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河海大学常州校区考试试卷第1页（共5页）2010－2011学年第二学期《半导体物理学》课内考试卷（A卷）授课班号年级专业学号姓名题号一二三四五总分审核题分得分一、选择题1．电子在晶体中的共有化运动指的是。A.电子在晶体中各处出现的几率相同B.电子在晶体元胞中出现的几率相同C.电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同D.电子在晶体各元胞对应点有相同的相位2．如果n型半导体的导带极值在[111]轴及对称方向上，当磁场沿[110]方向时，测的共振吸收峰的个数是。A．1个B．2个C．3个D．4个3、某一半导体掺施主杂质浓度ND=5ⅹ1014/cm3,当温度为500K时，ni=7ⅹ1014/cm3.则电子和空穴的浓度分别近似为。A.n0=1.2ⅹ1014/cm3p0=1ⅹ1015/cm3B.p0=4ⅹ1014/cm3p0=5ⅹ1015/cm3C.n0=5ⅹ1014/cm3p0=1ⅹ1015/cm3D.n0=1ⅹ1014/cm3p0=7ⅹ1015/cm34．有效复合中心的能级通常都是靠近。A．ECB．EVＣ．ＥiD．EF５．简并半导体是指的半导体。A．（EC-EF）或（EF-EV）≤0B．（EC-EF）或（EF-EV）≥０Ｃ．能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度D．导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子6．在GaAs中熔入GaP可使其。A．禁带变宽B．增加电子陷阱Ｃ．禁带变窄Ｄ．增加空穴陷阱得分评阅人河海大学常州校区考试试卷第2页（共5页）７．本征半导体是指的半导体。Ａ．不含杂质与缺陷B．电子密度与空穴密度相等Ｃ．电阻率最高Ｄ．电子密度与本征载流子密度相等８．若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定。Ａ．不含施主杂质Ｂ．不含受主杂质Ｃ．不含任何杂质Ｄ．处于绝对零度９．若浓度为Nt的复合中心掺入本征硅，设其能级位于禁带中央，起电子和空穴的俘获系数分别为rn和rp，则小注入寿命为。Ａ．1/NtrpB.1/NtrnC.1/Ntrp+1/NtrnD.1/Ntni10.半导体中的载流子的扩散系数决定于其中的。A．散射机构B．复合机构Ｃ．杂质浓度梯度Ｄ．表面复合速度11.重空穴指的是。A．质量较大的原子组成的半导体中的空穴B．价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C．价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D．自旋—轨道藕合分裂出来的能带上的空穴12．硅中掺金的工艺主要用于制造的器件。A．高可靠性B.高反压C.高频D.大功率13.根据费米分布函数,电子占据(EF+KT)能级的几率。A．等于空穴占据（EF+KT)的几率B．等于空穴占据（EF-KT)的几率C．大于电子占据EF的几率D．大于空穴占据EF的几率14.公式μ=qτ/m﹡中的τ是载流子的。A．渡越时间B．寿命Ｃ．平均自由时间Ｄ．扩散系数15．3个硅样品的掺杂情况如下：甲.含镓1ⅹ1017/cm3乙.含磷1ⅹ1017/cm3丙.不掺杂这些样品在室温下费米能级由底到高的(以EV为基准)的顺序是。A．甲乙丙B．甲丙乙Ｃ．乙丙甲Ｄ．丙甲乙河海大学常州校区考试试卷第3页（共5页）二、填空题1、有效质量的意义是2.半导体的状态密度意义为3．影响半导体散射的两种机制为及4．半导体中载流子电场作用下的运动称为，由浓度梯度引起的载流子运动称为。5．爱因斯坦关系为最有效的复合中心能级在６．PN结被击穿的三种方式为，，。７．扩散长度是指。８．半导体势垒电容是由于而产生的扩散电容是由于。9．载流子复合放出能量的方法有哪三种，，。10．计算半导体中载流子浓度时，不能使用玻耳兹曼统计代替费米统计的判定条件是，这种半导体被称为。得分评阅人河海大学常州校区考试试卷第4页（共5页）Tρ三、简答题（4题共56分）1．简述热平衡状态下的p-n结的形成的物理机理及其用途。2．以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。3．以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。4、定性解释如图硅电阻率和温度的关系。5、定性解释如图n型Si中导带电子浓度和温度的关系。得分评阅人ABC硅电阻率与温度关系示意图n型Si中导带电子浓度和温度的关系曲线河海大学常州校区考试试卷第5页（共5页）6、定性解释如图Si中不同掺杂浓度条件下费米能级与温度的关系。Si中不同掺杂浓度条件下费米能级与温度的关系河海大学常州校区考试试卷第6页（共5页）河海大学常州校区考试试卷第7页（共5页）河海大学常州校区考试试卷第8页（共5页）