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2015-2016一填空题1.本门课程介绍的4种类型晶体管分别为：____________,____________,____________,和____________。2.PN结电击穿按产生机制分为：____________,和____________。PN结电容包括：____________,和____________。3理想开关，二极管，三极管和FET导通时的压降分别为____________，____________，____________，____________反相截止时电流分别为____________，____________，____________，____________。4双极型晶体管的大电流效应即____________效应，包括____________，____________，____________。二名词解释1.基区渡越时间_______________________________________________________________2β(orhfe)__________________________________________________________________3.BVCEO______________________________________________________________________4.ICEO________________________________________________________________________5.ts__________________________________________________________________________6.rb__________________________________________________________________________7.Early效应8.GMAE______________________________________________________________________9.沟道长度调制效应___________________________________________________________10.沟道电导调制效应___________________________________________________________三计算题30分1．N+PN双极结型晶体管在正向有源区工作时的基区少数载流子分布为npB(x)＝npB(0)（1-x/WB），基区渡越时间为：τB=QB’/InB,试推导出τB＝WB2/2DnB（10分）（给出详细的推导步骤）。解：2.某晶体管的基区输运系数β*=0.99，注入效率γ=0.97，试求此管的α与β。当此管的有源区方块电阻R□B乘以3，其余参数均不变时，其α与β变为多少？3.某N沟道MOSFET的VT=1V，β=4×10-3AV-2，求当VDS=2V，VGS分别为2V、3V、4V时的漏极电流之值。四综述题50分1.画出单发射极条、双基极接触光刻版制作的SiN+PN外延平面BJT芯片主要工艺步骤的2'(0).2(0)2pBBBBBnBnBpBnBqAn'0(0)(0)(1)2BpBBWBPBBqAnWxQqAnW()(0)pBnBpBnBnBBdnxqADnIqADdxW平面图和所对应的剖面图。（10分）（可忽略SiO2台阶）2.分别画出均匀基区NPN晶体管在放大状态、饱和状态和截止状态，反相放大状态时的能带图。（10分）3.画出n沟耗尽型MOSFET转移特性曲线、并标出阈值电压VT，画出其输出特性曲线，并标出VGS值、临界饱和线、非饱和区、饱和区，给出VDSAT,IDSAT的表达式。（10分）4.在npn开关双极晶体管的输出特性曲线上标出下降时间，并通过开关过程中少子的分布图来说明下降时间存在的原因。10分5什么是MOS管的跨导？跨导的表达式？提高跨导的方法。10分