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多功能晶体管测试仪使用说明V2.011201503011、功能介绍1.1、晶体管测试仪可以完全自动识别及测量三极管、场效应管、IGBT、二极管、双二极管、电阻、双电阻、电容、电感等，可测电容ESR(非在线测量)等功能。1.2、简易信号发生器(方波)：最高4MHz,频率可调非连续输出，如4M、2M、1M、....100K...1KHz等。单键调整输出稍麻烦一点，但可满足一般性使用。输出信号电压：4.5V串680欧电阻。本功能状态下不自动关机，也不能手动关机，1.3、A频率计：0-3.8Mhz，输入信号电压2.5-5V.，分辨率1Hz。可定制为7.6MHz高分辨率模式，0.1hz-130Khz分辨率0.001hz,100hz以下1-10秒，在测频状态下单击，屏幕上显示“Hi”，切换为高分辨率模式，超过130Khz自动切回正常模式。已校准过B高精度频率计，16Hz-100Mhz.，输入信号电压2.5-5V，分辨率16Hz。高分辨率模式，2hz-2.1Mhz分辨率0.02hz,1.6K以下1-10秒，在100M状态下单击，切换为高分辨率模式，屏幕上显示“Hi”，超过2.1M自动切回正常模式。已校准过C高精度频率计，1024Hz-2.4Ghz.，输入信号电压30mV，分辨率1024Hz。可用于对讲机发射频率测试。高分辨率模式，102hz-137Mhz分辨率1hz,100K以下1-10秒，在2.4G状态下单击，切换为高分辨率模式,屏幕上显示“Hi”，超过137M自动切回正常模式。由于易受干扰500K以下不能很好测量。非完全测试,2.4G没条件测试，500MHz测试ok。已校准过,2.4G灵敏度高，有时不接输入信号也会有输出，易受到干扰。信号输入线宜用屏蔽线。可自己DIY加个双掷开关切换2.4G和100M两档输入信号，并且双击切换档位，显示2.4G或100MABC为三选一功能1.4、可在线ESR:测量时接入13口，0.01-20欧，分辨率为0.01欧姆，且同时测量容量;精度不高但用来判断电容的好坏是没问题的。1.5、稳压二极管测量及附带电压表(由于有滤波电容，需有一定的延时)：最高50V。可选功能。1.6、高精度电感电容测量：电容（非电解）1pF-1uF，最小分辨率0.01pF，精度1%;电感1uH-100mH，最小分辨率0.001uH,精度1%;用LC谐振法测量会有零位飘移问题，目前已较为稳定，测量前先双击校零，尽快测量即可。和晶体管功能下电感电容测量互为补充。可自己DIY，在C16上并联一个0.1uf高品质电容，如CBB63V(250V)0.1uf，加一开关控制即可，电感量程能到100H。引线短些好，可以一试。此为降频测量。此状态下单击切为高分辨率模式，显示“Hi”，分辨率0.001H。可选功能。以上功能可菜单或快捷键选择，可设定开机功能。LCD12864中文图形显示。使用IC锁紧座，方便元件直插;贴片座最大能支持TO-252封装的元件。单键操作，按键灵活，单击、双击、多击、长按等。第一次使用功能切换可能会感到有些麻烦，多用几次习惯了就没问题。长按1秒出菜单。所配盒子的盖子是扣上的，可以抠开。可自动、手动关机，自动关机时间可设定（0-30分钟，0为不自动关机）USBA头5V电源接口直供及充电，标准版内置3.7V锂电池供电，带充电功能。显示电池电压，4.1-4.2V为充满，小于3.4V警告，小于3.0V关机。虽然锂电池最低可到2.4V，但是小于3V只有很少电量了。2、技术性能：2.1晶体管测试仪：电阻:0.1-50M欧姆,分辨率是0.1欧姆电容:25pf-100mF,分辨率1pF。电感:0.01mH-20H，电感电阻要小于2100欧姆，精度一般。1。采用ATmega328微控制器。2。LCD12864中文图形显示显示结果。3。一键操作，自动关闭电源。4。关断电流只有20nA，支持电池操作。5。支持自动关闭电源。1.10k版本软件。6。自动检测PNP和NPN型双极晶体管，N、P沟道MOSFET，JFET，IGBT,二极管，双二极管，晶闸管可控硅，电阻，电容，电感。中、大功率可控硅不能识别或识别错误（触发电流超过6mA的不能测）。7。自动检测引脚布局。8。测量双极型晶体管的电流放大系数β和发射结的阈值电压,ICE漏电流,。9。达林顿晶体管可以通过高阈值电压（1V）和高电流放大系数识别。但有内置电阻的β值偏小10。对双极型晶体管，MOSFET的保护二极管的检测及正向压降Uf。11。测量MOSFET的阈值电压Vt和栅极电容值C。管子的阈值电压大于4.5V的不能测。12。支持两个电阻的测量和符号显示，最高四位数字和单位显示。显示的电阻符号两端是连接的测试仪探针编号（1-3）。所以电位器也可以测量。如果电位器调整到它的一端，测试仪不能分辨中间和两端的引脚。13。电阻测量的分辨率是0.1欧姆，最高测量值50M欧姆。14。电容，可以被检测和测量一个电容器。最高四位数字和单位显示。25pf-10万uF。分辨率可达1pF。15。可以对于2UF数值以上的电容器的等效串联电阻（ESR）电容值测量。分辨率为0.01欧姆和显示两位数数值。此功能要求至少16K闪存ATMEGA（ATmega168或ATmega328）。16。可以对两个二极管显示正确方向的符号。此外，显示正向压降。17。LED检测为二极管，正向压降比正常高很多。双发光二极管检测为双二极管。18。齐纳二极管可以被检测到，如果反向击穿电压低于4.5V。这将显示为两个二极管，只能通过电压确定。探头围绕二极管的符号是相同的，在这种情况下，你可以通过700mV附近的阈值电压识别二极管真正的阳极！19。****这条每年明白，不翻了****如果超过3个二极管类零件检测，建立二极管数目显示另外失败的消息。这只会发生，如果二极管连接到所有的三探针和至少有一个是型二极管。在这种情况下，你应该只连接两个探针和启动测量再次，一个接一个。20。测量单个二极管反向的的电容值,结电容，反向电流Ir。双极型晶体管也还可以测量，如果你连接基极与集电极或发射极。21。只需要一次测量找出全桥的连接。22。数值低于25pf电容器通常检测不到，但可以与一个二极管并联或至少25pf电容器并联。在这种情况下，你必须减去并联电容值的部分。23。电感，可测量电阻低于2100欧姆的电感，0.01mH-20H，但精度不好。测量结果只显示单一元件连接。24。测试的时间是大约2秒钟，只有电容和电感测量会需要较长的时间。25。软件可以设定电源自动关闭的时间。26。内建自检功能与可选的50Hz信号检查的时钟频率准确性和等待调用（ATmega168和ATmega328）。27。可选设备校准端口输出的内阻和零失调自检能力的测量（ATmega168和ATmega328）。需要一个100nF到20uF电容连接到引脚1和引脚3之间补偿模拟比较器的失调电压。这可以减少40uF以上电容器的测量误差。用相同的电容器内部校正电压参考电压被发现调整内部参考测量ADC的增益。如果测试电流超过维持电流，可控硅和双向可控硅可以被检测到。但是一些半导体可控硅和双向可控硅比该测试仪能提供的电流更高的触发电流。可提供的测试电流仅约6mA！校准：将123短接，按键测量当出现？再按键时则进入校准，提示断开123端子时，取下短接线，按键继续，显示100nF时，接一个高品质的100nF到20uF电容连接到引脚1和3完成校准。需约1分钟的时间。已经校过了，可不用再校。2.2可在线ESR:测量时接入13口，0.01-20欧，分辨率为0.01欧姆，且同时测量容量;精度不高但用来判断电容的好坏是没问题的。有些高频电解的ESR比下表中的值低很多普通电解电容ESR(Ω)参考值VuF101625356315025015.004.006.0012.020.02.22.503.204.409.5018.04.76.003.002.504.006.00101.601.501.702.003.006.00223.000.902.001.201.001.803.50471.201.101.001.000.901.102.501000.700.900.500.500.500.501.002200.300.400.400.300.250.250.554700.160.200.250.200.200.200.3010000.100.100.100.050.050.1547000.060.050.050.050.0510K0.050.040.040.042.3、高精度电感电容表：用LC谐振法测量，频率最高达550Khz以上，电容1pF-1uF，最小分辨率0.01pF，精度1%。电感1uH-100mH，最小分辨率0.001uH,精度1%。全功能版本参数注意事项1、电容测量前先放电，防止带高压损坏测试仪。2、稳压二极管测量功能有50V高压输出，或测量电压时不要接错线引入其它端口损坏测试仪。测量时手要离开接线端子，以免被电麻。测量电压时也同样不要接错端口，并且极性不要接错，避免损坏测试仪。3、管脚太粗的管子，锁紧座手柄不要压到底，否则锁紧座孔会有些变形的，用手合适用力按住手柄就可以了。TO-220封装的没问题，更大封装的管子脚太粗。在贴片座上测量贴片元件时，可适当的按紧，手不要碰到电极，保证接触良好才可以。如测TO-252封装的元件，可以在贴片座最大的那一块上部上一点锡，凸出一点，容易接触。4、测量时电流小，电压低，不能代表被测元件的实际工作环境，测量结果是正确的不代表在实际工作条件下正常，如软损坏的场效应管。5、晶体管测试仪是有测试范围的，不是万能的，测试电流最大约6mA，电压最大约4.5V,所以触发电流超过6mA,,阈值开启电压超过4.5V的晶体管不能测。如中大功率可控硅，开启电压高的超大功率的MOS、IBGT管子等。有内电阻的三极管可能会显示成有电阻的二极管。5、如果长期放置不用，先充满电后在放置，可保护锂电池。3、操作说明单键操作，按键灵活，单击、双击、多击、长按等。连击时间隔时间要均匀，不要过长也不要过短，间隔小于0.3秒。单击：用适当的力快速按下后放开，停顿小0.3秒。初次使用可能感觉不习惯，请先做下面简单的练习，（按全功能版本）第一步：开机后是晶体管测试功能，这时按下按钮1秒后放开，长按的时间会显示在右上角，这是长按。第二步：如果按下1秒后有效，则屏幕显示“晶体管”，说明进入功能菜单选择第三步：单击按钮，如果显示改变为“电容”，说明单击正确，再次单击则显示“电感”，“频率输出”，“频率输入”、“ESR”，“稳压二极管测试”、“电压测试”、“晶体管”，依次循环显示。第四步：上面试过单击没问题后，这时双击就执行当前功能。单击，多击，长按多试几次，很快上手的，很简单的。注意在“频率输出”功能时，要3击以上退出到其它功能再做上面练习。长按时间显示在屏幕右上角。下面有详细操作说明，请仔细看下。3.1、最多有8种功能状态（全功能版本）及其状态下的操作：3.1.1、晶体管测试功能（含电阻、电容、电感）,小于4.5V的稳压二极管单击进行测量。注意测量前电容要先放电，防止带高压损坏仪器。3.1.2、高精度电感电容表：最高测试频率达550KHz以上，LC振荡法测量会有零位飘移问题，目前已较为稳定，测量前先双击校零，校零值越接近0.000越好，尽快测量即时读数就可，如有引出线校零时要保持位置不动，并且尽量分开，引线越短越好，总长度小于10cm为宜。电容校零时测量端子需开路，电感校零时测量端子需短路;接好元件测量后手要拿开否则有干扰。测试频率显示在测量值的上方。此功能是高频测量，晶体管功能下是低频测量，和晶体管功能下电感电容测量互为补充。电感在高低不同频率下测量，电感值可能相差很大，与磁芯有关，差值越小说明电感高频性能越好。DIY为100H量程后也是降频测量。保留三位小数，第三位小数仅供参考不代表精度。上电预热几分钟后更稳定些，本功能自动关机时间为设定时间的10倍。锁紧座端口放松和锁紧时会引起0值微小改变，所以pF、nH级等小值