目前流行的IGBT驱动模式

上海金脉电子科技有限公司ShanghaiG-PulseTechnologyCo,Ltd.文档名称华文中宋小五Page1of3V1.0目前IGBT驱动的主要方式IGBT驱动的隔离方法主要由光耦隔离和变压器隔离。目前主流的方案主要有驱动芯片隔离和驱动信号隔离，实现隔离的策略还是需要光耦和变压器。驱动电路简单，但是没有保护电路保护主要采用检测饱和压降和检测发射极电流的方法。在电机驱动应用上，基本都采用检测饱和压降来作为保护。安森美MC33153方案，芯片外部采用光耦隔离，用饱和压降检测实现短路和过流保护。上海金脉电子科技有限公司ShanghaiG-PulseTechnologyCo,Ltd.文档名称华文中宋小五Page2of3V1.0MC33153成熟应用方案HCPL-316J典型应用，芯片内部采用光耦隔离，整个驱动方案类似Infineon1ED芯片的使用，只是Infineon采用脉冲变压器隔离。上海金脉电子科技有限公司ShanghaiG-PulseTechnologyCo,Ltd.文档名称华文中宋小五Page3of3V1.0富士系列混合驱动IC典型应用：光耦隔离驱动芯片，检测饱和压降作为过流和短路保护。通过比较，使用Infineon驱动芯片的优点是：1、内部集成脉冲变压器，起到隔离作用；2、大的电流驱动能力，工作电压范围切合IGBT驱动要求，电路设计较简单；3、具有保护功能。