2013桂林电子科技大学硕士研究生入学考试复试试卷电磁场与微波技术

桂林电子科技大学2013年硕士研究生入学考试复试试卷考试科目代码：206考试科目名称：电磁场与微波技术请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。一、（43分）问答题1.请写出积分形式的全电流安培定律和电场高斯定理，并解释其物理意义。（8分）2.一个由理想非均匀媒质填充的有限封闭区域被外加均匀电场所极化，则在该区域内部出现与极化体电荷密度p对应的极化体电荷pQ、与极化面电荷密度ps对应的极化面电荷psQ，pQ和psQ之间满足的关系是什么？请写出相关公式说明满足该关系的原因？（6分）3.镜像法求解的关键在于如何确定镜像电荷。根据惟一性定理，镜像电荷的确定所遵循的原则是什么？（7分）4.什么是趋肤效应？（4分）5.请分别写出平行双线、微带线、矩形金属波导（窄边和宽边分别平行于x和y轴）、圆形金属波导中传输的主模是什么？（6分）6.简述矩形波导中导模的传输条件、截止条件？（6分）7.请解释散射矩阵[S]中各元素的物理意义？（6分）二、(20分)某均匀平面波沿+z方向传播，其电场强度矢量为i100sin()200cos()V/mxyEetzetz（1）求相伴的磁场强度的复矢量形式；（2）若在传播方向上z=0处，放置一无限大的理想导体平板，求区域z0中的复矢量形式的电场强度与磁场强度；（3）对于（2）中的情况，求合成波的平均能流密度；（4）对于（2）中的情况，求理想导体板表面的电流密度。三、(25分)如下页图所示的传输线特性阻抗为050Z，终端负载为10050jZL，传输线长1m，所接电源的电动势为200gEV、内阻为50gZ、工作频率为f=300MHz。1)求输入端的输入阻抗inZ及输入端的反射系数in；2)画出线上电压、电流振幅分布；（请给出maxminmaxmin,,,VVdd的值）3)用短路单支节进行串联匹配，求支节的接入位置及支节的长度（给出一组答案即可）；共2页第1页4)求接入枝节前后传输给负载的实功率LP。50100LZjgE50gZ1m050Z四、（12分）请画出魔T示意图并写出其S矩阵和叙述其基本特性。共2页第2页请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。