03_半导体二极管及其基本电路.

13.1半导体的基本知识3.3二极管3.4二极管的基本电路及其分析方法3.5特殊二极管3.2PN结的形成及特性23.1半导体的基本知识3.1.1半导体材料3.1.2半导体的共价键结构3.1.3本征半导体3.1.4杂质半导体33.1.1半导体材料根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的材料。半导体材料多以晶体的形式存在。4半导体的导电特性（纯净半导体的导电能力很差）掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显增强。(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。光敏性:当受到光照时，导电能力明显变化。(可做成各种光敏元件)热敏性:当环境温度升高时，导电能力显著增强。（可做成温度敏感元件，如热敏电阻)53.1.2半导体的共价键结构晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为价电子。SiSiSiSi价电子63.1.3本征半导体本征半导体——完全纯净的、具有晶体结构的半导体。共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为价电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，常温下本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。+4+4+4+4价电子7价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。价电子自由电子+4+4+4+4空穴这一现象称为本征激发。8+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。9本征半导体的导电机理当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流(1)自由电子作定向运动电子电流(2)价电子递补空穴空穴电流注意：温度愈高，载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和空穴都称为载流子。自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。103.1.4杂质半导体N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。在常温下，本征半导体的两种载流子数量还是极少的，其导电能力相当低。在本征半导体中掺入微量的杂质元素，形成杂质半导体。杂质半导体的导电能力将大大提高。111.N型半导体（掺入五价元素）在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子,由本征激发形成。SiSiSiSip+多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为N型半导体（电子半导体）。施主杂质122.P型半导体（掺入三价元素）在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，由本征激发形成。掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为P型半导体(空穴半导体)。SiSiSiSiB–硼原子接受一个电子变为负离子空穴杂质半导体对外是否显电性？受主杂质13掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下:T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=1.45×1010/cm32本征硅的原子浓度:4.96×1022/cm31以上三个浓度基本上依次相差106/cm3。3掺杂后N型半导体中的自由电子浓度:n=5×1016/cm3杂质对半导体导电性的影响本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；掺入杂质后，导电能力大大增强。141.在杂质半导体中多子的数量主要与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。2.在杂质半导体中少子的数量主要与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。3.当温度升高时，少子的数量（a.减少、b.不变、c.增多）。abc4.在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是，N型半导体中的电流主要是。（a.电子电流、b.空穴电流）ba思考题：153.2PN结的形成及特性3.2.1PN结的形成3.2.2PN结的单向导电性3.2.3PN结的反向击穿3.2.4PN结的电容效应16不论是P型半导体还是N型半导体，都只能看做是一般的导电材料，不具有半导体器件的任何特点。半导体器件的核心是PN结，是采取一定的工艺措施在一块半导体晶片的两侧分别制成P型半导体和N型半导体，在两种半导体的交界面上形成PN结。各种各样的半导体器件都是以PN结为核心而制成的，正确认识PN结是了解和运用各种半导体器件的关键所在。PN结17载流子的漂移与扩散漂移运动：在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。扩散运动：由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。183.2.1PN结的形成多子的扩散运动内电场少子的漂移运动浓度差P型半导体N型半导体内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽。扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－形成空间电荷区即PN结19在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:因浓度差空间电荷区形成内电场内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区20PN结213.2.2PN结的单向导电性1.PN结加正向电压（正向偏置）P接正、N接负外电场IF内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。PN结加正向电压时，PN结变窄，正向扩散电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。内电场PN－－－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++++–222.PN结加反向电压（反向偏置）外电场P接负、N接正内电场PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－–+23PN结变宽外电场内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向漂移电流。IR–+PN结加反向电压时，PN结变宽，反向漂移电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。内电场PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－2.PN结加反向电压（反向偏置）P接负、N接正反向漂移电流的大小是否与温度有关？24iD/mA1.00.5iD=–IS–0.5–1.00.501.0D/VPN结的伏安特性PN结具有单向导电性，即正向导通、反向截止。253.PN结V-I特性表达式其中)1(/SDDTVveIiIS——反向饱和电流VT——温度的电压当量且在常温下（T=300K）V026.0qkTVTmV26PN结的伏安特性iD/mA1.00.5iD=–IS–0.5–1.00.501.0D/V263.2.3PN结的反向击穿当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。热击穿——不可逆雪崩击穿齐纳击穿电击穿——可逆273.2.4PN结的电容效应1.势垒电容CB势垒电容示意图282.扩散电容CD扩散电容示意图293.3半导体二极管3.3.1半导体二极管的结构3.3.2二极管的伏安特性3.3.3二极管的参数303.3.1半导体二极管的结构将PN结加上引线和封装，就成为一个二极管。表示符号：P区引出的线称为阳极（正极），用“a”表示；N区引出的线称为阴极（负极），用“k”表示。k阴极阳极aD按结构分点接触型面接触型按材料分硅管锗管按用途分普通管整流管…311.点接触型二极管PN结面积小、结电容小,用于检波和变频等高频电路。金属触丝阳极引线N型锗片阴极引线外壳半导体二极管的结构(a)点接触型322.面接触型二极管铝合金小球N型硅阳极引线PN结金锑合金底座阴极引线(b)面接触型PN结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。33硅管0.5V锗管0.1V反向击穿电压VBR正向压降VF外加电压大于死区电压，二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压，二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点：非线性硅0.7V锗0.2Vvi死区电压VthPN+–PN–+常温下，反向电流很小3.3.2二极管的伏安特性)1(/SDDTVveIi340D/V0.20.40.60.810203040510152010203040iD/AiD/mA死区VthVBR硅二极管2CP10的V-I特性0D/V0.20.40.6204060510152010203040iD/AiD/mA②①③VthVBR锗二极管2AP15的V-I特性在工程实践中，为什么硅二极管应用得较普遍？35二极管的单向导电性1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。363.3.3二极管的参数1.最大整流电流IF2.反向击穿电压VBR二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。最高反向工作电压VRM二极管反向击穿时的电压值。是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压VBR的一半或三分之二。0D/V0.20.40.6204060510152010203040iD/AiD/mA②①③VthVBR锗二极管2AP15的V-I特性——选择二极管的依据373.正向压降VF0D/V0.20.40.6204060510152010203040iD/AiD/mA②①③VthVBR锗二极管2AP15的V-I特性门坎电压：硅管0.5V，锗管0.1V。导通压降:硅管0.7V,锗管0.2V。门坎电压Vth384.反向电流IR指二极管未击穿时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差。IR受温度影响，温度越高反向电流越大。5.极间电容CdCd=CD+CB393.4二极管基本电路及其分析方法3.4.2二极管电路的简化模型分析方法3.4.1简单二极管电路的图解分析方法403.4.1简单二极管电路的图解分析方法二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V-I特性曲线。符号中大小写的含义：大写字母大写下标：静态值（直流），如，IB（参见“本书常用符号表”）小写字母大写下标：总量（直流+交流），如，iB小写字母小写下标：瞬时值（交流），如，ib41D/ViD/mA二极管V-I特性曲线例：电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD。解：由电路的KVL方程，可得RViDDDDvDDDD11VRRiv即是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线Q点称为电路的工作点，Q的坐标值（VD，ID）即为所求。+iDvD-RVDDD/ViD/mA二极管V-I特性曲线RVDDVDD负载线D/ViD/mA二极管V-I特性曲线RVDDVDD负载线QIDVD42将指数模型分段线性化，得到二极管V-I特性的等效模型。)1e(DSDTVIiv3.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.理想模型正向偏置时的电路模型反向偏置时的电路模型电源电压远大于二极管正向压降43定性分析：判断二极管的工作状态导通截止如何利用二极管理想模型分析电路？分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低。若V阳