大学物理A复习整合

建环1301TFP仅供参考1/12Ox-aay++大学物理A复习整合一、选择题3.电荷面密度均为＋的两块“无限大”均匀带电的平行平板如图放置，其周围空间各点电场强度E随位置坐标x变化的关系曲线为：(设场强方向向右为正、向左为负)［B］4.将一个试验电荷q0(正电荷)放在带有负电荷的大导体附近P点处(如图)，测得它所受的力为F．若考虑到电荷q0不是足够小，则［A］(A)F/q0比P点处原先的场强数值大．(B)F/q0比P点处原先的场强数值小．(C)F/q0等于P点处原先场强的数值．(D)F/q0与P点处原先场强的数值哪个大无法确定．6.一电场强度为E的均匀电场，E的方向沿x轴正向，如图所示．则通过图中一半径为R的半球面的电场强度通量为:[D]A、2REB、22/REC、22RED、07.如图所示，两个“无限长”的、半径分别为R1和R2的共轴圆柱面均匀带电，沿轴线方向单位长度上所带电荷分别为1和2，则在内圆柱面里面、距离轴线为r处的P点的电场强度大小E为：［D］(A)r0212．(B)20210122RR(C)1012R．(D)0．OE-a+a02/x(A)0/OE-a+ax(B)-0/0/OE-a+ax(D)0/OE-a+ax(C)0/－P+q0Pr21R1R2xOE建环1301TFP仅供参考2/128.点电荷Q被曲面S所包围，从无穷远处引入另一点电荷q至曲面外一点，如图所示，则引入前后：(A)曲面S的电场强度通量不变，曲面上各点场强不变．(B)曲面S的电场强度通量变化，曲面上各点场强不变．(C)曲面S的电场强度通量变化，曲面上各点场强变化．(D)曲面S的电场强度通量不变，曲面上各点场强变化．［D］9.根据高斯定理的数学表达式SqSE0/d可知下述各种说法中，正确的是：(A)闭合面内的电荷代数和为零时，闭合面上各点场强一定为零．(B)闭合面内的电荷代数和不为零时，闭合面上各点场强一定处处不为零．(C)闭合面内的电荷代数和为零时，闭合面上各点场强不一定处处为零．(D)闭合面上各点场强均为零时，闭合面内一定处处无电［C］3.关于静电场中某点电势值的正负，下列说法中正确的是：(A)电势值的正负取决于置于该点的试验电荷的正负．(B)电势值的正负取决于电场力对试验电荷作功的正负．(C)电势值的正负取决于电势零点的选取．(D)电势值的正负取决于产生电场的电荷的正负．［C］4.点电荷-q位于圆心O处，A、B、C、D为同一圆周上的四点，如图所示．现将一试验电荷从A点分别移动到B、C、D各点，则(A)从A到B，电场力作功最大．(B)从A到C，电场力作功最大．(C)从A到D，电场力作功最大．(D)从A到各点，电场力作功相等．［D］5.如图所示，直线MN长为2l，弧OCD是以N点为中心，l为半径的半圆弧，N点有正电荷＋q，M点有负电荷-q．今将一试验电荷＋q0从O点出发沿路径OCDP移到无穷远处，设无穷远处电势为零，则电场力作功(A)A＜0,且为有限常量．(B)A＞0,且为有限常量．(C)A＝∞．(D)A＝0．［D］6.半径为r的均匀带电球面1，带有电荷q，其外有一同心的半径为R的均匀带电球面2，带有电荷Q，则此两球面之间的电势差U1-U2为：(A)Rrq1140.(B)rRQ1140.(C)RQrq041.(D)rq04.[A]QSqABDCO-q7.NDPC+qM-qO建环1301TFP仅供参考3/127.两块面积均为S的金属平板A和B彼此平行放置，板间距离为d(d远小于板的线度)，设A板带有电荷q1，B板带有电荷q2，则AB两板间的电势差UAB为(A)dSqq0212．(B)dSqq0214．(C)dSqq0212．(D)dSqq0214．［C］8.在静电场中，有关静电场的电场强度与电势之间的关系，下列说法中正确的是[C]A、场强大的地方电势一定高B、场强相等的各点电势一定相等C、场强为零的点电势不一定为零D、场强为零的点电势必定是零2.对于带电的孤立导体球:［B］A、导体内的场强与电势大小均为零。B、导体内的场强为零，而电势为恒量。C、导体内的电势比导体表面高。D、导体内的电势与导体表面的电势高低无法确定。3.一导体球外充满相对介电常量为r的均匀电介质，若测得导体表面附近场强为E，则导体球面上的自由电荷面密度为［B］(A)0E．(B)0rE．(C)rE．(D)(0r-0)E．4.一平行板电容器始终与端电压一定的电源相联．当电容器两极板间为真空时，电场强度为0E，电位移为0D，而当两极板间充满相对介电常量为r的各向同性均匀电介质时，电场强度为E，电位移为D，则［B］(A)rEE/0，0DD．(B)0EE，0DDr．(C)rEE/0，rDD/0．(D)0EE，0DD．5.在一个不带电的孤立导体球壳的球心处放入一点电荷q，当q由球心处移开，但仍在球壳内时，下列说法中正确的是[B]A、球壳内、外表面的感应电荷均不再均匀分布B、球壳内表面感应电荷分布不均匀，外表面感应电荷分布均匀C、球壳内表面感应电荷分布均匀，外表面感应电荷分布不均匀D、球壳内、外表面感应电荷仍保持均匀分布7.一个平行板电容器，充电后与电源断开，当用绝缘手柄将电容器两极板间距离拉大，则两极板间的电势差U12、电场强度的大小E、电场能量W将发生如下变化：［B］(A)U12减小，E减小，W减小．(B)U12增大，E增大，W增大．(C)U12增大，E不变，W增大．(D)U12减小，E不变，W不变．1.如图，边长为a的正方形的四个角上固定有四个电荷均为q的点电荷．此正方形以角速度绕AC轴旋转时，在中心O点产生的磁感强度大小为B1；此正方形同样以角速度绕过O点垂直于正方形平面的轴旋转时，在O点产生的磁感强度的大小为B2，则B1与B2间的关系为［C］(A)B1=B2．(B)B1=2B2．(C)B1=21B2．(D)B1=B2/4．dBASSq1q2ACqqqqO建环1301TFP仅供参考4/122.电流I由长直导线1沿平行bc边方向经a点流入由电阻均匀的导线构成的正三角形线框，再由b点沿垂直ac边方向流出，经长直导线2返回电源(如图)．若载流直导线1、2和三角形框中的电流在框中心O点产生的磁感强度分别用1B、2B和3B表示，则O点的磁感强度大小(A)B=0，因为B1=B2=B3=0．(B)B=0，因为虽然B1≠0、B2≠0，但021BB，B3=0．(C)B≠0，因为虽然B2=0、B3=0，但B1≠0．(D)B≠0，因为虽然021BB，但B3≠0．［C］4.边长为l的正方形线圈，分别用图示两种方式通以电流I(其中ab、cd与正方形共面)，在这两种情况下，线圈在其中心产生的磁感强度的大小分别为：［C］(A)01B，02B．(B)01B，lIB0222．(C)lIB0122，02B．(D)lIB0122,lIB0222．5.如图，在一圆形电流I所在的平面内，选取一个同心圆形闭合回路L，则由安培环路定理可知(A)0dLlB，且环路上任意一点B=0．(B)0dLlB，且环路上任意一点B≠0．(C)0dLlB，且环路上任意一点B≠0．(D)0dLlB，且环路上任意一点B=常量．［B］6.如图，流出纸面的电流为2I，流进纸面的电流为I，则下述各式中哪一个是正确的？(A)IlHL2d1．(B)IlHL2d(C)IlHL3d．(D)IlHL4d．［D］8.如图两个半径为R的相同的金属环在a、b两点接触(ab连线为环直径)，并相互垂直放置．电流I沿ab连线方向由a端流入，b端流出，则环中心O点的磁感强度的大小为(A)0．(B)RI40．(C)RI420．(D)RI0．(E)RI820．［A］3.abcIO12IB1IB1B2abcdILOIL2L1L3L42IIIIba建环1301TFP仅供参考5/121.一线圈载有电流I，处在均匀磁场B中，线圈形状及磁场方向如图所示，线圈受到磁力矩的大小和转动情况为（转动方向以从上往下看或从左往右看为准）:[A]A、IBRMm2π25，绕11OO轴逆时针转动B、IBRMm2π25，绕11OO轴顺时针转动C、IBRMm2π23，绕22OO轴顺时针转动D、IBRMm2π23，绕22OO轴逆时针转动2.如图，在竖直放置的长直导线AB附近，有一水平放置的有限长直导线CD，C端到长直导线的距离为a，CD长为b，若AB中通以电流1I，CD中通以电流2I，则导线CD受的安培力的大小为[C]A、abaIIFln0212B、abIIFln0212C、abaIIFlnπ2210D、abIIFlnπ22104.如图，无限长直载流导线与正三角形载流线圈在同一平面内，若长直导线固定不动，则载流三角形线圈将［A］(A)向着长直导线平移．(B)离开长直导线平移．(C)转动．(D)不动．8.两根载流直导线相互正交放置，如图所示．I1沿y轴的正方向，I2沿z轴负方向．若载流I1的导线不能动，载流I2的导线可以自由运动，则载流I2的导线开始运动的趋势是[B](A)沿x方向平动．(B)绕x轴转动．(C)绕y轴转动．(D)无法判断2.如图所示，矩形区域为均匀稳恒磁场，半圆形闭合导线回路在纸面内绕轴O作逆时针方向匀角速转动，O点是圆心且恰好落在磁场的边缘上，半圆形闭合导线完全在磁场外时开始计时．图(A)—(D)的--t函数图象中哪一条属于半圆形导线回路中产生的感应电动势？［A］I1I2yzxI1I2tO(A)tO(C)tO(B)tO(D)CDOB建环1301TFP仅供参考6/124.如图所示，导体棒AB在均匀磁场B中绕通过C点的垂直于棒长且沿磁场方向的轴OO转动（角速度与B同方向），BC的长度为棒长的31，则(A)A点比B点电势高．(B)A点与B点电势相等．(B)A点比B点电势低．(D)有稳恒电流从A点流向B点．[A]5.如图所示，直角三角形金属框架abc放在均匀磁场中，磁场B平行于ab边，bc的长度为l．当金属框架绕ab边以匀角速度转动时，abc回路中的感应电动势和a、c两点间的电势差Ua–Uc为[B](A)=0，Ua–Uc=221lB．(B)=0，Ua–Uc=221lB．(C)=2lB，Ua–Uc=221lB．(D)=2lB，Ua–Uc=221lB．6.如图所示，两个线圈P和Q并联地接到一电动势恒定的电源上．线圈P的自感和电阻分别是线圈Q的两倍，线圈P和Q之间的互感可忽略不计．当达到稳定状态后，线圈P的磁场能量与Q的磁场能量的比值是［D］(A)4．(B)2．(C)1．(D)21．7.在感应电场中电磁感应定律可写成tlELKddd，式中KE为感应电场的电场强度．此式表明：(A)闭合曲线L上KE处处相等．(B)感应电场是保守力场．(C)感应电场的电场强度线不是闭合曲线．(D)在感应电场中不能像对静电场那样引入电势的概念．［D］5、若理想气体的体积为V，压强为p，温度为T，一个分子的质量为m，k为玻尔兹曼常量，R为普适气体常量，则该理想气体的分子数为：[B](A)pV/m．(B)pV/(kT)．(C)pV/(RT)．(D)pV/(mT)．4、如图所示，一定量的理想气体，沿着图中直线从状态a(压强p1=4atm，体积V1=2L)变到状态b(压强p2=2atm，体积V2=4L)．则在此过程中：[B](A)气体对外作正功，向外界放出热量．(B)气体对外作正功，从外界吸热．(C)气体对外作负功，向外界放出热量．(D)气体对外作正功，内能减少．5、一定量的理想气体的初态温度为0T