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教师教案（2011—2012学年第一学期)课程名称：模拟电路基础授课学时：64学时授课班级：2010级光电2-4专业任课教师：钟建教师职称：副教授教师所在学院：光电信息学院电子科技大学教务处课程名称模拟电路与脉冲电路授课专业光电2-4专业班级2010级课程编号33000245修课人数137课程类型必修公共基础课()；学科基础课(√)；专业核心课()选修专业选修()；任选课（）；公选课(√)；理论课(√)；实践课()授课方式课堂讲授为主（√）；实验为主（）；自学为主（）；专题讨论为主（）；其他：是否采用多媒体授课√考核方式及成绩构成考试(√)考查()成绩构成及比例：综合及平时20%+半期20%+期末60%是否采用双语教学否学时分配讲授48学时；实验学时；上机学时；习题学时；课程设计16学时教材名称作者出版社及出版时间模拟电路分析与设计基础吴援明科学出版社2008年参考书目模拟电路分析与设计基础学习指导模拟电子技术基础习题解答模拟电路分析与设计基础习题解答《FundamentalsofAnalogCircuits》（2ndEdition）《ElectronicCircuitAnalysis&Design》吴援明华成英吴援明ThomasL.FloydDonald.A.Neamen科学出版社2007年高等教育出版社2009年科学出版社2008年高等教育出版社，2004年清华大学出版社，2007年授课时间第1周——第17周第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学时)一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等）1.1半导体材料及其特性：理解并掌握本征半导体与杂质半导体（P型与N型）的导电原理，本征激发与复合、多子与少子、漂移电流与扩散电流的区别；理解并掌握PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN结的单向导电特性与电容效应。（2学时）1.2PN结原理：PN结的形成：耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。（2学时）1.3晶体二极管及应用：理解并掌握二极管单向导电原理及二极管伏安特性方程；理解二极管特性随温度变化的机理；理解并掌握二极管的四种等效电路及选用原则与区别；理解并掌握二极管主要参数；了解不同种类二极管区别（原理），了解硅管与锗管的区别；理解稳压二极管的工作原理。（4学时）二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等）重点：半导体材料及导电特性，PN结原理，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性。难点：晶体二极管及应用，PN结的反向击穿及应用。三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思）重点讲解二极管的单向导电性，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻。反向击穿应用：设计基本稳压管及电路。四、作业1.3，1.4，1.6，1.7，1.9五、参考资料（应列出学生学习的参考书目，可根据课程自身的特点选择是否填写或者是否每章都填写）EngineeringCircuitAnalysis，WilliamH.Hayt,Jr.，JackE.Kemmerly，StevenM.Durbin(英文原版)电子工业出版社，2002年6月引进。FundamentalsofElectricCircuits，CharlesK.Alexander，MatthewN.O.Sadiku，(英文原版)清华大学出版社，2000年12月引进。华成英，《模拟电子技术基础（第四版）习题解答》，高等教育出版社.，2007。ThomasL.Floyd，DavidBuchla，《FundamentalsofAnalogCircuits》（2ndEdition），《模拟电子技术基础》（第2版），高等教育出版社影印本，2004。Donald.A.Neamen，《ElectronicCircuitAnalysis&Design》（2ndEdition）,《电子电路分析与设计》（第3版），清华大学出版社影印本，2007。六、教学后记（教学后记的内容包括教学计划的执行情况,效果如何,有什么经验教训,原因是什么,应如何改进等等；应该在该章（节）教学活动结束后填写）通过本章的学习让学生对模拟电路的基本概念和基本变量有了一定了解，并掌握半导体材料及导电特性，晶体二极管及应用，这是学习全书的基础。从课堂效果和作业的情况来看学生掌握情况较好。第2章双极型晶体三极管(讲授4学时)一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等）本章主要介绍双极型晶体三极管（BJT）的原理、曲线、参数及模型。具体内容如下：2－1BJT原理（2学时）NPN和PNP管，放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置的外电流关系（掌握传输方程，,β￣,ICBO,ICEO的概念），放大偏置时的vBE、vCE作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应），BJT的截止与饱和状态。2－2BJT静态特性曲线（2学时）共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。2－3BJT主要参数（1学时）,β￣,α,β,ICBO,ICEO,ICM,PCM,BVCEO和fT的含义；2－4BJT小信号模型（1学时）会画完整模型和了解模型参数的物理含义；重点掌握两种简化模型（gm参数和β参数模型）及其模型参数的求解式。二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等）重点：BJT原理，共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点，BJT主要参数。难点：BJT小信号模型。三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思）重点讲解三极管输入、输出、特性曲线，并设计实验进行测试。实际电路模型入手进行较详细的分析。四、作业2-1，2-5，2-7，2-8，2-11，2-12五、参考资料（应列出学生学习的参考书目，可根据课程自身的特点选择是否填写或者是否每章都填写）EngineeringCircuitAnalysis，WilliamH.Hayt,Jr.，JackE.Kemmerly，StevenM.Durbin(英文原版)电子工业出版社，2002年6月引进。FundamentalsofElectricCircuits，CharlesK.Alexander，MatthewN.O.Sadiku，(英文原版)清华大学出版社，2000年12月引进。华成英，《模拟电子技术基础（第四版）习题解答》，高等教育出版社.，2007。ThomasL.Floyd，DavidBuchla，《FundamentalsofAnalogCircuits》（2ndEdition），《模拟电子技术基础》（第2版），高等教育出版社影印本，2004。Donald.A.Neamen，《ElectronicCircuitAnalysis&Design》（2ndEdition）,《电子电路分析与设计》（第3版），清华大学出版社影印本，2007。六、教学后记（教学后记的内容包括教学计划的执行情况,效果如何,有什么经验教训,原因是什么,应如何改进等等；应该在该章（节）教学活动结束后填写）本章通过双极型晶体三极管（BJT）的原理、曲线、参数及模型的分析，学生对基本放大电路已经有了一定的认识。第三章晶体管放大器基础(讲授8学时+综合训练4学时)一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等）前面已经学习了常用的放大电路基本元件。本章介绍几种基本放大电路，以便进一步了解放大电路的基本性质。具体内容如下：3－1实用放大电路工作原理（2学时）信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容与旁路电容，直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程。3－2BJT偏置电路（1学时）掌握工作点的估算，基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。3－3BJT基本放大组态技术指标分析（4学时）小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻。CE、CC、CB放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）。交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对CE放大器）。3－4多级放大电路（1学时）级间耦合方式，直流放大器的特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算。二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等）重点：实用放大电路工作原理；BJT偏置电路；BJT三种基本放大组态技术指标分析。难点：BJT基本放大组态技术指标分析；多级放大电路。三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思）重点讲解放大电路的动态分析，放大电路构成原理，以实际电路的直流、交流模型入手进行系统的分析。四、作业3-1，3-3，3-5，3-6，3-7，3-8，3-10,3-11五、参考资料（应列出学生学习的参考书目，可根据课程自身的特点选择是否填写或者是否每章都填写）EngineeringCircuitAnalysis，WilliamH.Hayt,Jr.，JackE.Kemmerly，StevenM.Durbin(英文原版)电子工业出版社，2002年6月引进。FundamentalsofElectricCircuits，CharlesK.Alexander，MatthewN.O.Sadiku，(英文原版)清华大学出版社，2000年12月引进。华成英，《模拟电子技术基础（第四版）习题解答》，高等教育出版社.，2007。ThomasL.Floyd，DavidBuchla，《FundamentalsofAnalogCircuits》（2ndEdition），《模拟电子技术基础》（第2版），高等教育出版社影印本，2004。Donald.A.Neamen，《ElectronicCircuitAnalysis&Design》（2ndEdition）,《电子电路分析与设计》（第3版），清华大学出版社影印本，2007。六、教学后记（教学后记的内容包括教学计划的执行情况,效果如何,有什么经验教训,原因是什么,应如何改进等等；应该在该章（节）教学活动结束后填写）通过本章的学习放大电路的动态分析，放大电路构成原理，直接耦合多级放大器读图，能分析放大电路，以实际电路模型入手进行较详细的分析，从课堂效果和作业的情况来看学生掌握情况较好。第四章场效应管及基本放大电路(讲授6学时)一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等）本章教学任务是结型场效应管（JFET）和金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET），具体内容如下：4－1结型场效应管（JFET）（了解）了解FET的分类、电路符号，了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理，放大区的沟道状态及vGS和vOS此时对iD的影响4－2金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET）（2学时）以N沟道JFET为重点，了解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。4－3FET偏置电路（1学时）掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。4－4FET的交流参数和小信号模型（1学时）理解gm的含义及计算式，理解rds含义，完整模型和低频模型。4－5FET基本放大器分析（2学时）放大器电路、指标计算及特点（掌握）。二