光电调制实验报告

佛山科学技术学院实验报告课程名称实验项目专业班级姓名学号指导教师成绩日期年月日一、实验目的1.掌握晶体电光调制的原理和实验方法；2.观察电光调制实验现象，并测量电光晶体的参数；3.实现模拟信号光通讯。二、实验仪器电光调制电源组件、光接收放大器组件、激光器组件、光纤准直镜、电光调制晶体组件、起偏器组件、检偏器组件、数字示波器等。三、实验原理1.一次电光效应和晶体的折射率椭球由电场所引起的晶体折射率的变化，称为电光效应。通常可将电场引起的折射率的变化用下式表示：n=n0+aE0+bE02+……（1）式中a和b为常数，n0为不加电场时晶体的折射率。由一次项aE0引起折射率变化的效应，称为一次电光效应，也称线性电光效应或普克尔（Pokells）效应；由二次项bE02引起折射率变化的效应，称为二次电光效应，也称平方电光效应或克尔（Kerr）效应。一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中，二次电光效应则可能存在于任何物质中，一次效应要比二次效应显著。光在各向异性晶体中传播时，因光的传播方向不同或者是电矢量的振动方向不同，光的折射率也不同。如图1，通常用折射率球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系。在主轴坐标中，折射率椭球及其方程为:1232222212nznynx（2）图1折射率椭球式中n1、n2、n3为椭球三个主轴方向上的折射率，称为主折射率。当晶体加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球方程变成1222212213223233222222112nxynxznyznznynx（3）晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。纵向电光效应是加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播的方向平行时产生的电光效应；横向电光效应是加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应。通常KD*P（磷酸二氘钾）类型的晶体用它的纵向电光效应，LiNbO3（铌酸锂）类型的晶体用它的横向电光效应。本实验研究铌酸锂晶体的一次电光效应，用铌酸锂晶体的横向调制装置测量铌酸锂晶体的半波电压及电光系数，并用两种方法改变调制器的工作点，观察相应的输出特性的变化。2.电光调制原理要用激光作为传递信息的工具，首先要解决如何将传输信号加到激光辐射上去的问题，我们把信息加载于激光辐射的过程称为激光调制，把完成这一过程的装置称为激光调制器。由已调制的激光辐射还原出所加载信息的过程则称为解调。因为激光实际上只起到了“携带”低频信号的作用，所以称为载波，而起控制作用的低频信号是我们所需要的，称为调制信号，被调制的载波称为已调波或调制光。按调制的性质而言，激光调制与无线电波调制相类似，可以采用连续的调幅、调频、调相以及脉冲调制等形式，但激光调制多采用强度调制。强度调制是根据光载波电场振幅的平方比例于调制信号，使输出的激光辐射的强度按照调制信号的规律变化。激光调制之所以常采用强度调制形式，主要是因为光接收器一般都是直接地响应其所接受的光强度变化的缘故。激光调制的方法很多，如机械调制、电光调制、声光调制、磁光调制和电源调制等。其中电光调制器开关速度快、结构简单。因此，在激光调制技术及混合型光学双稳器件等方面有广泛的应用。电光调制根据所施加的电场方向的不同，可分为纵向电光调制和横向电光调制。下面我们来具体介绍一下这两种调制原理和典型的调制器(1)KDP晶体纵调制设电光晶体是与xy平行的晶片，沿z方向的厚度为L，在z方向加电压（纵调制），在输入端放一个与x方向平行的起偏振器，入射光波沿z方向传播，且沿x方向偏振，射入晶体后，它分解成、方向的偏振光（图2），射出晶体后的偏振态表示为：221ˆ2iieJe，(4)图2首先进行坐标变换，得到xy坐标系内琼斯矩阵的表达式：22cos2111ˆ(4)sin2112iieRJie(5)如果在输出端放一个与y平行的检偏振器，就构成泡克耳斯盒.由检偏器输出的光波琼斯矩阵为：0cos200ˆsin2sin201xyJii，(6)其中为两个本征态通过厚度为L的电光介质获得的相位差，由于VV。（7）式表示输出光波是沿y方向的线偏振光，其光强为200(1cos)sin22IVIIV。（7）上式说明光强受到外加电压的调制，称振幅调制，I0为光强的幅值，当0.VVII时图3为泡克耳斯盒（振幅型纵调制系统）示意图，z向切割的KD*P晶体两端胶合上透明电极ITO1、ITO2，电压通过透明电极加到晶体上去.在玻璃基底上蒸镀透明导电膜，就构成透明电极，膜层材料为锡、铟的氧化物，膜层厚度从几十微米到几百微米，其透明度高（80%~90%），膜层的面电阻小(几十欧姆)。在通光孔径外镀铬，再镀金或铜即可将电极引线焊上。KD*P调制器前后为一对互相正交的起偏振镜P与检偏振镜（分析镜）A，P的透过率极大方向沿KD*P感生主轴、的角平分线。在KD*P和A之间通常还加相位延迟片Q（即四分之一波片），其快、慢轴方向分别与、相同。由于入射光波预先通过四分之一波片移相，因而有0200021cossin.224IVIIV(8)加上预置的相位0后，工作点移到调制曲线的中点附近，使线性大大改善.泡克耳斯盒的特性曲线见图4.其输出随着外电压的加大而加大，表明有更多的能量从x-偏振态转移到y-偏振态中去.如果在电极间加交变电压sinmVVt，(9)则光强的透过率PQITO1ITO2A图3泡克耳斯盒P，起偏振器；Q，四分之一波片；A，检偏振器；ITO，透明电极KD*P电极引线绝缘环11sinsin22mTt2101sin2122mkkJkt，(10)式中21kJz为2k+1阶贝塞尔函数，mmVV.(11)当m不大时（即调制电压幅度较低时），（10）式近似表为1sin22mTt，(12)可见系统的输出光波的幅度也是正弦变化，称正弦振幅调制。图4表示振幅型电光调制器(amplitudeelectro-opticmodulator)的特性曲线。图中()iPt为输入光信号的功率，()tPt为输出光信号的功率，()tPt/()iPt即器件的透过率。()Vt为调制电压。可以看出1/4波片的作用相当于工作点偏置到特性曲线中部线性部分，在这一点进行调制效率最高，波形失真小。如不用波片（0=0），输出信号中只存在二次谐波分量。对于He-Ne激光，KDP的半波电压为303638.97110.2oVVn（13）如果用KD*P（磷酸二氘钾），33.44810VV，调制电压仍相当高，给电路的制造带来不便。常常用环状金属电极代替透明电极，但电场方向在晶体中不一致，使透过调制器的光波的消光比下降。(2)铌酸锂晶体横调制(transversemodulation)图4线性电光效应振幅调制器的特性曲线(7)式表明纵调制器件的调制度近似为m，与外加电压振幅成正比，而与光波在晶体中传播的距离（即晶体沿光轴z的厚度L，又称作用距离）无关。这是纵调制的重要特性。纵调制器也有一些缺点。首先，大部分重要的电光晶体的半波电压V都很高。由于V与成正比，当光源波长较长时（例如10.6μm），V更高，使控制电路的成本大大增加，电路体积和重量都很大。其次，为了沿光轴加电场，必须使用透明电极，或带中心孔的环形金属电极。前者制作困难，插入损耗较大；后者引起晶体中电场不均匀。解决上述问题的方案之一，是采用横调制。图5为横调制器示意图。电极D1、D2与光波传播方向平行。外加电场则与光波传播方向垂直。我们已经知道，电光效应引起的相位差正比于电场强度E和作用距离L(即晶体沿光轴z的厚度)的乘积EL、E正比于电压V，反比于电极间距离d，因此~LVd(14)对一定的，外加电压V与晶体长宽比L/d成反比，加大L/d可使得V下降。电压V下降不仅使控制电路成本下降、而且有利于提高开关速度。铌酸锂晶体具有优良的加工性能及很高的电光系数，123330.810/mV，常常用来做成横调制器。铌酸锂为单轴负晶体，有2.297,2.208xyozennnnn。令电场强度为zEE，代入方程（6-14）得到电场感生的法线椭球方程式：22213332211()1,zzoeExyEznn（15）或写作：2222221,xyzxyznnn（16）其中31312xyooznnnnE，（17）33312zeeznnnE。（18）应注意在这一情况下电场感生坐标系和主轴坐标系一致，仍然为单轴晶体，但寻常光和非常光的折射率都受到外电场的调制。设入射线偏振光沿xz的角平分线方向振动，两个本征态x和z分量的2D1D光波传播方向外电场(强度为E)晶体图5横调制Ld折射率差为33133312xzoeoennnnnnE。（19）当晶体的厚度为L，则射出晶体后光波的两个本征态的相位差为3313330002222oexzoennnnLnnLEL，（20）上式说明在横调制情况下，相位差由两部分构成：晶体的自然双折射部分(式中第一项)及电光双折射部分（式中第二项）。通常使自然双折射项等于π/2的整倍数。横调制器件的半波电压为0333313eodVLnn，(21)我们用到关系式E=V/d。由上式可知半波电压V与晶体长宽比L/d成反比。因而可以通过加大器件的长宽比L/d来减小V。横调制器的电极不在光路中，工艺上比较容易解决。横调制的主要缺点在于它对波长0很敏感，0稍有变化，自然双折射引起的相位差即发生显著的变化。当波长确定时（例如使用激光），这一项又强烈地依赖于作用距离L。加工误差、装调误差引起的光波方向的稍许变化都会引起相位差的明显改变，因此通常只用于准直的激光束中。或用一对晶体，第一块晶体的x轴与第二块晶体的z轴相对，使晶体的自然双折射部分(16式中第一项)相互补偿，以消除或降低器件对温度、入射方向的敏感性。有时也用巴比涅－索勒尔（Babinet-Soleil）补偿器，将工作点偏置到特性曲线的线性部分。迄今为止，我们所讨论的调制模式均为振幅调制，其物理实质在于：输入的线偏振光在调制晶体中分解为一对偏振方位正交的本征态，在晶体中传播过一段距离后获得相位差，为外加电压的函数。在输出的偏振元件透光轴上这一对正交偏振分量重新叠加，输出光的振幅被外加电压所调制，这是典型的偏振光干涉效应。(3)改变直流偏压对输出特性的影响①当20UU、UmU时，将工作点选定在线性工作区的中心处，如图6（a）所示，此时，可获得较高效率的线性调制，把20UU代入（18）式，得)sin24(sin2tUUTm)]sin2cos(1[21tUUm)]sinsin(1[21tUUm(22)由于UmU时]sin)(1[21tUUTm,即T∝sinωt(23)这时，调制器输出的信号和调制信号虽然振幅不同，但是两者的频率却是相同的，输出信号不失真，我们称为线性调制。②当00U、UmU时，如图6（b）所示，把00U代入（20）式)sin2(sin2tUUTm)]sincos(1[21tUUmtUUm22sin)(41即T∝cos2ωt(24)从上式可以看出，输出信号的频率是调制信号频率的二倍，即产生“倍频”失真。若把UU0代入（20）式，经类似的推导，可得)2cos1()(8112tUUTm（25）即T∝cos2ωt，输出信号仍是“倍频”失真的信号。(a)(b)图6晶体调制曲线③直流偏压U0在0伏附近或在U附近变化时，由于工作点不在线性工作