CMOS逻辑课程复习指导

1.MOS晶体管的工作原理：靠沟道传导电流，如何形成沟道以及外部电压变化情况。2.MOS晶体管通用阈值电压方程、电流方程（截止，线性，饱和以及相关电压范围）。3.MOSFET相关电容（覆盖电容，偏置电容）4.NMOS、CMOS反相器的直流特性（工作状态）5.CMOS反相器Vth的计算（注意条件）6.CMOS反相器的传播延迟时间7.对延迟时间的分析（高变低，低变高）8.理想反相器9.外部电容分量和内部电容分量对延迟时间的影响10.CMOS反相器的电源电压按比例减小（由反相器功耗的表达式得出）、最小值。11.静态CMOS逻辑门的构成特点及或非门Vth的计算12.NMOS：串与并或。PMOS：串或并与13.CMOS传输门特性（NMOS管状态PMOS管状态及其等效电阻以及优点）14.动态逻辑电路存在的问题15.预充—求值动态CMOS电路原理16.预充—求值动态CMOS电路电荷分享问题及其影响17.多米诺CMOS电路特点18.解决多米诺CMOS电路电荷分享问题的方法19.NORACMOS逻辑电路特点20.真单相时钟动态CMOS电路特点21.时序逻辑电路种类22.双稳态特性