实验1MOS管的基本特性

微电子电路实验报告第1页共3页实验一MOS管的基本特性班级姓名学号指导老师一、实验目的1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法；2、熟练掌握MOS管基本特性；二、实验内容及要求1、熟悉Hspice仿真工具；2、使用Hspice仿真MOS的输出特性，当VGs从0~5V变化，Vds分别从1V、2V、3V、4V和5V时的输出特性曲线；三、实验原理NMOS的特性：Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动）。（1）Vgs=0,没有导电沟道此时栅源短接，源区，衬底和漏区形成两个-gid背靠背的PN结，无论Vds的极性怎样，其中总有一个PN结是反偏的，所以d,s之间没有形成导电沟道，MOS管处于截止状态。（2）Vgs≥VGS(th），出现N沟道栅源之间加正向电压由栅极指向P型衬P衬底底的电场将靠近栅极下方的空穴向下排斥形成耗尽层。再增加Vgs→纵向电场。将P区少子（电子）聚集到P区表面。形成源漏极间的N型导电沟道。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。四、实验方法与步骤实验方法：计算机平台：（个人电脑虚拟机平台，windowsXP。）软件仿真平台：（在Hspui软件仿真平台上。）实验步骤：1、编写源代码，并以.sp文件扩展名存储文件。2、编译与调试。打开Hspice软件平台，选择打开nmos.sp文件。微电子电路实验报告第2页共3页3、软件仿真运行及验证。在编译成功后，点击Simulate开始仿真运行。点击Avanwaves，按照程序所述对比仿真结果。4、仿真平台各结果信息说明。五、实验仿真结果及其分析1、仿真过程1）源代码*SamplenetlistforGSMC.TEMP25.0000.optionabstol=1e-6reltol=1e-6postingold.lib'gd018.l'TT*---VoltageSources---vddVDD0dc=1.8vgsg00vdsd0dc=0.9vbsb0dc=0*---InverterSubcircuit---Mnmosdg0bNCHW=30UL=6U*---TransientAnalysis---.dcvds01.80.01SWEEPvgs01.80.2.printdcv(d)i(Mnmos).end2、仿真结果及分析1)仿真结果微电子电路实验报告第3页共3页2)仿真结果分析MOS管有三个工作区域：可变电阻区、恒流区及夹断区六、实验结论MOS管有三个工作区域：可变电阻区、恒流区及夹断区；i(D)与U(GS)的近似关系式：21)-U(GS)(th)u(GS)i(DO)(i(D)七、实验心得