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第1页共4页1专升本《集成电路版图设计》一、（共75题,共150分）1.单词“LAYOUT”的含义是:（）。（2分）A.版图B.电路C.输出.标准答案：A2.集成电阻通常由扩散或者淀积层形成，通常可以用厚度一定的薄膜作为模型，因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位，称为（）。（2分）A.方块电阻B.电阻C.半导体电阻.标准答案：A3.由于其较小的方块电阻，发射区是唯一适合于制作较小电阻（0.5～100）的区域。对于发射区电阻可以忽略（）和电导调制效应。（2分）A.电流调制B.电压调制C.电荷调制.标准答案：B4.在模拟BiCMOS工艺中，发射区电阻可以直接置入（）外延层内；（2分）A.P型B.N型C.P型或N型.标准答案：A5.电容的标准单位是（）。（2分）A.法拉B.伏特C.安培.标准答案：A6.CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容，（）可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极。（2分）A.电阻多晶硅B.电容多晶硅C.多晶硅栅.标准答案：C7.单位面积电容与相对介电常数即电介质常数成（）。（2分）A.反比B.正比C.无关.标准答案：B8.流过导体的电流会在导体周围产生（）。（2分）A.电场B.磁场C.电磁场.标准答案：B9.发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的（）工作电压。重要的三种击穿电压为VEBO，VCBO，VCEO等。（2分）A.最大B.最小C.任意.标准答案：A10.发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO，绝大多数晶体管的集电区和基区都是（）的，所以VCBO通常很大。（2分）A.重掺杂B.不掺杂C.轻掺杂.标准答案：C11.二极管连接形式的晶体管可以作为一个很方便的基准（）源。（2分）A.电压B.电流C.电压或电流.标准答案：A12.使用P型外延层，必须加入深的轻掺杂（）型扩散区用于制作PMOS晶体管。（2分）A.NB.PC.N或P.标准答案：A13.MOS晶体管是一种（）控制器件。（2分）A.电流B.电压C.电阻.标准答案：B14.根据版图设计规则中的（）最小宽度，可以确定器件最小沟道长度。（2分）A.activeB.polyC.metal1.标准答案：B15.LVS的作用是检查所设计的版图是否与所设计的（）完全一致。（2分）A.结构图B.电路性能C.电路图.标准答案：C16.集成电路版图设计按设计自动化程度来分有:________________和________________。（4分）.标准答案：1.手工设计;2.自动设计;17.导体又分为____________和____________区分。材料传导电流的强弱用材料电阻值来描述。（4分）.标准答案：1.良导体;2.不良导体;18.在标准双极工艺中，发射区电阻常用做____________________和____________________。在单层金属工艺中广泛用做隧道。（4分）.标准答案：1.功率管整流;2.电流敏感电阻;19.电容存储的是________________。（2分）.标准答案：1.电场能量;20.CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容，一般而言，________________________可以用作形成上电极。（2分）.标准答案：1.电阻多晶硅层;21.随着电流的变化，能量流入或流出这个磁场，这些能量流沿着导体产生压降。电流和电压关系可以定量的表示为____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________。（2分）.标准答案：1.;22.在线圈中每圈导线称为一匝，每匝产生的磁场也会通过其他所有匝，称为____________。（2分）.标准答案：1.磁耦合;23.集成电路版图设计师共设()个等级。（2分）A.3B.4C.5第2页共4页2.标准答案：C24.元素周期表中一些元素（如硅和锗）的电学特性介于金属与非金属之间，叫()。（2分）A.导体B.绝缘体C.半导体.标准答案：C25.标准双极工艺基区方块电阻的典型值范围为()，并且允许直接在电阻上形成欧姆接触。（2分）A.10～20B.100～200C.400～800.标准答案：B26.发射区电阻必须置于适合的隔离岛中，通常的做法是发射区电阻制作在()内，基区扩散又制作在一个N阱内。（2分）A.有源区B.基区扩散C.发射区扩散.标准答案：B27.标准双极工艺和BiCMOS工艺都能提供发射结电容。在零偏压下，这种电容能提供较大的单位面积电容（典型值为0.8fF/um2）,但这种电容会随着反偏电压的增大而逐渐()。（2分）A.增大B.减小C.不变.标准答案：B28.使用()的电介质，利用相对较小的区域制作大电容器。（2分）A.高介电常数B.低介电常数C.无所谓.标准答案：A29.结电容通常作在隔离岛内，隔离岛必须制作接触以确保集电结()。（2分）A.正偏B.不偏C.反偏.标准答案：C30.品质因数的一般性原则:寄生效应越小，品质因数Q()；（2分）A.越大B.越小C.无关.标准答案：A31.集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管，VEBO大约()左右。（2分）A.1VB.7VC.10V.标准答案：B32.当NPN晶体管的发射结和集电结都处于正偏时就会进入()。（2分）A.饱和工作状态B.线性放大工作状态C.截止工作状态.标准答案：A33.发射结齐纳二极管的发射区通常为圆形或椭圆形。采用圆形是为了防止发射区拐角()增强。（2分）A.磁场B.电场C.电磁场.标准答案：B34.使用N型外延层，必须加入深的轻掺杂()型扩散区用于制作NMOS晶体管。（2分）A.NB.PC.N或P.标准答案：B35.MOS晶体管是()端器件。（2分）A.2B.3C.4.标准答案：C36.版图设计规则，原因是器件的几何图形受加工精度的限制，物理学上对器件图形大小和()也有要求。（2分）A.间距B.形状C.层次.标准答案：A37.以下是正确的版图设计步骤的是()。（2分）A.先画版图，再设计线路图，然后做LVS,最后是DRCB.先画线路图，再设计版图，然后做DRC,最后是LVSC.先画DRC，再设计线路图，然后做LVS,最后是版图.标准答案：B38.按照对布局布线位置的限制和布局模块的限制来分有________________________________________________________________和________________________________________________________________2大类。（4分）.标准答案：1.全定制(fullcustom);2.半定制(semi-custom)。;39.集成电阻通常由扩散或者淀积层形成，通常可以用厚度一定的薄膜作为模型，因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位，称为________________。（2分）.标准答案：1.方块电阻;40.实际电阻的非线性（电压调制）源于几个因素:____________、____________以及____________。（6分）.标准答案：1.自加热;2.强场速度饱和;3.耗尽区侵蚀;41.如果导体中加入电荷，导体内部就会产生电场，电场的产生就意味着导体内电势的变化，这个关系可用下式定量表示:____________________；（2分）.标准答案：1.Q=C*V;42.电容产生的电场方向和芯片表面平行，这些电容被称作是________________________。（2分）.标准答案：1.横向通量电容;43.电感器是用于提供精确电感值的电路元件。国际单位制定义________为电感的标准单位。（2分）.标准答案：1.亨利;44.电流集边效应使高频下电感的串联电阻Rs急剧增大。________________是造成电流集边的原因之一。（2分）.标准答案：1.趋肤效应;45.电容的标准单位是（）。（2分）A.法拉B.伏特C.安培.标准答案：A46.CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容，（）可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极。（2分）A.电阻多晶硅B.电容多晶硅C.多晶硅栅.标准答案：C第3页共4页347.单位面积电容与相对介电常数即电介质常数成（）。（2分）A.反比B.正比C.无关.标准答案：B48.流过导体的电流会在导体周围产生（）。（2分）A.电场B.磁场C.电磁场.标准答案：B49.发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的（）工作电压。重要的三种击穿电压为VEBO，VCBO，VCEO等。（2分）A.最大B.最小C.任意.标准答案：A50.发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO，绝大多数晶体管的集电区和基区都是（）的，所以VCBO通常很大。（2分）A.重掺杂B.不掺杂C.轻掺杂.标准答案：C51.二极管连接形式的晶体管可以作为一个很方便的基准（）源。（2分）A.电压B.电流C.电压或电流.标准答案：A52.使用P型外延层，必须加入深的轻掺杂（）型扩散区用于制作PMOS晶体管。（2分）A.NB.PC.N或P.标准答案：A53.MOS晶体管是一种（）控制器件。（2分）A.电流B.电压C.电阻.标准答案：B54.根据版图设计规则中的（）最小宽度，可以确定器件最小沟道长度。（2分）A.activeB.polyC.metal1.标准答案：B55.LVS的作用是检查所设计的版图是否与所设计的（）完全一致。（2分）A.结构图B.电路性能C.电路图.标准答案：C56.集成电路版图设计按设计自动化程度来分有:________________和________________。（4分）.标准答案：1.手工设计;2.自动设计;57.导体又分为____________和____________区分。材料传导电流的强弱用材料电阻值来描述。（4分）.标准答案：1.良导体;2.不良导体;58.在标准双极工艺中，发射区电阻常用做____________________和____________________。在单层金属工艺中广泛用做隧道。（4分）.标准答案：1.功率管整流;2.电流敏感电阻;59.电容存储的是________________。（2分）.标准答案：1.电场能量;60.CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容，一般而言，________________________可以用作形成上电极。（2分）.标准答案：1.电阻多晶硅层;61.随着电流的变化，能量流入或流出这个磁场，这些能量流沿着导体产生压降。电流和电压关系可以定量的表示为________________。（2分）.标准答案：1.;62.在线圈中每圈导线称为一匝，每匝产生的磁场也会通过其他所有匝，称为____________。（2分）.标准答案：1.磁耦合;63.集成电路版图设计师共设()个等级。（2分）A.3B.4C.5.标准答案：C64.元素周期表中一些元素（如硅和锗）的电学特性介于金属与非金属之间，叫()。（2分）A.导体B.绝缘体C.半导体.标准答案：C65.标准双极工艺基区方块电阻的典型值范围为()，并且允许直接在电阻上形成欧姆接触。（2分）A.10～20B.100～200C.400～800.标准答案：B66.发射区电阻必须置于适合的隔离岛中，通常的做法是发射区电阻制作在()内，基区扩散又制作在一个N阱内。（2分）A.有源区B.基区扩散C.发射区扩散.标准答案：B67.标准双极工艺和BiCMOS工艺都能提供发射结电容。在零偏压下