传感器原理与应用技术7-1.

传感器原理与应用——第七章第七章半导体磁敏传感器传感器原理与应用——第七章简介磁敏式传感器都是利用半导体材料中的自由电子或空穴随磁场改变其运动方向这一特性而制成。按其结构可分为体型和结型两大类。体型的有霍尔传感器，其主要材料InSb(锑化铟)、InAs（砷化铟）、Ge（锗）、Si、GaAs等和磁敏电阻InSb、InAs。结型的有磁敏二极管Ge、Si，磁敏三极管Si应用范围可分为模拟用途和数字用途。传感器原理与应用——第七章7.1霍尔传感器7.1.1霍尔效应传感器原理与应用——第七章7.1霍尔传感器7.1.1霍尔效应传感器原理与应用——第七章图7-1霍尔效应UHbldIFLFEvB7.1霍尔传感器7.1.1霍尔效应传感器原理与应用——第七章所以，霍尔电压UH可表示为UH=EHb=vBb(7-3)设霍尔元件为N型半导体，当它通电流I时FL=qvB(7-1)当电场力与洛仑兹力相等时，达到动态平衡，这时有qEH=qvB故霍尔电场的强度为EH=vB（7-2）传感器原理与应用——第七章流过霍尔元件的电流为I=dQ/dt=bdvnq得：v=I/nqbd(7-4)所以：UH=BI/nqd若取RH=1/nq则dIBRUHHRH被定义为霍尔元件的霍尔系数。显然，霍尔系数由半导体材料的性质决定，它反映材料霍尔效应的强弱。传感器原理与应用——第七章dRKHH设IBKUHHKH即为霍尔元件的灵敏度，它表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小.单位是mV/（mA·T）nqdKH1传感器原理与应用——第七章材料中电子在电场作用下运动速度的大小常用载流子迁移率来表征，即在单位电场强度作用下，载流子的平均速度值。即IEvlUvIEbBlUvbBUH所以而lBUbRbdlUdBRRUdBRdIBRUHHHHH比较得HR或12)-(7HR传感器原理与应用——第七章结论：①如果是P型半导体，其载流子是空穴，若空穴浓度为p，同理可得pedIBUH②霍尔电压UH与材料的性质有关。③霍尔电压UH与元件的尺寸有关。HRdRKHHbBlUvbBUH传感器原理与应用——第七章另外通常还要对其形状效应修正UH=RHBIf(L/b)/dL/b0.51.01.52.02.53.04.0f(L/b)0.3700.6750.8410.9230.9670.9840.996④霍尔电压UH与控制电流及磁场强度有关。传感器原理与应用——第七章7.1.2霍尔元件的构造及测量电路基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件，霍尔元件多采用N型半导体材料。霍尔元件越薄(d越小)，kH就越大。霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成，如图所示。传感器原理与应用——第七章1构造传感器原理与应用——第七章霍尔片是一块半导体单晶薄片(一般为4mm×2mm×0.1mm)，它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。传感器原理与应用——第七章2测量电路W1W2UHUH~（a）基本测量电路WUHRLE（b）直流供电输出方式（c）交流供电输出方式传感器原理与应用——第七章7.1.3霍尔元件的技术参数1.额定功耗P0在环境温度25℃时，允许通过霍尔元件的电流和电压的乘积。2.输入电阻Ri和输出电阻RORi是指控制电流极之间的电阻值。R0指霍尔元件电极间的电阻。Ri、R0可以在无磁场时用欧姆表等测量。传感器原理与应用——第七章4.霍尔温度系数α在一定的磁感应强度和控制电流下，温度变化1℃时，霍尔电势变化的百分率。tUUUHoHoHt/)（即：)1(tUUHoHt3.不平衡电势U0在额定控制电流I下，不加磁场时霍尔电极间的空载霍尔电势。传感器原理与应用——第七章5.内阻温度系数β霍尔元件在无磁场及工作温度范围内，温度每变化1℃时，输入电阻与输出电阻变化的百分率。tRRRioioit/)（)1(tRRioit即：6.灵敏度)1(tRROoOt或：dRKHH/减小d;选好的半导体材料传感器原理与应用——第七章型号材料控制电流(mA)霍尔电压(mV,0.1T)输入电阻(ΩΩ)输出电阻(ΩΩ)灵敏度(mV/mA.T)不等位电势(mV)VH温度系数(%/℃)EA218InAs1008.531.50.350.50.1FA24InAsP100136.52.40.7510.07VHG-110GaAs55-10200-800200-80030-220VH的20%-0.05AG1Ge20max540302.5_-0.02MF07FZZInSb1040-2908-608-65_±10-2MF19FZZInSb1080-6008-608-65_±10-2MH07FZZInSb1V80-12080-40080-430_±10-0.3MH19FZZInSb1V150-25080-40080-430_±10-0.3KH-400AInSb5250-550240-55050-11050-110010-0.3霍尔元件的主要技术参数传感器原理与应用——第七章7.1.4霍尔元件的测量误差和补偿1.零位误差及补偿方法图7-4不等位电势图7-5霍尔元件的等效电路AIU0BCDDR1R2R4ABCR3R4传感器原理与应用——第七章几种常用补偿方法BBBWACDWACD(b)WCADWCDAR2R3R4R1BBWDAR2R3R4R1C（a）（b）（c）WCDAR2R3R4R1B传感器原理与应用——第七章2.温度误差及补偿(1)利用输入回路串联电阻进行补偿（a）基本电路（b）等效电路EIUHRUHtRt(t)RIUHERi(t)传感器原理与应用——第七章元件霍尔系数和输入内阻与温度之间的关系式为：则霍尔电压随温度变化的关系式为：由图7-7可知：tRRHtH10tRRiit10ittRREIittHHHRREBdRBIdRU传感器原理与应用——第七章对上式求温度的导数，可得增量表达式：00200iiitiHHRRRRRRRBEdRdtdURRRRRRRUiiitiH0022000022000iiitiiHRRRRRRRRREBdR传感器原理与应用——第七章即：由上式可看出，要使温度变化时霍尔电压不变，必须使000RRRii0iRR当元件的α、β及内阻Ri0确定后，温度补偿电阻R便可求出。在实际应用中，当霍尔元件选定后，其α、β值可以从元件参数表中查出，而元件内阻Ri0则可由测量得到。传感器原理与应用——第七章（2）利用输出回路的负载进行补偿（a）基本电路（b）等效电路UHIIRLUHtRi(t)Rt(t)RLIUHI霍尔元件的输入采用恒流源，使控制电流Ｉ稳定不变。即，可以不考虑输入回路的温度影响传感器原理与应用——第七章在温度影响下，元件输出电阻和电势变为：)1()1(00tUUtRRHHtOOt此时，RL上的电压为负载电阻RL上电压随温度变化最小的极值条件为0dtdULt])[2,,,yxyyxyx（0)1)100tRRtROLO（（0OLRR根据LLOHLtRRtRtUU)1()1(00传感器原理与应用——第七章当负载电阻比霍尔元件输出电阻大得多时，输出电阻变化对霍尔电压输出的影响很小。在这种情况下，只考虑在输入端进行补偿即可。若采用恒流源，输入电阻随温度变化而引起的控制电流的变化极小，从而减少了输入端的温度影响。（3）利用恒流源进行补偿传感器原理与应用——第七章对于温度系数大的半导体材料常使用。霍尔输出随温度升高而下降，只要能使控制电流随温度升高而上升，就能进行补偿。例如在输入回路串入热敏电阻，当温度上升时其阻值下降，从而使控制电流上升。（4）利用热敏电阻进行补偿（a）输入回路补偿RRt传感器原理与应用——第七章（b）输出回路补偿或在输出回路进行补偿。负载RL上的霍尔电势随温度上升而下降的量被热敏电阻阻值减小所补偿。实际使用时，热敏电阻最好与霍尔元件封在一起或靠近，使它们温度变化一致。RRLRt传感器原理与应用——第七章（5）利用补偿电桥进行补偿调节电位器W1可以消除不等位电势。电桥由温度系数低的电阻构成，在某一桥臂电阻上并联一热敏电阻。温度变化时，热敏电阻将随温度变化而变化，电桥的输出电压相应变化，仔细调节，即可补偿霍尔电势的变化，使其输出电压与温度基本无关。w1w2E1w3R2R3R4R1E2RtUHt传感器原理与应用——第七章常用霍尔传感器GaAs（砷化镓）和lnSb（锑化铟）介绍:1.GaAs霍尔传感器的品质①霍尔电压的温度稳定性好最大的优点是其在恒流工作时温度稳定性好，温度变化10℃，输出电压变化不超过-0.6％。②输出线性好最大误差只有2%(1K与5K高斯霍尔电压的比)。完全可以满足一般的用途。传感器原理与应用——第七章③灵敏度低与InSb霍尔传感器相比灵敏度低。大多数InSb霍尔传感器的输出电压较高，但这类传感器在500高斯左右开始达到饱和。④GaAs霍尔传感器的不平衡电压随温度变化较大。在弱磁场中(10高斯以下)不如InSb霍尔传感器。传感器原理与应用——第七章THS103ATHS106A种类GaAsGaAs霍尔电压50~120mv(1mA,1k高斯)65~170mv输入电阻450~900Ω450~900Ω温度系数-0.06%-0.06%价格4元4元传感器原理与应用——第七章2.InSb霍尔传感器的品质InSb霍尔传感器与GaAs的特性几乎相反。①不平衡电压稳定性好InSb霍尔传感器在恒压工作时不平衡电压的稳定性很好，噪音也小，在弱磁场中工作可很好地进行S/N的测量。②霍尔电压的温度稳定性不好在恒流工作时其温度系数为-2%/℃(最大)，是GaAs的30~40倍。传感器原理与应用——第七章为了改善InSb霍尔传感器的温度特性，采用恒压工作，可以将温度系数降低近10倍。③InSb霍尔传感器的频率特性也不太好(大约在数千赫至数十千赫)。在理论上GaAs霍尔传感器的频带在兆赫以上，而实际上是达不到的，但无论如何也会有InSb霍尔传感器数十倍以上的带宽。传感器原理与应用——第七章7.2集成霍尔传感器集成霍尔传感器是利用硅集成电路工艺将霍尔元件和测量线路集成在一起的霍尔传感器。它取消了传感器和测量电路之间的界限，实现了材料、元件、电路三位一体。集成霍尔传感器由于减少了焊点，因此显著地提高了可靠性。此外，它具有体积小、重量轻、功耗低等优点。传感器原理与应用——第七章7.2.1开关型集成霍尔传感器开关型集成霍尔传感器是把霍尔元件的输出经过处理后输出一个高电平或低电平的数字信号。霍尔开关电路又称霍尔数字电路，由稳压器、霍尔片、差分放大器，施密特触发器和输出级五部分组成。传感器原理与应用——第七章7.2.2线性集成霍尔传感器线性集成霍尔传感器是把霍尔元件与放大线路集成在一起的传感器。其输出电压与外加磁场成线性比例关系。一般由霍尔元件、差分放大、射极跟随输出及稳压四部分组成，霍尔线性集成传感器广泛用于位置、力、重量、厚度、速度、磁场、电流等的测量或控制。传感器原理与应用——第七章7.3.1磁阻效应当载流导体置于磁场中，其电阻会随磁场而变化的现象。当温度恒定时，在磁场中，磁阻与磁感应强度B的平方成正比。如果器件只有在电子参与导电的情况下，理论推导出来的磁阻效应方程为：)273.01220BB（7.3磁敏电阻器传感器原理与应用——第七章电阻率的相对变化22220273.0BKB可以看出，在磁感应强度Ｂ一定时，迁移率越高的材料（如InSb、InAs、NiSb等半导体材料）磁阻效应越明显。从微观上讲，材料的电阻率增加是因为电流的流动