半导体参考试题

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资源描述

1.试画图定性分析纯半导体材料和杂质半导体中电阻率ρ随温度T的变化关系。解答:对于纯半导体材料。电阻率主要由本征载流子浓度ni决定。ni随温度上升而急剧增加,室温附近温度每升高8℃,硅的ni就增加一倍,因为迁移率只稍有下降,所以电阻率就降低一半左右;对锗来说,温度每增加12℃,ni增加一倍,电阻率降低一半。本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降。这是半导体区别于金属的一个重要特征。对于杂质半导体,有杂质电离和本征激发两个因素存在,又有电离杂质散射和晶格散射两种散射机构的存在,因而电阻随温度的变化关系要复杂些,如图所示表示一定杂质浓度的硅样品的电阻率和温度的关系,曲线大致分为三段。AB段:温度很低,本征激发可以忽略,载流子主要由杂质电离提供,它随温度的升高而增加;散射主要由电离杂质决定,迁移率随温度升高而增大,所以电阻率随温度升高而下降BC段:温度继续升高(包括室温),杂质已全部电离,本征激发还不十分显著,载流子基本上不随温度变化,晶格振动散射上升为主要矛盾,迁移率随温度升高而降低,所以电阻率随温度升高而增大。C段:温度继续升高,本征激发很快增加,大量本征载流子的产生远远超过迁移率的减小对电阻率的影响,这时本征激发成为矛盾的主要方面,杂质半导体的电阻率将随温度的升高而急剧地下降,表现出同本征半导体相似的特征。计算题1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为:Tρ纯净半导体Tρ纯净半导体2222100()()3ChkkhkEkmm+和22221003()6vhkhkEkmm-;m0为电子惯性质量,k1=1/2a;a=0.314nm。试求:①禁带宽度;②导带底电子有效质量;③价带顶电子有效质量;④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。解答:根据dkkdEc)(=2023hkm+2102()hkkm=0,可求出对应导带能量极小值Emin的k值:kmin=143k,由题中EC式可得:Emin=Ec(k)|k=kmin=22104hkm;由题中EV式可看出,对应价带能量极大值Emax的k值为:kmax=0;并且Emax=EV(k)|k=kmax=22106hkm;∴Eg=Emin-Emax=221012hkm=20248amh=342319219(6.6310)489.110(0.31410)1.610=0.64eV②导带底电子有效质量mn2222200022833CdEhhhdkmmm;∴mn=22023/8CdEhmdk③价带顶电子有效质量mn’22206VdEhdkm,∴2'2021/6VndEmhmdk④准动量的改变量h△k=h(kmin-kmax)=13348hhka2.计算含有施主杂质浓度ND=9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。(T=300k时ni=1.5×1010cm-3,Nv=1.1×1019cm-3)解答:对于硅材料:ND=9×1015cm-3;NA=1.1×1016cm-3;T=300k时ni=1.5×1010cm-3:3150102cmNNpDA;21023530160(1.510)cm1.125100.210inncmp∵DANNp0且0V0Nexp()VFEEpKT∴0exp()VFADVEENNNkT从而得到:01619ln0.2100.026ln1.1100.224ADFNNEEvkTNvEvEveV3.掺施主杂质的ND=1015cm-3n型硅,由于光的照射产生了非平衡载流子Δn=Δp=1014cm-3。试计算这种情况下准费米能级的位置,并和原来的费米能级做比较。解答:n-Si,ND=1015cm-3,Δn=Δp=1014cm-3,eVEceVEcNcnTkEcETkEENnFFCC266.0108.210ln026.0ln)exp(19150000光照后的半导体处于非平衡状态:eVEceVEcNcnnTkEcETkEENnnnnFnFCC264.0108.21010ln026.0ln)exp(1914150000eVEEFnF002.0eVEveVEvNvpTkEvETkEEvNpppFpFV302.0101.110ln026.0ln)exp(191400室温下,EgSi=1.12eV;EF=EC-0.266eV=Ev+0.854eVeVEEpFF552.0比较:由于光照的影响,非平衡多子的准费米能级nFE与原来的费米能级FE相比较偏离不多,而非平衡少子的费米能级pFE与原来的费米能级FE相比较偏离很大。4.施主浓度为7.0×1016cm-3的n型Si与Al形成金属与半导体接触,Al的功函数为4.20eV,Si的电子亲和能为4.05eV,试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并标明半导体表面势的数值。解答:金属与半导体接触前、后能带图如图所示

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