半导体三极管及其基本放大电路.

第2章半导体三极管及其基本放大电路学习目标：1.了解三极管的基本结构，熟悉三极管NPN型和PNP型各自的特点；2.掌握三极管放大的条件，并熟练掌握三极管三个电极的判别方法；3.熟悉三极管的特性曲线，掌握三极管三个工作区域的特点及判断方法。学习重点、难点：1.三极管三个电极的判别方法；2.三极管工作状态的判断电压放大器功率放大器直流电源电路扩音机电路框图几毫伏几伏几拾伏放大电路进行信号的放大。其本质是用能量比较小的输入信号来控制另一个能源，使输出端的负载上得到能量比较大的信号。§2.1三极管的结构和放大一、三极管的结构和符号半导体三极管由两个PN结构成。类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je)集电结(Jc)基极，用B或b表示（Base）发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极，用C或c表示（Collector）。发射区集电区基区三极管符号§2.1三极管的结构和放大一、三极管的结构和符号三极管的结构特点:（1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。（2）基区要制造得很薄且浓度很低。§2.1三极管的结构和放大一、三极管的结构和符号NPN型和PNP型三极管实物图bcebce电路符号中箭头的方向是指三极管结构内部发射结中P区指向N区的方向。二、三极管的放大作用1.基本连接方式共发射极电路共集电极电路共基极电路beceecbcebcb2.放大条件内部条件：①发射区杂质浓度基区集电区外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置②基区很薄对于NPN管：UCUBUE对于PNP管：UEUBUC【例题】在晶体管电路中，晶体管均处于放大状态。测得三个晶体管的各个电极电位如图所示。试判断各晶体管的类型（是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管），并区分e、b、c三个电极。2.2V5.3V6V(b)2V2.7V6V(a)-4V-1.2V-1.5V(c)NPN硅管PNP硅管PNP锗管eeebbbccc在实际电路板制作时，三极管b、e、c三个电极的辨别方法：3.三极管结构特点发射区：发射载流子（以NPN为例）基区：传送和控制载流子集电区：收集载流子4.电流分配关系5.电流放大关系=iC/iB电流放大作用——基极电流较小的变化引起集电极电流较大的变化，即小量控制大量的作用。＝＋CiBiEiWASINGWS-710充电器内部电路板三、三极管的特性曲线cRVCCbRBBViBiCiEuCE+-+-uBE特性曲线输入特性曲线输出特性曲线输入回路输出回路试验电路１、输入特性曲线输入特性曲线是指uCE为一定数值时，输入电流iB与输入电压uBE之间的关系曲线。0.40.2i(V)(uA)BE80400.80.6Bu①②③①死区0UBEUTH=0.4V②非线性区UTHUBE0.6V③线性区UBE0.6V２、输出特性曲线（1）截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置（2）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置（3）放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置BCii=0,0CBiiBECEBEBuuui,0,0BCiiIB=020μA40μA60μA0UCE/VIC/mA80μA截止区放大区饱和区输出特性曲线是指当基极电流iB一定时，输出电流iC和输出电压uCE之间的关系曲线。３、三极管的基本参数（１）电流放大系数β：iC=βiB（３）极限参数（２）极间反向电流iCBO、iCEO：iCEO=（1+β）iCBO①集电极最大允许电流ICM：下降到额定值的2/3时所允许的最大集电极电流。②反向击穿电压U（BR）CEO：基极开路时，集电极、发射极间的最大允许电压。③集电极最大允许功耗PCM：在允许的集电结结温下，集电极允许消耗的功率。1.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态。放大状态2.测得放大电路中某BJT各极直流电位V1=12V，V2=11.3V，V3=0V，则该BJT的基极电位等于，由材料制成，管型为。11.3VSiPNP【例题】-2V4V-2.7V判断下列图中，三极管的工作状态，并判断三极管是NPN型还是PNP型。【练习】(a)NPNUBUC，UBUE饱和状态(b)PNPUEUBUC放大状态(c)NPNUCUB，UBUE截止状态0.7V0.3V0V(a)0.3V4V1V(c)-0.3V-6V0V(b)课堂小结三极管的类型、符号三极管处于正常发放大状态下三个电极电位之间的关系。三极管的电流放大关系。三极管的输入特性曲线、输出特性曲线。