S7200CPU内部EEPROM存储空间中永久保存变量区域

文献类型：常问问题,条目ID：17471561,文献编写日期:2009年9月16日(2)评估如何在CPU内部EEPROM存储空间中永久保存变量区域？文献涉及产品问题描述:当高性能电容的时间(根据CPU类型不同而不同)用完，或者电池模块过期(200天)，修改过的参数就会丢失。使用以下程序库所提供的子程序，可以在CPU中的内部EEPROM中保存完整的变量区域，在运行期内该区域是不易失的(在系统手册中仅说明了保存单个变量)。软件要求：此操作程序库使用需要STEP7Micro/WINV4.0SP7或者更高的版本。警告：当CPU启动时，包含DB(数据块)的存储卡不可以被插入。如果包含DB的存储卡被插入，CPU会读出存储卡的内容而不是去读内部EEPROM，同时存储数据被错误的写回。合并和使用库：1.将下载的文件“store_to_eeprom.zip”保存在电脑上。2.在独立的目录下解压文件“store_to_eeprom.zip”。3.双击开始解压的STEP7Micro/WIN库“store_to_eeprom.mwl”。4.在STEP7-Micro/WIN对话栏中打开确认集成的库。增加的“EEPROM(v1.0)”文件夹中包含了子程序“EEPROM_Direct”和“EEPROM_Indirect”。图：01使用子程序：1.在网络中从文件夹“EEPROM(v1.0)”插入所需要的子程序。2.根据例程中的参数列表给所选子程序分配输入输出参数。使用适当的逻辑连接，以确保在执行期间程序执行触发输入位“Start”保持为1(高)。更多的信息也可以在子程序的注释中得到。.注意：不能以很高的频率在EEPROM上保存数据。EEPROM典型的存储次数为100,000次。如果超过这个值，CPU将发生故障。如果按小时在EEPROM上保存数值，那么EEPROM的预计使用寿命是11到12年。起始地址为直接寻址“EEPROM_direct”例程：图：02参数变量类型说明ENBOOL必须始终为1(高)StartBOOL上升沿(0-1)触发程序运行；必须保持1(高)直到BUSY位变成0(低)。V_StartINT偏移量指定(起始地址)。例如，200=VB200LengthINT从偏移量(起始地址)开始待保存的字节数MemoryINT用于子程序的临时存储区BusyBOOL过程状态1(高)，程序在运行中DoneBOOL结束状态1(高)，成功完成保存表：01起始地址为间接寻址“EEPROM_indirect”例程：图：03参数变量类型说明ENBOOL必须始终为1(高)StartBOOL上升沿(0-1)触发程序运行；必须保持1(高)直到BUSY位变成0(低)。AddressDWORD指定起始地址偏移量(起始地址以DWORD类型变量读入)LengthINT从偏移量(起始地址)开始待保存的字节数目MemoryINT用于子程序的临时存储BusyBOOL过程状态1(高)，程序在运行中DoneBOOL结束状态1(高)，成功完成保存表：02程序测试：程序运行后，删除可保持的V变量并将存储的数据装载回CPU。序号.解释1删除数据：由路径“ViewComponentSystemBlock”到“SystemBlock”选择“RetentiveRanges”表。图：04选择数据范围，输入起始地址和范围。点击“Clear”按钮。例程如下图显示：图：052装载数据：停止CPU。启动CPU。启动CPU时，存储数据从CPU的内部EEPROM中被写入存储器。表：03补充说明：关于在STEP7Micro/WIN中插入库的信息见条目号：16689345.STEP7Micro/WINV4.0的SP7免费下载地址的条目号:33005232.