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一、单/多晶硅片性能对比1、单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面有显着差异。2、单晶和多晶的差别主要在于原材料的制备方面，单晶是直拉提升法，多晶是铸锭方法，后端制造工艺只有一些细微差别。二.单/多晶硅片晶体品质差异1、单晶硅片，是一种完整的晶格排列;单晶硅片的位错密度和金属杂质比多晶硅片小得多，各种因素综合作用使得单晶的少子寿命比多晶高出数十倍，从而表现出转换效率优势。2、多晶硅片，它是多个微小的单晶的组合，中间有大量的晶界，包含了很多的缺陷，它实际上是一个少子复合中心，因此降低了多晶电池的转换效率。3、单晶是一种完整的晶格排列，在同样的切片工艺条件下表面缺陷少于多晶；4、在电池制造环节，单晶电池的碎片率也小于1%的，通常情况下是0.8%左右。而多晶的晶体结构缺陷导致在电池制造环节的碎片率一般大于2%。三、单/多晶硅片电学性能差异单/多晶的少子寿命对比。各种实验数据显示，单晶的使用寿命明显要高于多晶的使用寿命；四、单/多晶硅片机械性能差异1、多晶硅片的最大弯曲位移比单晶硅片低1/4，因此在电池的生产和运输过程中更容易破碎；2、单晶在运输中的抗破坏性能比较好；3、单/多晶在长期的高低温交替过程中，多晶更容易发生隐裂；五.单/多晶硅片转换效率对比1、影响单/多晶转换效率主要是以下参数来决定的1.1Voc(开路电压)1.2Isc(短路电流)1.3FF(填充因子)1.4计算公式为：Eta=Voc×Isc×FF2、实验表明2.1单晶最高转换率为25%；2.2多晶最搞转换率为20.8%；【总结】1、单晶硅片比多晶硅片有更高的机械强度，更低的易碎率；2、单晶硅电池比多晶硅电池有更高的转换效率；3、25年的生命周期内，单晶硅电站的实际发电量比多晶硅电站的发电量多(大约6%)；4、在长期可靠性方面，单晶硅电站比多晶硅的衰减少3%左右；