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IGBT模块的额定值和特性以PDMB100B12为例说明IGBT的额定值和特性：最大额定值Tc=25℃：如果施加超过额定值的负载。会立即损坏元件或降低元件的可靠性。请务必遵照下述额定值进行设计。VCES：门极-发射极间处于短路状态时集电极-发射极之间的电压VGES：集电极-发射极间处于短路状态时门极-发射极之间的电压集电极电流：集电极上容许的最大直流或脉冲电流集电极损耗：一个IGBT构成单元的最大集电极损耗。此模块由两个IGBT构成，该数值为各个IGBT的额定值。结温：IGBT芯片可连续工作的温度范围保存温度：在没有施加电负荷状态下，可存放或运送的温度范围绝缘强度：所有电极全部处于短路状态时，可在电极-基板间施加的最大电压安装扭矩：使用指定螺丝时的最大安装扭矩电特性（一个IGBT构成单元）Tc=25℃ICES：门极-发射极间处于短路状态时集电极-发射极之间的漏电电流IGES：集电极-发射极间处于短路状态时门极-发射极之间的漏电电流VCE(sat)：IGBT通态损耗的尺度，与二极管的正向压降、SCR的导通压降、MOSFET的导通阻抗相对应。VGE(th)：IGBT开始导通时的门极电压Cies：门极-发射极之间的电容开关时间的定义：PDMB100B12最大开关时间解析超快恢复整流二极管的最大额定值和电特性（以一个二极管为单位）Tc=25℃正向电流：内置超快恢复整流二极管上容许的最大直流或脉冲电流正向电压：有指定正向电流流动时的内置二极管的正向压降反向恢复时间：直至内置二极管恢复反向截止状态所需要的时间反向恢复时间的定义热特性热阻：内置的各IGBT或二极管的热阻外壳温度测量点：在铜基板较长方向的中心打开直径1毫米、深5毫米的孔穴，用热电偶进行测量芯片正下方的金属基极的温度为规格数值。