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USTsensor传感器科技半导体材料与传感器关系概述互补金属氧化物半导体（ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS）半导体技术是指半导体加工的各种技术，包括晶圆的生长技术、薄膜沉积、光刻、蚀刻、掺杂技术和工艺整合等技术。半导体技术就是以半导体为材料，制作成组件及集成电路的技术。在周期表里的元素，依照导电性大致可以分成导体、半导体与绝缘体三大类。最常见的半导体是硅（Si），当然半导体也可以是两种元素形成的化合物，例如砷化镓（GaAs），但化合物半导体大多应用在光电方面。温度传感器半导体温度传感器分为两类：接触型和非接触型。接触型又分为热敏电阻与PN结型两种。一般随温度的上升，半导体中载流子浓度增加、电阻降低。利用这种效应可以制成热敏电阻。由于半导体载流子浓度与温度有关，还会产生显著的塞贝克效应。当P型半导体两端存在温度差墹T，热端的空穴浓度大，因此空穴向冷端扩散，并在此端产生正的空间电荷场（图2）。这个电压（塞贝克电压uS）约为150μV/K。对N型半导体，图2中载流子为电子，冷端连接点为负。因此，同时使用P型与N型半导体电偶的uS可达300μV/K，比金属的uS（40μV/K）大一个数量级。半导体温度传感器分为两类：接触型和非接触型。接触型又分为热敏电阻与PN结型两种。随着温度的变化，半导体感温器件电阻会发生较大的变化，这种器件称为热敏电阻。常用的热敏电阻为陶瓷热敏电阻，分为负温度系数（NTC）热敏电阻、正温度系数（PTC）热敏电阻和临界温度电阻（CTR）。热敏电阻一般指NTC热敏电阻。PN结温度传感器是一种利用半导体二极管、三极管的特性与温度的依赖关系制成的温度传感器。非接触型温度传感器可检出被测物体发射电磁波的能量。传感器可以是将放射能直接转换为电能的半导体物质，也可以先将放射能转换为热能，使温度升高，然后将温度变化转换成电信号而检出。这可用来测量一点的温度，如测温度分布，则需进行扫描。当对象温度低、只能发射红外线时，则须检出其红外线（见光电导探测器）。磁传感器主要基于霍尔效应和磁阻效应的原理。利用霍尔效应的器件称为霍尔器件。当施加磁通B时，电阻增加率墹R/R可用下式表示墹R/R∝μ2B2式中μ为载流子迁移率。半导体的载流子迁移率（如InAs约为104厘米2/伏秒）比金属（如Cu约为34.8厘米2/伏秒）大得多，所以半导体的磁阻效应很大。半导体磁传感器体积小、重量轻、灵敏度高、可靠性高、寿命长，在电子学领域得到应用。此外，还可利用磁效应制作长度与重量传感器、高分辨（0.01度）的倾斜传感器，以及测定液体流量等。压力传感器半导体在承受压力时禁带宽度发生变化，导致载流子浓度和迁移率变化。这样引起的电阻变化比金属丝受压时截面积减小引起的电阻变化要大两个数量级。因此半导体压力传感器具有高灵敏度。将P型半导体与N型半导体组合使用还可制成灵敏度更高的压力传感器。扩散型半导体压力传感器采用集成电路工艺制成，可以提高性能，改进测量的精度。如加工硅单晶制成受压膜片，在其表面用平面工艺扩散再制成压力规，由于二者处在同一硅片上，可以减少滞后、提高精度。使用半导体压力传感器测量生物体各部分的压力比使用古老的脉压、血压测量方法，具有精度高、体积小、可在生物体自然状态下测量和安全（微小电流）的优点。湿度传感器当半导体表面或界面吸附气体分子或水分子时，半导体表面或界面的能带发生变化。利用这种半导体电阻的变化可检测气体或湿度。半导体湿度传感器具有体积小、重量轻的特点，实用的有ZnO-Cr2O3系、TiO2-V2O5系陶瓷湿度传感器。ZnO-Cr2O3系陶瓷湿度传感器用于室内空调，可精密控制湿度，与微机结合能自动去湿，节省电能。TiO2-V2O5系陶瓷湿度传感器耐热性好，可测量100℃以上的环境湿度，还可用于医药、合成纤维工厂中存在有机物蒸气时的湿度测量。气体传感器利用半导体与气体接触时电阻或功函数发生变化这一特性检测气体。气体传感器分为电阻式与非电阻式两种。电阻式采用SnO2、ZnO等金属氧化物材料制备，有多孔烧结件、厚膜、薄膜等形式。根据半导体与气体的相互作用是发生在表面还是体内，又分为表面控制型与体控制型。表面控制型电阻式传感器包括SnO2系传感器、ZnO系传感器、其他金属氧化物（WO3、V2O5、CdO、Cr2O3等）材料的传感器和采用有机半导体材料的传感器。体控制型电阻式传感器包括Fe2O3系传感器、ABO3型传感器和燃烧控制用传感器。这类传感器可检测甲烷、丙烷、氢、一氧化碳等还原性气体，氧、二氧化氮等氧化性气体，具有强吸附力的胺类和水蒸汽等。非电阻式气体传感器利用气体吸附和反应时引起的功函数变化来检测气体。它可分为金属－半导体结二极管型传感器（利用金属与半导体界面上吸附气体时，二极管整流特性的变化）、MOS二极管型传感器（采用MOS结构，通过C-V特性的漂移检测气体）和MOSFET型传感器（通过MOSFET的阈值电压变化检测气体）。例：CO气体检测示意图USTsensor传感器科技DISCLAIMERAlthoughallstatementsandinformationcontainedhereinarebelievedtobeaccurateandreliable,however,errorsandomissionsmayoccur,theyarepresentedwithoutguaranteeorwarrantyofanykind,expressorimplied.Informationprovidedhereindoesnotrelievetheuserfromtheresponsibilityofcarryingoutitsowntestsandexperiments,andtheuserassumesallrisksandliabilityforuseoftheinformationandresultsobtained.ThereforeUSTSensorTechnicGMBHdoesnotguaranteetheaccuracyofthecontentinthisdocumentandanyvisitorusinginformationfromthisdocumentsoentirelyattheirownrisk.USTSensorTechnicGMBHshallnotbeliableforanylossofprofits,contracts,direct,indirectorconsequentialloss,businessinterruptionorlossofdataorprogramsarisingoutoforinconnectionwiththeuseoftheinformationcontainedwithinthisdocumentorfromanyconnectivelinkstoorfromthisdocument.Statementsorsuggestionsconcerningtheuseofmaterialsandprocessesaremadewithoutrepresentationorwarrantythatanysuchuseisfreeofpatentinfringementandarenotrecommendationstoinfringeanypatent.Thereproduction,transmissionoruseofthisdocumentorit’scontentsisnotpermittedwithoutexpresswrittenauthority.Offenderswillbeliablefordamages.Allrights,includingrightcreatedbypatentorregistrationofautilitymodelordesign,arereservedTheusershouldnotassumethatalltoxicitydataandsafetymeasuresareindicatedhereinorthatothermeasuresmaynotberequired.USTSensorTechnicGMBHreservestherighttomakeimprovementsand/orchangestothecontentofthisinformationatanytimewithoutnotice.