微机原理和汇编语言补考复习资料

第1页共5页微机原理和汇编语言补考复习资料题次一二三四五六七八总分统分人分数一、判断题：（共10分）1.动态内存的工作速度较慢，但功耗较低、集成度较高，因而常用于主存储器。()2.指令XORAL，OFFH的将AL的内容按位取反()3.ANDAL，OFH是将AL的低四位置1()4.数据传送指令MOV[BX],[SI]()5.指令XORAL，01H是将AL的最低位取反()6.指令ORAL，OFFH是将AL置全1()7.动态内存的工作速度较慢，但功耗较低、集成度较高，因而常用于主存储器。()8.静态内存的功耗较大、集成度较低，但工作速度较快，因而常用于主存储器。()9.动态刷新是指定期向存有“1”电荷的电容重新充电以补充电荷。()10.逻辑右移1位和算术右移1位结果都是一样()二、选择题：1．8086/8088中DS是（）寄存器A、标志寄存器B、代码段段地址寄存器C、数据段段地址寄存器.D、堆栈段寄存器2．存储容量的基本单位是（）A、位数B、字节数C、存储单元数D、字节数或存储单元数*位数.3．对于SRAM，容量为16KB的芯片需（）根地址线A、10B、12C、13D、14.4．和外存相比，主存的特点是（）A、容量大、速度快、成本低B、容量大、速度慢、成本高C、容量小、速度快、成本高.D、容量小、速度快、成本低5．在下列数据传送方式中，()属于主机与外设是串行工作方式的A、直接程序控制方式.B、程序中断方式C、直接存储器访问方式D、其它方式6．DMA方式常应用于()A、主机与外设并行工作方式B、进行实时处理和故障处理C、高速外存的数据块传送.D、低速外存的数据传送7．堆栈数据的操作原则是()A、先进先出B、后进后出C、先进后出.D、顺序进出8．8086/8088CPU中有()个段地址寄存器A、6B、4.C、8D、19．存储单元是指()A、存放一个二进制信息位的存储单元第2页共5页B、存放一个字节的所有存储单元集合.C、存放两上字节的所有存储单元集合D、存放一个机器字的所有存储单元集合10．十进制数-27的补码是()A、00011001B、10011011C、11100100D、11100101.11．反码10111010的真值是()A、+58B、-58.C、-69D、+6912．微机的内部只能存在着()进制数A、二.B、八C、十D、十六13．对软盘进行写保护，意味着对软盘的存取方式为()A、允许读写B、只读禁写.C、只写禁读D、禁止读写14．8086/8088中FR是（）寄存器A、标志寄存器.B、段地址寄存器C、指令指针寄存器D、数据寄存器15．在向量中断方式中，CPU在发出批准信号后，（）A、立即执行中断处理程序B、先执行中断原查询程序C、先通过软件判断优先级D、先从中断向量表获得中断处理程序入口地址.三、填空题1.存储系统通常由高速缓冲存储器、和外存储器三个层次构成。2.指令MOVAX，1000H中源操作数的寻址方式是方式。3.指令MOVAX，[BX]中源操作数的寻址方式是方式。4.指令MOVAX，［2000H］中源操作数的寻址方式是方式。5.构成MSAM汇编语言程序的三促语句是：，和。6.I/O接口按数据传送格式分可分为__________两类。7.中断的主要特点是__________和随机性。8.DMA方式主要特点是传送速度快、__________和更高的并行性。9.DMA方式一般用于__________批量数据传送。10.外总线也叫____________________________11.（255.625）10＝（）212.（10101.11）2＝（）1013.已知X＝0.1011001则[X]补＝（）14.已知X＝1011001则[X]补＝（）15.已知[X]原＝01011001则[X]补＝（）卷号A广州市轻工高级技工学校（电大轻工分校）2006/2007学年第二学期期末考试卷（答卷）第3页共5页考试科目：计算机组成原理与汇编语言程序(考试形式：半闭卷考试时间：90分钟试卷页数：共5页)班级学号姓名题次一二三四五六七八总分统分人分数一、判断题（每题1分,共10分）12345678910二、单项选择题（每小题2分，共计30分）123456789101112131415三、填空题（每题1分,共15分）1．2.3．4.5．6.7．8.9．10.11．12.13．14.15．四、简答题（每题分别是6，7，7分,共20分）1、半导体只读存储器的分类和名称第4页共5页2、静态存储器和动态存储器的的定义与区别3、总线按在系统中的作用划分为哪几类？五、逻辑分析设计（第一题10分，第二题15分，共计25分）1.设计一个容量为4K8位的半导体存储器，选用SRAM芯片2114（1K4）。地址总线为A15~A0，数据总线为D7~D0，读写信号线R/W。要求写出设计的全过程并画出电路图。第5页共5页2.设计一个容量为8K8位的半导体存储器，其中固化区为4K字节，选用EPROM芯片2716（2K8位）；工作区为4K字节，选用SRAM芯片2114（1K4）。地址总线为A15~A0，数据总线为D7~D0，读写信号线R/W。要求写出设计的全过程并画出电路图。