中加入Na2O后,结构发生的变化,解释硼酸盐玻璃的硼反常现象?(7分)答、B2O3中加入Na2O后,Na2O所提供的氧使[BO3]三角体变成[BO4]四面体,导致B2O3玻璃结构由两度空间的层状结构部分转变为三维的架状结构,从而加强了网络,并使玻璃的各种物理性质变好,这与相同条件下的硅酸盐玻璃相比,其性质随R2O或RO加入量的变化规律相反,出现硼酸盐玻璃的硼反常现象。(7分)3、用KCl和CaCl2分别稀释同一种黏土泥浆,当电解质加入量相同时,试比较两种泥浆下列性质的差异。(6分)(1)泥浆的流动性(2)泥浆的触变性(3)泥浆的可塑性(4)坯体的致密度(5)黏土的ζ电位(6)泥浆的稳定性(1)泥浆的流动性KClCaCl2(1分)(2)泥浆的触变性KClCaCl2(1分)(3)泥浆的可塑性KCllCaCl2(1分)(4)坯体的致密度KClCaCl2(1分)(5)黏土的ζ电位KCllNCaCl2(1分)(6)泥浆的稳定性KClCaCl2(1分)4、二次再结晶与晶粒生长有何异同?生产中避免二次再结晶的方法有哪些?(7分)答:相同点:(1)两者推动力均为界面两侧质点的吉布斯自由能之差;(2)进行方式都是通过界面迁移。(2分)不同点:(1)前者是个别晶粒异常生长,后者是晶粒尺寸均匀生长;(2)前者气孔被包裹到晶粒内部,后者气孔维持在晶界交汇处。(2分)生产中避免二次再结晶的方法有:(1)合理选择原料的细度,提高粉料粒度的均匀性;(2)控制温度;(3)引入添加剂。(3分)5、在硅酸盐晶体结构中,[SiO4]四面体或孤立存在,或共顶连接,而不共棱,更不共面,解释之。(6分)答:在硅酸盐晶体结构中,[SiO4]四面体中的Si4+是高电价低配位的阳离子,以共棱、共面方式存在时,两个中心阳离子(Si4+)间距离较近、排斥力较大,所以不稳定,而孤立存在,或共顶连接。(6分)6、MoO3和CaCO3反应时,反应机理受到CaCO3颗粒大小的影响。当MoO3:CaCO3=1:1,MoO3的粒径r1为0.036mm,CaCO3的粒径r2为0.13mm时,反应是扩散控制的;而当CaCO3:MoO3=15:1,r2<0.03mm时,反应由升华控制,试解释这种现象。(7分)答:当MoO3的粒径r1为0.036mm,CaCO3的粒径r2为0.13mm时,CaCO3颗粒大于MoO3,由于产物层较厚,扩散阻力较大,反应由扩散控制,反应速率随着CaCO3颗粒度减小而加速,(3.5分)当r2r1时存在过量CaCO3,,反应由MoO3粒径升华控制,并随着MoO3粒径减小而加剧。(3.5分)7、用图例说明过冷度对核化、晶化速率和晶粒尺寸等的影响,如无析晶区又要使其析晶应采取什么措施?要使自发析晶能力大的熔体形成玻璃应采取什么措施?(8分)答:过冷度过大或过小对成核与生长速率均不利,只有在一定过冷度下才能有最大成核和生长速率,如下图。(4分)若ΔT大,控制在成核率较大处析晶,易得晶粒多而尺寸小的细晶;(1分)若ΔT小,控制在生长速率较大处析晶则容易获得晶粒少而尺寸大的粗晶;(1分)如果成核与生长两曲线完全分开而不重叠,则无析晶区,该熔体易形成玻璃而不易析晶;若要使其在一定过冷度下析晶,一般采用移动成核曲线的位置,使它向生长曲线靠拢。可以用加人适当的核化剂,使成核位垒降低,用非均匀成核代替均匀成核。使两曲线重叠而容易析晶。(1分)要使自发析晶能力大的熔体形成玻璃,采取增加冷却速度以迅速越过析晶区的方法,使熔体来不及析晶而玻璃化。(1分)8、下图为CaO-A12O3-SiO2系统的富钙部分相图,对于硅酸盐水泥的生产有一定的参考价值。试:(1)画出有意义的付三角形;(2)用单、双箭头表示界线的性质;(3)说明F、H、K三个化合物的性质和写出各点的相平衡式;(4)分析M#熔体的冷却平衡结晶过程并写出相变式;(5)并说明硅酸盐水泥熟料落在小圆圈内的理由;(6)为何在缓慢冷却到无变量点K(1455℃)时再要急剧冷却到室温?(20分)解:1、如图所示;(1.5分)2、如图所示;(4分)3、F点低共熔点,LF→C3A+C12A7+C2S(1.5分)H点单转熔点,LH+CaO→C3A+C3S(1.5分)K点单转熔点,LK+C3S→C3A+C2S(1.5分)4、M点:L→C2SL→C2S+C3SL+C2S→C3S液:M---→a--------→y---------→K始(LK+C3S→C2S+C3A)→K终f=2f=1f=1f=0C2SC2S+C3SC2S+C3SC2S+C3S+C3A固:D---→D----→b----→d---------→M(4分)5、因为硅酸盐水泥熟料中三个主要矿物是C3S、C2S、C3A。根据三角形规则,只有当组成点落在C3S-C2S-C3A付三角形中,烧成以后才能得到这三种矿物。从早期强度和后期强度、水化速度、矿物的形成条件等因素考虑,水泥熟料C3S的含量应当最高,C2S次之,C3A最少。根据杠杆规则,水泥熟料的组成点应当位于C3S-C2S-C3A付三角形中小圆圈内。(3分)6、因为缓慢冷却到K点,可以通过转熔反应L+C2S→C3S得到尽可能多的C3S。到达K点后,急剧冷却到室温,可以(1)防止C3S含量降低,因为K点的转熔反应LK+C3S→C2S+C3A;(2)使C2S生成水硬性的β-C2S,而不是非水硬性的γ-C2S;(3)液相成为玻璃相,可以提高熟料的易磨性。(3分)三、计算题(10分)在CaF2晶体中,肖特基缺陷的生成能为5.5ev,计算在1600℃时热缺陷的浓度。如果CaF2晶体中,含有百万分之一的YF3杂质,则在1600℃时CaF2晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?(玻尔兹曼常数k=1.38×10-23、电子的电荷e=1.602×10-19)解:因为n/N=exp(-∆Gf/2kT)∆Gf=5.5×1.602×10-19=8.817×10-19JT=1600+273=1873K所以n/N=exp(-8.817×10-19/2×1.38×10-23×1873)=exp(-17.056)=3.9×10-8(5分)在CaF2晶体中,含有百万分之一的YF3杂质,缺陷方程如下:FiCaCaFFFYYF2'32此时产生的缺陷为'iF,]['iF=10-6大于热缺陷浓度3.9×10-8,故在1873K时杂质缺陷占优势或FCaCaCaFFVYYF622''32此时产生的缺陷为''CaV,][''CaV=5.5×10-7大于热缺陷浓度3.9×10-8,故在1873K时杂质缺陷占优势(5分)

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