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1、单晶硅太阳能电池板单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。在实验室里最高的转换效率为24.7%，规模生产时的效率为15%。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于单晶硅成本价格高，大幅度降低其成本很困难。其装机价格和每度电的价格一直居高不下，是影响单晶硅太阳能电池发展的一个重要因素，近几年渐渐的被其他的低成本的电池板所代替。由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用寿命一般可达15年，最高可达25年，其稳定性和持久性是单晶硅电池板很重要的一个竞争因素。2、多晶硅薄膜太阳能电池板多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电转换效率约12%左右(2004年7月1日日本夏普上市效率为14.8%的世界最高效率多晶硅太阳能电池)。从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。此外，多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短（但是具体还跟生产商的工艺和安装有关，实际使用寿命差最多不超过5年）。从性能价格比来讲，单晶硅太阳能电池还略好。目前，绝大多数太阳能发电（集中式光伏电站、分散式光伏电站、用户太阳能电源、交通领域）使用的都是多晶硅太阳能电池板。3、非晶硅薄膜太阳能电池非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池，它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同，工艺过程大大简化，硅材料消耗很少，电耗更低，它的主要优点是在弱光条件也能发电。但非晶硅太阳电池存在的主要问题是光电转换效率偏低，国际先进水平为10%左右，且不够稳定，随着时间的延长，其转换效率衰减。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题，那么，非晶硅大阳能电池无疑是太阳能电池的主要发展产品之一。但是由于其光电转换效率确实比较低，加上目前薄膜电池的快速发展，非晶硅电池的发展前景并不是太好，并且，目前没有非晶硅电池的实际工程项目。4、砷化镓（GaAs）III-V化合物电池砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲，并且也没有十分丰富的矿产储备，难以像硅电池那样大批量的生产，因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。并且，砷化镓太阳能电池在使用过后面临废弃物处理的问题，由于产品含有的化学元素是重金属，处理不好就会对环境造成很大的破坏。目前，砷化镓太阳能电池还没有具体的工程项目的实例。5、铜铟镓硒太阳能电池铜铟硒薄膜电池（简称CIS）适合光电转换，不存在光致衰退问题，转换效率和多晶硅一样。具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。唯一的问题是材料的来源，由于铟和硒都是比较稀有的元素，因此，这类电池的发展又必然受到限制。铜铟镓硒，简称CIGS，是CIS中掺入Ga等化合物的薄膜太阳能电池，具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等显著特点，光电转换效率居各种薄膜太阳电池之首，接近于晶体硅太阳电池（近日德国Manz公司研究出了最新的电池，其转换效率已经达到了22.6%，再次刷新了CIGS电池的最高光电转换效率的记录。），而成本只是它的三分之一（这是一个根据生产工艺和加工方法推算出来的理论上的数据），被称为下一代非常有前途的新型薄膜太阳电池，是近几年研究开发的热点，目前已经占据了薄膜太阳能电池市场的43.3%。并且根据调查显示，2015年全球CIGS的出货量总量只有3GW，和硅电池相比差了一个数量级。国内的汉能薄膜电池使用的就是这个技术，目前已经建好的项目已经有25个，主要集中于住房区、办公区、大型停车场等民用、商用的太阳能建筑上，在大型的光伏电站方面没有对应的项目，究其原因，使用寿命和实际工作情况下的转换效率是限制其在大型电站上发展的重要因素，并现在的生产工艺水平还达不到理论上的能力，生产能力也跟不上理论上的需求，因此，CIGS太阳能电池技术还需要一段时间的发展，从实验室走向实际使用。