搜索
MOS管选型1、预估使用环境温度Tambient一般情况下取室温25°C，器件附件空气温升10°C，较差情况下不妨取温度45°C，器件附件空气温升20°C最差情况下Tambient=65°C2、计算IDTambient+RθJA*ID*ID*RDS（ON）=Tj例:ME4970RθJA=76°C/WRDS（ON）≤16mΩ（VGS=10V）Tj≤150°CTambient=65°C得ID≤8.36A，与规格书中ID≤8.3A（Tambient=70°C）值很接近3、关于关键器件温升控制△T+To+RθJC*ID*ID*RDS（ON）=TjTo=25°C室温△T=45°C器件温升，即MOS表面70°C。RθJC=46°C/WRDS（ON）≤16mΩ（VGS=10V）Tj≤150°C得ID≤10.4A以上表明，规格书所标注的ID可以直接作为设计参考电流值（Tambient取70°C）。满足温升等要求。也可用到80%，留有一定余量。使用条件不同的，需通过Tambient+RθJA*ID*ID*RDS（ON）=Tj计算ID。注：MOS的气候特性，包括juction-to-ambient和junction-to-case两个参数juction-to-ambient：是指PN结到环境的温度，junction-to-case：PN结至器件外壳的温度。