《传感器原理及工程应用》第三版郁有文课后答案

7-4什么是霍尔效应？霍尔电势与哪些因素有关？【答】1、通电的导体或半导体，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势。2、霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度，其灵敏度与霍尔系数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度，霍尔元件常制成薄片形状。7-5影响霍尔元件输出零点的因素有哪些？如何补偿？1、影响霍尔元件输出零点的因素当霍尔元件的激励电流为I时，若元件所处位置磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称为不等位电势。产生这一现象的原因有：（1）霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；（2）半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀；（3）激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。2、不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势，而实用中要消除不等位电势是极其困难的，因而必须采用补偿的方法。可以把霍尔元件等效为一个电桥，用电桥平衡来补偿不等位电势。由于A、B电极不在同一等位面上，此四个电阻阻值不相等，电桥不平衡，不等位电势不等于零。此时可根据A、B两点电位的高低，判断应在某一桥臂上并联一定的电阻，使电桥达到平衡，从而使不等位电势为零。7-8试分析霍尔元件输出接有负载RL时，利用恒压源和输入回路串联电阻RT进行温度补偿的条件。补偿电路如图(a)所示，输入回路与输出回路的等效电路如图(b)、(c)所示。设RL不随温度改变，由于霍尔元件输出电阻Rout随温度变化，输出霍尔电势UH也随温度变化，使得负载电阻上的输出电压HoutLLURRRU与温度有关。(a)霍尔元件接有负载(b)输入回路等效电路(c)输出回路等效电路温度为T0时，负载电阻上的输出电压为))((0000000000inToutLHLHoutLLHoutLLRRRRBEKRBIKRRRURRRU设RT的温度系数，霍尔元件内阻温度系数为，灵敏度温度系数为，则温度升高T后，负载电阻上的电压为)1()1()1()1(0000TRTRBETKTRRRUinTHoutLL要实现温度补偿，应使0UU，即00000000)1()1()1()1(inTHoutLLinTHoutLLRRBEKRRRTRTRBETKTRRR消去二阶小量（即含2或的项），解得ERTRinUHRoutRLRTRL000))(())((inoutoutLoutoutLTRRRRRRRR为了获得最大的输出功率，可使outLRR，则002232inTRR8-1光电效应有哪几种？相对应的光电器件各有哪些？【答】1、光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。2、光电器件（1）基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管、光电摄像管等。（2）基于光电导效应的光电器件有光敏电阻。（3）基于光生伏特效应的光电器件有光电池、光敏二极管、三极管。8-2试述光敏电阻、光敏二极管、光敏晶体管和光电池的工作原理，在实际应用时各有什么特点？【答】1、光敏电阻的工作原理其工作原理是基于光电导效应，其阻值随光照增强而减小。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。无光照时，光敏电阻值（暗电阻）很大，电路中电流（暗电流）很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时，它的阻值（亮电阻）急剧减小，电路中电流迅速增大。一般希望暗电阻越大越好，亮电阻越小越好，此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级，亮电阻值在几千欧以下。2、光敏二极管的工作原理在无光照时，处于反偏的光敏二极管工作在截止状态，其反向电阻很大，反向电流很小，这种反向电流称为暗电流。当有光照射到光敏二极管的PN结时，PN结附近受光子轰击，吸收其能量而产生电子-空穴对，它们在反向电压和内电场的作用下，漂移越过PN结，形成比无光照时大得多的反向电流，该反向电流称为光电流，此时，光敏二极管的反向电阻下降。若入射光的强度增强，产生的电子-空穴对数量也随之增加，光电流也响应增大，即光电流与光照度成正比。如果外电路接上负载，便可获得随光照强弱变化的信号。光敏二极管的光电流I与照度之间呈线性关系。光敏二极管的光照特性是线性的，所以适合检测等方面的应用。3、光敏晶体管的工作原理大多数光敏晶体管的基极无引出线，当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时，集电结就是反向偏压。当光照射在集电结时，就会在结附近产生电子—空穴对，光生电子被拉到集电极，基区留下空穴，使基极与发射极间的电压升高，这样便会有大量的电子流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的β倍，所以光敏晶体管有放大作用。4、光电池的工作原理硅光电池是在一块N型硅片上用扩散的办法掺入一些P型杂质(如硼)形成PN结。当光照到PN结区时，如果光子能量足够大，将在结区附近激发出电子-空穴对，在N区聚积负电荷，P区聚积正电荷，这样N区和P区之间出现电位差。若将PN结两端用导线连起来，电路中有电流流过，电流的方向由P区流经外电路至N区。若将外电路断开，就可测出光生电动势。8-3光电耦合器件分为哪两类？各有什么用途？【答】光电耦合器件分为两类：一类是用于实现电隔离的光电耦合器（又称光电耦合器），另一类是用于检测物体位置或检测有无物体的光电开关（又称光电断续器）。8-5如何理解电荷耦合器件有“电子自扫描”作用？【答】面阵CCD包括x、y两个方向用于摄取平面图像，它能存储由光产生的信号电荷。当对它施加特定时序的脉冲时，其存储的信号电荷便可在CCD内作定向传输而实现自扫描。8-6光在光纤中是怎样传输的？对光纤及入射光的入射角有什么要求？【答】1、光在光纤内的全内反射进行传输的，实际工作时需要光纤弯曲，但只要满足全反射条件，光线仍然继续前进。可见这里的光线“转弯”实际上是由光的全反射所形成的。2、为满足光在光纤内的全内反射，光入射到光纤端面的入射角θi应满足一般光纤所处环境为空气，则n0=1，这样上式可表示为8-7光纤数值孔径NA的物理意义是什么？对NA取值大小有什么意义？【答】1、数值孔径是表征光纤集光本领的一个重要参数，即反映光纤接收光量的多少。无论光源发射功率有多大，只有入射角处于2θc的光椎角内，光纤才能导光。如入射角过大，光线便从包层逸出而产生漏光。2、光纤的NA越大，表明它的集光能力越强，一般希望有大的数值孔径，这有利于提高耦合效率；但数值孔径过大，会造成光信号畸变。所以要适当选择数值孔径的数值，如石英光纤数值孔径一般为0.2~0.4。8-8当光纤的n1=1.46，n2=1.45，如光纤外部介质的n0=1，求光在光纤内产生全内反射时入射光的最大入射角c的值？【解】根据光纤数值孔径NA的定义入射临界角c为08.91706.0arcsinarcNAc故，得该种光纤最大入射角为9.80，即入射光线必须在与该光纤轴线夹角小于9.80时才能传播。222101arcsinnnnci2221arcsinnnci1706.045.146.11sin2222210nnnNAc