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2影响置换型固溶体和间隙型固溶体形成的因素有哪些？解：影响形成置换型固溶体影响因素：（1）离子尺寸：15%规律：1.（R1-R2）/R115%不连续。2.15%连续。3.40%不能形成固熔体。（2）离子价：电价相同，形成连续固熔体。（3）晶体结构因素：基质，杂质结构相同，形成连续固熔体。（4）场强因素。（5）电负性：差值小，形成固熔体。差值大形成化合物。影响形成间隙型固溶体影响因素：（1）杂质质点大小：即添加的原子愈小，易形成固溶体，反之亦然。（2）晶体（基质）结构：离子尺寸是与晶体结构的关系密切相关的，在一定程度上来说，结构中间隙的大小起了决定性的作用。一般晶体中空隙愈大，结构愈疏松，易形成固溶体。（3）电价因素：外来杂质原子进人间隙时，必然引起晶体结构中电价的不平衡，这时可以通过生成空位，产生部分取代或离子的价态变化来保持电价平衡。3试分析形成固溶体后对晶体性质的影响。解：影响有：（1）稳定晶格，阻止某些晶型转变的发生；（2）活化晶格，形成固溶体后，晶格结构有一定畸变，处于高能量的活化状态，有利于进行化学反应；（3）固溶强化，溶质原子的溶入，使固溶体的强度、硬度升高；（4）形成固溶体后对材料物理性质的影响：固溶体的电学、热学、磁学等物理性质也随成分而连续变化，但一般都不是线性关系。固溶体的强度与硬度往往高于各组元，而塑性则较低4叙述形成连续置换型固溶体的条件。比较固溶体、混合物和化合物。解：条件：a结构类型相同；b=×100%=13.9%15%；5说明为什么只有置换型固溶体的两个组分之间才能相互完全溶解，而填隙型固溶体则不能。解：（1）晶体中间隙位置是有限的，容纳杂质质点能力10%；（2）间隙式固溶体的生成，一般都使晶格常数增大，增加到一定的程度，使晶格变得不稳定而离解；置换固溶体形成是同号离子交换位置，不会对接产生影响，所以可形成连续固溶体。6YF3加入到CaF2中形成固溶体，解：形成间隙型固溶体7玻璃的通性有哪些？解：（1）各向同性；（2）介稳性；（3）由熔融态转变为固体玻璃的过程是渐变的、连续的、可逆的，在一定的温度范围内完成，无固定熔点，其物理化学性质的变化也是渐变的、连续的、可逆的；（4）玻璃的成份在一定范围内可以连续变化，与此相应的性质也随之发生连续变化，因此带来了玻璃性质的加和性。加和性法则：玻璃的性质随成分含量加和性的变化，即成分含量越高，对玻璃性质的影响贡献越大。8影响玻璃形成过程中的动力学因素是什么？结晶化学因素是什么？试简要叙述之。解：影响玻璃形成的关键是熔体的冷却速率，熔体是析晶还是形成玻璃与过冷度、粘度、成核速率、晶体生长速率有关。玻璃形成的结晶化学因素有：复合阴离子团大小与排列方式，键强，键型。9试分析在硅酸盐熔体中,加入—价碱金属氧化物熔体粘度的变化？为什么？解：通常碱金属氧化物（Li2O、Na2O、K2O、Rb2O、Cs2O）能降低熔体粘度。这些正离子由于电荷少、半径大、和O2－的作用力较小，提供了系统中的“自由氧”而使O/Si比值增加，导致原来硅氧负离子团解聚成较简单的结构单位，因而使活化能减低、粘度变小。10试简述淬火玻璃与退火玻璃在结构与性能上有何差异？解：消除和均衡由温度梯度产生的内应力的玻璃为退火玻璃，这类玻璃不易碎裂且切割方便。淬火处理是将制品加热至接近其软化温度，使玻璃完全退火，然后进行迅速冷却(淬火处理)。因此产生均匀的内应力，从而使玻璃表面产生预加压应力，增加了抗弯、抗冲击的抗扭曲变形的能力。12简述粘土产生荷电的主要原因。解:a同晶取代结果：使解理面带负电b由破键引起的边棱带电c电离作用带电固体表面与水分子作用发生电离SiO2＋H2O→H2SiO3在碱性介质中使胶粒表面带负电，在酸性介质中使胶粒表面带正电。d表面吸附带电。粘土的正电荷和负电荷的代数和就是粘土的净电荷。由于粘土的负电荷一般都大于正电荷，因此粘土是带负电荷的。13试解析离子晶体中的D阴离子＜D阳离子的原因。解：离子晶体一般为阴离子作密堆积，阳离子填充在四面体或八面体空隙中,所以阳离子较易扩散。如果阴离子进行扩散，则要改变晶体堆积方式，拆散离子晶体的结构骨架，阻力就会较大。故离子晶体中，阴离子扩散系数－般都小于阳离子扩散系数。14若要合成镁铝尖晶石,可供选择的原料为MgCO3、Mg(OH)2、MgO、Al2O3·3H2O、γ-Al2O3、α-Al2O3。从提高反应速率的角度出发,选择什么原料较好？请说明理由。解：应选用MgCO3，Mg(OH)2和Al2O3·3H2O作原料较好。因为MgCO3，Mg(OH)2在反应中可以发生热分解，Al2O3·3H2O发生脱水反应和晶型转变，将获得具有较大比表面和晶格缺陷的初生态或无定形物质从而提高了反应活性，加剧了固相反应的进行。15烧结过程中,晶界遇到夹杂物时会出现几种情况？从实现致密化目的考虑,晶界应如何移动,怎样控制？解：晶粒正常长大时，如果晶界受到第二相杂质的阻碍，其移动可能出现三种情况。（1）晶界能量较小，晶界移动被杂质或气孔所阻挡，晶粒正常长大停止。（2）晶界具有一定的能量，晶界带动杂质或气孔继续移动，这时气孔利用晶界的快速通道排除，坯体不断致密。（3）晶界能量大，晶界越过杂质或气孔，把气孔包裹在晶粒内部。由于气孔脱离晶界，再不能利用晶界这样的快速通道排除，使烧结停止，致密度不再增加，这将出现二次再结晶现象。从实现致密化目的考虑，晶界应按第二种情况移动，控制晶界的能量以增加致密度。