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1单晶硅项目简介一、项目简介1、项目内容利用研究院的自有技术，引进资金，合作建设一条年产15吨单晶硅生产线。2、项目特点该项目符合国家产业政策，是国家重点支持的高新技术产业。该产品被列入国家高新技术产品出口目录，属国家鼓励支持出口创汇产品。3、项目基础本项目技术成熟，设备调研已经结束。二、产品简介硅单晶被称为现代信息社会的基石。硅单晶按照制备工艺的不同可分为直拉（CZ）单晶硅和区熔（FZ）单晶硅，直拉单晶硅被广泛应用于微电子领域，微电子技术的飞速发展，使人类社会进入了信息化时代，被称为硅片引起的第一次革命。区熔单晶硅是利用悬浮区熔技术制备的单晶硅。它的用途主要包括以下几个方面。1、制作电力电子器件电力电子技术是实现电力管理，提高电功效率的关键技术。飞速发展的电力电子被称为“硅片引起的第二次革命”，大多数电力电子器件是用区熔单晶硅制作的。电力电子器件包括普通晶闸管(SCR)、电力晶体管GTR、GTO以及第三代新型电力电子器件——功率场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(PIC)等，广泛应用于高压直流输电、静止无功补偿、电力机车牵引、交直流电力传动、电解、励磁、电加热、高性能交直流电源等电力系统和电气工程中。制作电力电子器件，是区熔单晶硅的传统市场，也是本项目产品的市场基础。2、制作高效率太阳能光伏电池太阳能目前已经成为最受关注的绿色能源产业。美国、欧洲、日本都制定了大力促进本国太阳能产业发展的政策，我国也于2005年3月份通过了《可再生能源法》。这些措施极大地促进了太阳能电池产业的发展。据统计，从1998—2004年，国际太阳能光伏电池的市场一直保持高速增长的态势，年平均增长速度达到30%，预计到2010年，仍将保持至少25%的增长速度。晶体硅是目前应用最成熟，最广泛的太阳能电池材料，占光伏产业的85%以上。美国SunPower公司最近开发出利用区熔硅制作太阳能电池技术，其产2业化规模光电转换效率达到20%，为目前产业化最高水平，其综合性价比超过直拉单晶硅太阳能电池（光电转换效率为15%）和多晶硅太阳能电池（光电转换效率为12%）。这项新技术将会极大地扩展区熔硅单晶的市场空间。据估计，到2010年，其总的市场规模到将达到电力电子需求规模，这是本项目新的市场机会。3、制作射频器件和微电子机械系统（MEMS）区熔单晶还可以用来制作部分分立器件。另外采用高阻区熔硅制造微波单片集成电路（MMIC）以及微电子机械系统（MEMS）等高端微电子器件，被广泛应用于微波通讯、雷达、导航、测控、医学等领域，显示出巨大的应用前景。这也是区熔单晶的又一个新兴的市场机会。4、制作各种探测器、传感器，远红外窗口探测器、传感器是工业自动化的关键元器件，被广泛应用于光探测、光纤通讯、工业自动化控制系统中以及医疗、军事、电讯、工业自动化等领域。高纯的区熔硅单晶是制作各种探测器、传感器的关键原材料，其市场增长趋势也很明显。三、市场分析1、国际市场据SEMI统计，2003年世界区熔硅单晶的市场规模约为1000吨。其生产商主要为日本信越化学、小松公司，丹麦TOPSIL、德国瓦克等几家大公司，这四家企业生产的区熔单晶硅产量约占总产量的85%。国际上电力电子器件制造工艺普遍采用4—6”技术。国际市场区熔单晶硅的传统市场增长率一直稳定保持在15%水平，到2008年，区熔单晶总的市场规模已翻一番，达到2000吨。随着区熔单晶的新用途——制造高效率太阳能电池和射频集成电路、微波集成电路等的市场空间逐步打开，市场需求量将会有一个飞跃。区熔硅单晶存在巨大的市场机会，前景广阔。2、国内市场据CCID统计资料表明，2003年我国的区熔硅单晶年市场需求量为50吨。由于我国电力电子行业技术水平比较落后，电力电子器件大部分采用小于2-3英寸技术。随着我国城乡电力设施大规模改造、三峡工程建设以及高速电力机车、机电一体化、汽车电子、节能灯、电视、通信及计算机等行业的飞速发展，电力电子器件的市场需求将越来越大，市场前景非常广阔。区熔单晶硅的国内传统市场的年增长速度为20%。预计2010年将达到300吨。随着器件工艺技术的发展，大直径（Φ3）的市场需求将越来越大。国内电力电子器件制造商如天津中环半导体公司、吉林华微电子等加大技术引进和开发力度，投入巨3资，扩大规模，提高技术水平，预计到2010年，大直径器件生产线将占80%。对于太阳能电池及微波集成电路等新兴的市场，由于其主流制造工艺为4-6。因此，制备大直径区熔硅片，满足日益增长的国内需求，并积极打入国际市场，其经济和社会意义是非常巨大的。综上所述，区熔（FZ）单晶硅是重要的半导体材料，随着我国电力电子、工业自动化、绿色能源等、微波通讯等产业的飞速发展，必将有长期、稳定的市场需求和持续发展。3、市场优势分析据悉，呼和浩特投巨资设立的多晶硅生产线项目已经开工建设，多晶硅是单晶硅的重要原料；在包头设立该项目，作为配套的下游深加工用户，这时该项目立项的重要优势所在。四、技术分析1、关键技术目前，国内硅单晶制备技术与国外相比差距不大，区熔单晶硅的制备水平接近国际水平。国际区熔硅单晶最高水平为德国瓦克公司（8英寸）。国内天津环鸥半导体技术公司目前已经制备出6英寸区熔单晶。本公司已经掌握制备6英寸区熔硅单晶技术，包括：大直径区熔单晶硅片精密加工及高纯清洗技术。2、技术支持我们研究院具有从晶体生长到晶片加工及检测全套工艺技术。拥有全部自主知识产权。公司技术成熟，拥有直拉（CZ）、区熔(FZ)、磁场(MCZ)制备单晶硅技术。技术支持为冶金研究院。该院是我国重要的专业从事半导体材料的权威研究机构。五、投资估算与资金筹措1、投资估算本项目总投资7000万元，其中固定资产投资3500万元，主要设备为引进2台国际最先进的区熔单晶炉，1台多线切割设备；土建及厂房1500万元，流动资金1500万元；其它500万元。（除土建和厂房外的资金）投资回报率40%年利润2100万元，年销售收入7000万元；投资回收期不多于3.5年。2、资金筹措为部分自有资金投入，部分通过银行贷款解决。六、项目技术经济分析1、投资收益分析盈亏平衡点（BEP）为20%。七、项目建设条件1、项目建设地点必须有优良的政策环境以及工业基础，水电配套齐全。投资回4收期3.5年2、出资方提供全部项目建设所需现金，按现代企业制度的要求，新设立有限责任公司。3、按照电子材料生产的要求，需用约2000平米以上的标准厂房。4、动力条件：1600KW。八、合作方式：技术参股，技术转让2009-3-17