第1页§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量Page1迄今已经发展了若干的测定金属费密面的实验方法,这些方法有回旋共振、迪.哈斯-范耳芬效应、磁致电阻、磁声效应等。讨论电子在恒定磁场中的运动是分析许多重要物理效应的基础,例如:回旋共振、迪.哈斯-范耳芬效应讨论电子在恒定磁场中的运动可以有两个层次:一是基于准经典运动近似,所得结果物理图像明晰,但有一定局限性;另一种是基于量子理论,即求解含有磁场时系统的波动方程。本节主要介绍迪.哈斯-范耳芬效应,这是最典型的实验,它显示在均匀磁场中金属性质具有“1/B”的特征周期性。第2页Page2迪.哈斯-范耳芬效应后来人们又发现电导率、比热容等物理也有类似的振荡现象。1930年,迪.哈斯和范耳芬在研究低温下强磁场中铋单晶的磁化率时发现,磁化率随磁场“1/B”变化而振荡,随后在很多金属材料中都观察到了这一现象,这个现象称为迪.哈斯-范耳芬效应。研究发现,这些现象同金属费密面附近电子在强磁场中的行为有关,因而同金属费密面的结构有密切关系,这些效应现已成为研究费密面的有力工具。§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第3页§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量Page3)(1)(kEkvk一、恒定磁场作用下电子的准经典运动只有恒定均匀磁场时:Bkevdtdk)(由此,在k空间中:00dtdkBdtdkBdtdkzCkz波矢k的变化总是垂直于B的方向,假定磁场沿z方向,则波矢k沿磁场方向的分量不随时间变化。即在k空间中,电子在垂直于磁场B的平面内运动第4页Page40)(1)(kvdtdkkvdtdk波矢k的变化垂直于v的方向0)(dtkdE)(1)(kEkvk由于Lorentz力不做功,F⊥v,所以电子的能量值E(k)不随时间变化,电子在k空间的等能面上运动。电子在k空间的运动轨迹是垂直于磁场的平面和等能面的交线。§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第5页Page5mkkE2)(221、对于自由电子,等能面是球面,轨道为圆代入准经典运动的基本方程Bkmedtdkmkkv)(分量形式为0dtdkkmeBdtdkkmeBdtdkzxyyxBkevdtdkkEkvk)()(1)(自由电子的等能面为球面,与kz垂直的平面与等能面的交线就是一系列圆。Kz保持不变,电子在kx—ky面内作匀速圆周运动。§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第6页Page6周期:0dtdvvmeBdtdvvmeBdtdvzxyyxeBmevBkdtdkdkdtTconstEconstE22回旋频率角频率:meBT2在实空间中的运动图像:对于自由电子:kmvconstvtvvtvvzyx0000sincosmeBvvvyx02220v取垂直于磁场的分量§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第7页Page7自由电子沿磁场方向(Z方向)作匀速运动在垂直磁场的平面内作匀速圆周运动即电子在实空间做螺旋运动。§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第8页Page82、对于布洛赫电子,等能面不一定是球面,轨道不一定为圆形角频率:meBT2m--回旋有效质量周期:BevFFmdtdv1电子速度在垂直于磁场方向的分量。vBkevdtdkhvdkeBdtdkdkdtTconstEconstEconstE)(2对布洛赫电子,尽管kz固定,但vz未必一定不变,运动不一定是匀速的。§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第9页Page9二、恒定磁场中自由电子的量子理论迪.哈斯-范耳芬效应在没有磁场时,自由电子的哈密顿量为:22222mmpH有磁场时,自由电子的哈密顿量为:221eApmHA为矢势,均匀磁场沿z轴方向,即BB,0,0AB则,可取0,,0BxA22221zyxpeBxppmH薛定谔方程:)()(21222rErpeBxppmzyx1、磁场作用下晶体自由电子运动的量子化求解薛定谔方程:§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第10页Page10czznmkkE212)(22meBcnLkz2回旋频率n为整数与自由电子能量比较:mkmkmkkEzyx222)(222222施加沿z轴的磁场后,沿z轴电子仍保持自由运动,能量为mkz222在垂直于磁场方向,电子的运动是量子化的,当n一定,电子的能带是一抛物线,n=0是最低的次能带,n增加,次能带向上移。根据量子理论,电子在垂直于磁场平面内的匀速圆周运动对应于一种简谐振动,其能量是量子化的。将这种量子化的能级称为朗道能级得到mkmkyx222222变为一系列一维子能带cn21从原来准连续的能带§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第11页第12页Page12在与磁场垂直的kz=常数的平面内,轨道是量子化的,沿磁场方向的kz取值是准连续的。确定。这样,在k空间中,许可态的代表点将简并到朗道管上,其截面为朗道环。在k空间形成一系列“圆柱面”,每一个圆柱面对应一个确定的量子数n,可以看成是一个子带。每个“圆柱面”上的能量由czznmkkE212)(22n=0,1,2,3,4磁场中三维自由电子气在k空间形成子带自由电子气在磁场中的能带zk空态占有态FEE§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第13页Page13注意:无磁场时,能态在k空间是均匀分布的当磁场存在时,能态就聚集在平行于B的同心圆柱面上。自由电子气准连续的能谱在垂直磁场下聚集成间隔为hω0的分立能级。这种改变是量子态的改变,但量子态的总数应当不变。当量子数n取不同值时,每个圆柱面与自由电子费密面(B=0)的交线代表能量为EF的量子化轨道,每个量子化轨道是高度简并的。每个朗道能级所包含量子态的总数等于原来连续能谱中能量间隔hω0内的量子态数目,即朗道能级的简并度。磁场的作用使自由电子费密面量子化为许多能量为EF的等能线。§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第14页Page14n=0,1,2,3,4czznmkkE212)(22§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第15页Page152、晶体中电子的有效质量近似晶体中电子在磁场中运动时,其哈密顿量为)(212rUeApmHU(r)是晶格周期势,严格求解晶体中的电子在磁场中的运动是非常困难的。但在有些情况下,可将哈密顿量近似写成221eApmH即将周期场的影响概括为有效质量的变化,称为有效质量近似。一般半导体材料中,在导带底和价带顶附近常常可以采用有效质量近似。对有些金属材料(如碱金属)有时也可以采用。在有效质量近似的框架内,前面我们对自由电子的讨论可以推广到晶体中的电子,只需用有效质量m*代替自由电子的质量m即可。第16页Page16K空间中,许可态的代表点简并到朗道管上,截面称为朗道环。2222222)21(22yxxycyxkkknmkmkeBmkkAcyx222223、磁场作用下的简并度、能态密度圆面积为:cxynmkA)21(22相邻朗道环间的面积:§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量当kz一定,计算相邻两个朗道环间的面积:meBc第17页Page17每个朗道环的简并度:2222224BLeLmLApc自由电子气在磁场中形成一系列高度简并的分立能级(朗道能级),而朗道能级简并度随磁场强度变化,使得电子气系统的能量随磁场强度变化而变化。计入自旋,得到朗道能级的简并度为22LeBLmpc第18页Page18再考虑到在dkz范围内kz有zdkL2不同的值,可以得到在kz标度下第n个次能带波矢在dkz范围内的状态数:zczzzzdkeBVdkLeBdkLpdkknZ222),(3n=0,1,2,3,4§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量将dE取代dkz,因为:dEnEmmdknEmknmkkEczczczz21222222212212212)(第19页Page19能量在E-E+dE间的第n个次能带的量子态数:dEnEmVdEnEZccc2123222128),(§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量由于能量等于E的电子可以处于不同的次能带,所以总的态密度必须对E之下所有次能带求和,得到dEnEZdEENln0),()(n=0,1,2,3,4磁场中三维自由电子气在k空间形成子带自由电子气在磁场中的能带zk空态占有态FEE第20页Page20态密度随E的变化关系如图:在磁场中,态密度曲线在能量为cn21出现一系列峰值,相邻峰值间能量差为meBc显然,加入磁场B后态密度的变化将会使电子系统的能量增加N(E)N0(E)态密度的这种特点深刻地影响了金属的物理性质。§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量当改变磁场B时,将发生变化,态密度峰值能量位置也发生变化,meBc每当峰值位置与费米能重合时,能量增量最大。lncccdEnEmVdEEN2123222128)(第21页Page21例如:系统的费密能级20FE则只需4个峰的状态就足够容纳全部电子;48cehmB如图所示条件:5c图中五个峰都被电子占据,若增大磁场而达到继续增大磁场6c则容纳全部电子只需3个峰的状态;420FE§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第22页Page22这是由于磁场增大时,每个峰内包含的状态增多,所以可以容纳更多的电子§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第23页Page234、磁化率振荡的原因以二维电子气系统为例,定性讨论在磁场中电子气系统能量随磁场强度B的变化0FE0FE0FE0FE0BB0BB0BB0BB1BB2BB3BB4BBn1n在不同磁场强度下二维电子的朗道能级的变化当B=0时,自由电子按准连续的能级填充到费密能级。当B=B1时,二维电子的准连续能级变成完全分立的朗道能级。假设这时二维电子正好填满n个朗道能级,每个能级上容纳电子数为(简并度)yxLLeB§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第24页Page24随磁场B的增加,朗道轨道间的距离因而各个朗道能级也向上移动。与此同时,各个朗道能级的简并度也不断增加:因此能被填满的朗道能级数将随磁场强度B的增加而减少。磁场强度B增加费密能以下的朗道能级数减少简并度增加第n个能级上被电子占据的几率减小yxLLeBmeB0FE0FE0FE0FE0BB0BB0BB0BB1BB2BB3BB4BBn1n在不同磁场强度下二维电子的朗道能级的变化meB§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第25页Page25磁场B增加到B2时:第n朗道能级只填了一半。第n朗道能级只填了一小部分。0FE0FE0FE0FE0BB0BB0BB0BB1BB2BB3BB4BBn1n在不同磁场强度下二维电子的朗道能级的变化meB磁场B增加到B3时:磁场B增加到B4时:第n-1朗道能级被电子填满,第n朗道能级是完全空的。§5.10磁场作用下的电子能态费密面的测量第26页Page26朗道能级被电