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SPD-032型硅雪崩光电探测器本产品是0.4～1.1μm波长信号的优良探测器，它具有n+p-πp+达通型（Reach-through）结构，兼备了高灵敏度、高速响应和低噪声三优点。内部的雪崩倍增效应可使光流放大120倍以上。其性能相当于EG&G公司的C30817，可相互替代使用。适用于激光测距、测速、测角、光电探测、光电信息传输和光电对抗等系统。1．主要光电特性（3525AT℃）参数名称工作波长(μm)符号数值单位最小最大光敏面直径Ds0.80mm电流响应度1.06S15A/W0.965雪崩增益G120暗电流IR200nA噪声等效功率1.06NEP0.15pW/Hz1/20.90.036脉冲响应时间0.9tr,tf3ns雪崩击穿电压VBR300475V2．最大额定值项目符号条件数值单位最小最大额定工作温度TA-4070℃存贮温度Tstg-45125℃最大反向暗电流IRmatTA=25℃VR=0.9VBR100μAVBR平均温度系数αrTA=-20～50℃1.82.2V/℃p可靠性考核条件主要项目GJB128A试验方法条件要求稳态工作寿命102670±3℃，VR=0.9VBR1000h恒定加速度2006Y1方向，1min98000m/s2温度循环1051条件A，-45℃～125℃25次密封1071条件H1R1≤5×10-3Pa·cm3/s用户注意事项1、请严防器件掉落到金属、玻璃、水泥等坚硬物体表面。2、夹取器件时，禁止使用钳子等坚硬金属工具。3、器件应保存有不含腐蚀性气体、相对温度不大于70%的环境中，若发现窗口玻璃因污染而降低了透明度，或管座引线污染导致漏电增加，可用分析纯无水乙醇清洗或擦洗，80~90℃烘烤30分钟即可恢复。4、使用前请注意每只产品合格证上给定的雪崩击穿电压（VBR），使用时加的反向偏压不要超过0.95VBR值。（并注意温度与Vopt的关系）5、焊接温度不要超过250℃，不要使用含导电物质的助焊剂。