2013中科院半导体所光电子考博试题

2013中科院半导体所光电子考博一简答：（5X10=50）1.简正谐振腔的模式是什么2.已知波长1500nm和波长间隔0.1nm，求激光频率3.Si和Ge是直接带隙材料还是间接带隙材料4.请说出三五族半导体和四族半导体的本质区别5。什么是相速度？什么是群速度？6.光的波动性粒子性举例各一个。7．光导纤维的导光原理。什么是单模光纤？8.折射率波导是什么，半导体激光器中如何实现折射率波导。9。不同颜色的光可以用不同波长来描述，白光是否可以用某一波长来描述。10多量子阱和超晶格都是由势阱和势垒组成，请问多量子阱和超晶格的本质区别是什么二用能带解释半导体绝缘体导体三已知AsGaAlxx1的禁带宽度gE=1.424+1.247x，xAsGaAl1x/yAsAlyGa1的异质结，x0.45由直接带隙材料变为间接带隙材料。求最短发射波长是多少。四.激光器的阈值电流密度公式为J=[α+1/2L(Ln1/R1R2)]/β对于F-P谐振腔的腔长为L,两个腔面的反射率为R1和R2(已知)，给出同一材料不同谐振腔腔长的半导体激光器，设计测量传输损耗系数为α和增益因子β的实验（15分）五光电二极管为什么反向偏压下工作，PIN和APD雪崩二极管的区别。写出通信用光电探测器和太阳能电池的区别