五邑大学光电技术试题3

第1页共5页命题人：李阳审核人：试卷分类（A卷或B卷）A五邑大学试卷学期：2012至2013学年度第1学期课程：光电子技术课程代号：010A1860使用班级：AP10221、AP10222姓名：学号：一、单选题：（50分，每小题2分）请将正确的答案填入下表中：1、从光源的分类上分，汞灯属于：（B）（A）热辐射光源；（B）气体放电光源；（C）激光光源；（D）电致发光光源。2、在辐射度学的基本物理量中，描述点辐射源的辐射功率在不同方向上分布的物理量是（C）（A）辐射能；（B）辐射通量；（C）辐射强度；（D）辐射出射度。3、从辐射通量与光通量之间的换算关系可知，1W=（A）lm.（A）683；（B）386；（C）836；（D）638。4、绝对黑体的温度决定了它的辐射光谱分布，随着温度T的升高，峰值波长将（A）。（A）向短波方向移动；（B）向长波方向移动；（C）不移动；（D）随机移动。5、日光灯是一种低压汞灯，发出波长为（B）nm紫外光源，再激发荧光粉发了可见光。（A）283.7；（B）253.7；（C）353.7；（D）333.7。6、激光器的构成一般由（A）组成。（A）激励能源、谐振腔和工作物质（B）固体激光器、液体激光器和气体激光器（C）半导体材料、金属半导体材料和PN结材料（D）电子、载流子和光子7、热释电器件是由TGS、LiTaO3等热电晶体材料组成的，但不论哪种材料，都有一个特定温度，称居里温度。只有（C）居里温度，材料才有自发极化性质。（A）等于；（B）高于；（C）低于；（D）不等于。题号一二三四五六总分得分题号12345678910答案题号11121314151617181920答案试卷编号得分m第2页共5页8、某种调制的特点是，其优点是容易实现，能对辐射的任何光谱成分进行调制；其缺点是：有运动部分，寿命较短，体积较大，调制频率不高。这种调制是（D）（A）电光调制；（B）声光调制；（C）磁光调制；（D）机械调制。9、电光调制是指在强电场作用下介质折射率改变而产生的光调制。电光调制又分为横向运用和纵向运用。（A）可以消除自然双折射而引起的相位差。（A）横向运用；（B）纵向运用；（C）两种运用都；（D）两种运用都不。10、当用斩波器调制入射光，使矩形光脉冲（周期小于ΔQ的平均寿命）作用到热电晶体表面的黑吸收层上，交变的ΔT使得晶体表面始终存在正比于入射光强的极化电荷。这种现象称为（C）。（A）热电导效应；（B）热压效应；（C）热释电效应；（D）光热效应。11、在光电探测器的噪声中，有一种是功率谱大小与频率无关的噪声，通常称为白噪声。下列噪声中，属于白噪声的是（A）。（A）热噪声和散粒噪声；（B）产生-复合噪声和1/f噪声；（C）产生-复合噪声；（D）1/f噪声。12、载流子因浓度不均匀而发生的定向运动称为扩散。由于扩散的作用，流过单位面积的电流称为扩散电流密度，即：从上两式可看出，扩散电流密度与正比于光生载流子的浓度（）。（A）梯度；（B）散度；（C）旋度；（D）以上都不对。13、掺有杂质的半导体在光照下，中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带，同样，中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带，这种吸收称为(B)。（A）本征吸收；（B）杂质吸收；（C）激子吸收（D）晶格吸收。14、无光照时，材料具有一定的电导，称为()；相应地，有光照时的电导称为()。亮电导与暗电导之差称为()。请选择正确的答案（A）。（A）暗电导---亮电导---光电导；（B）亮电导---暗电导---光电导；（C）光电导---暗电导---亮电导；（D）暗电导---光电导---亮电导。15、如图所示为结型光电器件的伏安特性曲线，若结型光电器件工作在（）象限时，称之为（）模式，相应的探测器件被称为（）。请选择正确的答案（D）（A）第三---光伏工作---光敏二极管；（B）第四---光伏工作---光每二极管；（C）第三---光伏工作---光电池；（D）第四---光伏工作---光电池。16、“光电二极管与光电池相比较，其特性有所不同，下列的说法不不正确的是（A）。（A）它们的掺杂浓度不同，光电池掺杂浓度较低，而光电二极管掺杂浓度高；（B）它们的电阻率不同，光电池的电阻率低；（C）工作电压偏置条件不同，光电池通常在零偏置下工作，而硅光电二极管通常在反向偏置下工作；（D）它们的光电流的大小不同，硅光电二极管的光电流小得多，通常在微安级。17、光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时，光子在（D）激发出电子－空穴对，在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正，N端为负。（A）P区；（B）N区；（C）中间区；（D）结区。dxdnJnDnqDdxdpJpDpqD第3页共5页18、对于光电发射效应，下列说法不正确的是（D）。（A）光电发射效应，又称外光电效应；（B）金属光电发射量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区；（C）半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料(NEA)；（D）良好的光电发射体，应该具备的基本条件之一是表面势垒高。19、使光学图像变成视频信号的器件叫摄像器件，包括摄像管、电荷耦合器件、CMOS图像传感器。而摄像管其实就是一个能够输出视频信号的（B）。（A）光敏电阻；（B）真空光电管；（C）发光二极管；（D）光电二极管。20、以下关于CMOS图像传感系统的描述不正确的是（D）。（A）CMOS图像传感器的像元结构包括无源像素(PPS)结构和有源像素(APS)结构；（B）CMOS摄像器件集成能力强、体积小、工作电压单一、功耗低、动态范围宽、抗辐射和制造成本低；（C）CMOS摄像器件需进一步提高器件的信噪比和灵敏度；（D）难与驱动电路及信号处理电路单片集成，需要使用相对高的工作电压，制造成本比较高。21、CCD的基本功能是信号（C）的产生、存储、传输和检测。（A）载流子；（B）电子；（C）电荷；（D）声子。22、电荷耦合器件CCD，一般分为线阵和面阵两种。以2048像元的双列两相线阵CCD为例，其结构主要由光敏区、（D）和移位寄存器组成。（A）光敏栅；（B）光电栅；（C）控制栅；（D）转移栅。23、超扭曲向列型液晶器件（STN-LCD），液晶盒中的液晶分子从上到下扭曲的角度为（D）。（A）60°；（B）90°；（C）180；（D）180°～270°。24、有源矩阵液晶显示器件AM-LCD是在每一个像素上设计一个非线性的有源器件TFT即（D），使每个像素可以被独立驱动，克服交叉效应，可以提高液晶的分辨率和实现多灰度级显示。（A）结型晶体管；（B）栅型晶体管；（C）薄膜二极管；（D）薄膜晶体管。25、液晶分子排列整齐，分子能在层内滑动，但不能在上下层之间移动。材料表现出粘度和表面张力都比较大，对外界电、磁、温度等的变化不敏感。这种液晶属于（A）。（A）近晶相；（B）向列相；（C）胆甾相；（D）混合相。第4页共5页二、（本题10分）现用一束波长为1.06μm的激光通过KDP晶体做横向电光调制实验，已知KDP负单轴晶体的O光折射率，其光电系数。倘若半波电压值为14.5V，晶体通光长度为0.05m，试求晶体的厚度至少为多少？三、（本题10分）一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5米的高处，用照度计测得正下方地面的照度为30lx，试求此灯的光通量。四、（本题10分）一束波长为635nm、功率为3mW的单色光，其光通量为多少？倘若该光束由一个小的面光源发射出来，发光面的直径为1mm，发散角为1mrad，并且人眼只能观看1cd/cm2的亮度，试求所戴保护眼镜的透过率应为多少？（已知635nm的明视觉光谱光视效率为）得分51.10n2263106.10320632dUnL得分得分25.0)(V第5页共5页五、（本题10分）在T=300K（室温）时，硅光电池2CR21（光敏面积为5mm×5mm）,在辐射度L1=100mW/cm2下测得UOC1=550mV，ISC1=6Ma,考虑IΦ＞＞I0，试求同样温度下，辐照度L2=50mW/cm2时的UOC2，ISC2各为多少？六、（本题10分）现有一GDB-423型光电倍增管的光电阴极面积为2cm2,阴极灵敏度SK为25μA/lm,倍增系统的放大倍数为105，阳极额定电流为20μA，求允许的最大光照？得分得分