IBMFlashSystem产品介绍,解决方案及案例分享

©CopyrightIBMCorporation2015IBMFlashSystem产品介绍，解决方案及案例分享Page2在大数据分析的世界中基础架构至关重要访问至关重要获取数据更深层的含义;无论何时您需要或以何种方式需要速度至关重要在制造影响力的时刻加速实时洞察;能够在最关键时刻进行决策效率至关重要用最佳经济效率交付关键洞察力;这些并非孤立的理论Page3任何应用程序和架构都无需改变效益&经济比磁盘更好减少占地面积、能耗和冷却成本服务器、应用程序和数据库运行得更快！低延迟意味着应用程序的高效率CPU利用率&App.使用效率4%总应用程序处理时间5,200us(5.2ms)5,000us(5ms)200us(0.2ms)应用程序处理时间等待I/O的时间(等待阵列)时间处理数据(ServerCPU)磁盘/混合盘/固态盘IBMFlashSystemCPU利用率&App.使用效率50%总应用程序处理时间400us(.4ms)200us(.2ms)200us(.2ms)额外的时间用来做什么呢？?Page4花费最大、得不偿失耗时、非常昂贵并且具有风险存储延时问题、资源浪费、昂贵和低效昂贵，并对存储性能提升无效客户对各种改善性能方式的反应增加内存典型的性能减损策略增加磁盘驱动器增加CPU优化、调整应用程序Page5PoweredbyIBMFlashCore™Technology极致性能:IBMMicroLatency™:Delivers100microsecondresponsetimes更好的经济性:Lowestlatencyofferingwith40%greatercapacity企业级可靠性:IBMenhancedMicronMLCflashtechnologywithFlashWearGuarantee性能线性扩展:Growcapacityandperformancewithupto2.2PBscalingcapability更好的经济性:Lowlatency,highdensityandlowpowerconsumptiondrivesdowntotalcostofownership高度集成:SimplifiedfullyintegratedmanagementsystemandimproveworkforceproductivityunderasinglenamespaceIBMFlashSystem家族新成员IBMFlashSystemV9000IBMFlashSystem900Page6IBMFlashSystem900,新一代低延迟全闪存阵列IBMMicroLatency™1.1millionIOPS40%容量增加IBMFlashCore™technology与美光展开Flash芯片的技术合作IBMenhancedflashtechnologyMLCNANDflashofferingandFlashWearGuarantee增强了对VMware的支持MinimumlatencyWrite90µsRead155µsMaximumIOPS4KBRead(100%,random)1,100,000Read/write(70%/30%,random)800,000Write(100%,random)600,000Maximumbandwidth256KBRead(100%,sequential)10GB/sWrite(100%,sequential)4.5GB/sPerformanceat-a-glanceIBM全闪存阵列FlashSystem900IBMFlashSystem900Announcement:February23Page7IBMMicroLatency™1.1millionIOPS40%容量增加IBMFlashCore™technology,与美光展开Flash芯片的技术合作IBMenhancedflashtechnologyMLCNANDflashofferingandFlashWearGuarantee增强了对VMware的支持GUI多系统管理增强Performanceat-a-glanceIBM全闪存阵列FlashSystem900IBMFlashSystem900新一代低延迟全闪存阵列Announcement:February19Generalavailability:March20MinimumlatencyWrite90µsRead155µsMaximumIOPS4KBRead(100%,random)1,100,00Read/write(70%/30%,random)800,000Write(100%,random)600,000Maximumbandwidth256KBRead(100%,sequential)10GB/sWrite(100%,sequential)4.5GB/sModuletype1.2TB2.9TB5.7TBModules4681012681012681012RAID5capacity2.44.87.29.61211.617.423.229.022.834.245.657.0RawCapacity7.110.714.217.821.426.335.143.952.752.770.387.9105.5Page8Page9IBMFlashSystemV9000IBM全集成，可扩展，全功能，全闪存存储系统发布:February23•扩展全闪存构架，加速应用和整个基础设施•性能高达2.5MIOPS，延迟仍维持在微码级别•高达57TB可用容量(使用压缩：285TB有效容量)仅占用6U机柜空间，可扩展至456TB可用容量(使用压缩：2.28PB有效容量)仅占用34U机柜•新的licensing架构，简化订单和外部数据虚拟化，快照、镜像、实时压缩的规划•FlashSystemTier1保障计划线性性能扩展高度集成最佳经济性PoweredbyIBMFlashCore™Technology全新的面向开放平台的Tier1存储Page10FlashSystemV840FlashSystemV9000改进两个GUIs一个GUI(全集成的系统管理)简化管理，提高效率高达40TB可用容量(使用压缩：200TB有效容量)仅占用6U机柜空间高达57TB可用容量(使用压缩：285TB有效容量)仅占用6U机柜空间提高40%密度，更加省电、省空间可扩展至320TB可用容量(使用压缩：1.6PB有效容量)仅占用34U机柜可扩展至456TB可用容量(使用压缩：2.28PB有效容量)仅占用34U机柜提高40%密度，更加省电、省空间EnterpriseMLC(eMLCNANDFlash)IBMenhancedMLCNANDFlash更高的密度，同等的性能，相同的寿命保障简化的License包容易理解和规划IBMFlashSystem™V9000:新增强?Page11最大性能ScaledOut(100%Read,4BuildingBlocks)*Latency(4K)200µsIOPS(4K)2,520,000Bandwidth(128K)19.2GB/s最大性能扩展型组件(100%Read,CacheMiss)Latency(4K)200µsIOPS(4K)630,000Bandwidth(128K)6.2GB/s最大性能固定组件(100%Read,CacheMiss)Latency(4K)200µsIOPS(4K)526,000Bandwidth(128K)6.2GB/s双向扩展性能扩展ScalablePerformancePage12IBMFlashSystemTier1保障计划数据压缩:Theeligiblemachine,usingcompression,willachieveasystemlevelstorageefficiencysavingsrateofatleast3:1,basedonComprestimatorperformancemodelingresults,withintheguaranteeperiod性能:IBMMicroLatency™performance寿命:Flashmemorywillbecoveredforread/writeenduranceaslongasyouareunderwarrantyormaintenance7年24x7支持:Upto7yearssupportavailablewithoptionalpriceprotectionandflashmediaretentionofferings金牌服务:NoCharge,ComplimentaryIBMservicesforallTier1opportunities:40hoursfor228+TBsolutionsupto556TB,or80hoursfor556+TBsolutions,LabServicesdeliveryin2015Page13闪存模块(12)RAID控制器（2）电池模块(2)电源(2)风扇模块（4）接口模块（4）管理模块（2）卡槽(2)经过改进的远程访问服务特性前/后支持热插拔的闪存模块、电源、电池、风扇、接口卡和控制器。支持并发代码加载和维护以实现不间断的固件升级。IBMFlashSystem900:硬件概览Page14IBMFlashSystem900:逻辑视图硬件数据通道实现极低延迟基于可定制的FPGA可使数据迁移相对于软件控制具有更快的响应时间，实现极低延迟分布式的out-of-data-pathCPU处理极致性能（高IOPS），超大带宽FCFCoEIBFCFCoEIBCPUs(18)接口控制器管理模块RAID控制器闪存模块(12)FPGAPage15IBMFlashSystem900:闪存模块,逻辑视图FPGA网关接口I/O接口及直接存储通路PPC及DRAM控制OutofDatapath操作垃圾数据收集，错误处理，系统健康，耗损平衡，统计等。闪存芯片每个闪存控制器控制20个闪存芯片每个模块由40个或80个闪存芯片组成XOR校验数据主板(2TB)副板(2TB)–可选FPGAFPGAFPGAFPGAFPGAFPGAFPGA闪存控制器-FPGA每个模块2个或者4个控制器数据通道，硬件I/O逻辑模块LookupTables及写缓存每个控制器控制20个闪存芯片扩展性及并行性：7,680个并行flash操作及1,600个并行DMA操作思考时刻：在大多数混合式或基于固态硬盘的解决方案中，大多数的操作是由软件层控制的，这是影响延迟现象最根本的原因。Page16FlashSystemV9000提升Tier1TCO数字经济IBMFlashSystem推动新的业务机会加速基础架构降低闪存成本保护现有投资简化管理整合数据中心运行混合型工作负载加速应用系统提高员工生产效率推动新的业务机会Page17V9000Page18FlashSystemV9000软件定义的存储服务高可用性配置ThinProvisioningMoreproductiveuseofavailablestorageAcrossallsupportedhostplatformsWithoutthinprovisioning,pre-allocatedspaceisreservedwhethertheapplicationusesitornot.Withthinprovisioning,applicationscangrowdynamically,butonlyconsumespacetheyareactuallyusing.DynamicgrowthBusiestdataextentsareidentifiedandautomaticallyrelocatedtohighestperformingSolid-stateDisksRemainingdataextentscantakeadvantageofhigherc