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HMC5883L3轴数字罗盘IC--采用霍尼韦尔各向异性磁阻(AMR)技术物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应，磁阻传感器利用磁阻效应制成。磁场的测量可利用电磁效应，霍尔效应，磁阻效应等各种效应。其中磁阻效应法发展最快，测量灵敏度最高。磁阻传感器可用于直接测量磁场或磁场变化，如弱磁场测量，地磁场测量，各种导航系统中的罗盘，计算机中的磁盘驱动器，各种磁卡机等等。也可以通过磁场变化测量其他物理量，如利用磁阻效应已制成各种位移、角度、转速传感器，各种接近开关，隔离开关，广泛用于汽车、家电及各类需要自动检测与控制的领域。磁阻元件的发展经历了半导体磁阻（MR），各向异性磁阻（AMR），巨磁阻（GMR），庞磁阻（CMR）等阶段。各向异性磁阻传感器AMR（AnisotropicMagneto-Resistivesensors）由沉积在硅片上的坡莫合金薄膜形成电阻，沉积时外加磁场，形成易磁化轴方向。铁磁材料的电阻与电流方向和磁化方向的夹角有关，电流与磁化方向平行是电阻Rmax最大，电流与磁化方向垂直是电阻Rmin最小，电流与磁化方向成θ角时，电阻可表示为：在磁阻传感器中，为消除温度等外界因素对输出的影响，有4个相同的磁阻元件构成惠斯通电桥。AMR各向异性磁电阻效应指铁磁金属或合金中，磁场平行电流和垂直电流方向电阻率发生变化的效应。AMR各向异性传感器的基本单元是用一种长而薄的坡莫（Ni-Fe）合金用半导体工艺沉积在以硅衬底上制成的，沉积的时候薄膜以条带的形式排布，形成一个平面的线阵以增加磁阻的感知磁场的面积。外加磁场使得磁阻内部的磁畴指向发生变化，进而与电流的夹角θ发生变化，就表现为磁阻电阻各向异性的变化。(1)服从式(1)中：Rmin为电流方向与磁化方向垂直时的电阻值；Rmax为电流方向与磁化方向平行时的电流值。从图1可以清楚地看到，当电流方向与磁化方向平行时，传感器最敏感。而一般磁阻都工作于图中45°线性区附近，这样可以实现输出的线性特性。可见，由被测磁场而引起的θ的变化可以转化为输出电压而表现出来，这样就将磁信号转变成了电信号。