光催化原理

光催化原理半导体的能带结构通常是由一个充满电子的低价带和一个高空的高能导带构成，价带和导带之间的区域称为禁带，域的大小称为禁带宽度。半导体的禁带宽度一般为0.2~3.0eV，是一个不连续区域。半导体的光催化特性就是由它的特殊能带结构所决定的。当用能量等于或大于半导体带隙能的光波辐射半导体光催化时，处于价带上的电子就会被激发到导带上并在电场作用下迁移到例子表面，于是在价带上形成了空穴，从而产生了具有高活性的空穴电子对。空穴可以夺取半导体表面被吸附物质或溶剂中的电子，使原本部吸收光的物质被激活并被氧化，电子受体通过接受表面的电子而被还原。光解主要是利用185和O2结合产生的臭氧，185直接作用辅助，光催化也一样，光催化就是利用了254波长照射TIO2二氧化钛在有水分情况下产OH-，这个有强氧化性，也可以分解一部分有机气体，光催化是日本传进来的。但光催化产生的0H-自由基只能附着在固体网的表面，存活时间是10的负5至负6次方秒，时间短。不过一直在产生，一次性分解效率一般不会超过5%，适合用在家用空气净化机对室内空气往返循环的环境。254波长的都可以的，185波长的更可以，波长越短能量越强。只是185NM波长的只能在真空环境了存在，在普通有空气的环境射程短，大部分和O2结合把O2电离成了O+O,O+O2生产了O3臭氧，但185的在灯管近距离总还是有一部分该公司的国内首先开发的高功率与超高功率低气压UV放电管发出的具有代表性的紫外线是253.7nm及184.9nm，光子能量分别为472KJ/mol和647KJ/mol，能切断绝大多数的分子结合。UV照射固体表面后，表面的污染物有机分子结合被强的光能切断、氧化，而后被分解成CO2和H2O等易挥发性物质，最终挥发消失。表面被清洗后的其清洁度极高，能把膜状的油污清洗到单分子层以下。