针对节能汽车栅极驱动应用推出坚固可靠的600VIC系列

8月最新产品针对节能汽车栅极驱动应用推出坚固可靠的600VIC系列全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)宣布针对节能汽车栅极驱动应用推出坚固可靠的600VIC系列，应用领域包括压电与共轨喷射系统、起动发电机、电子动力转向系统、风扇和压缩机等。新系列有五款高速功率MOSFET和IGBT驱动IC，它们的源电流输出最高达1.9A，最大吸电流能力为-2.3A，具有快速开启和关闭时间。同时，高电流能力能够让这些新器件有效地驱动更高功率应用中更大的开关。该系列产品包括两个半桥驱动器；AUIRS2184S具有500ns的固定死区时间，AUIRS21844S具有400ns至5μs之间的可编程死区时间。AUIRS2181S、AUIRS21811S和AUIRS21814S都是双通道高侧和低侧驱动IC，具有不同的输入逻辑和传输延迟。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“这款符合Q100标准的600VIC系列拓展了IR的汽车用产品线，并让设计师可以灵活地为给定系统设计优化的栅极驱动系统。”新系列IC采用专有的高压集成电路(HVIC)和锁存CMOS技术，可以提供加固的单片式结构。输出驱动器具有适用于最低驱动跨导的高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用来驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT，工作电压最高可达600V。此外，这些器件具有基准负电压尖峰免疫力，即使在极端开关条件和短路情况下，也能实现可靠运行。该系列产品的其它主要特点包括两个通道欠压锁定、兼容3.3V和5V输入逻辑，以及可实现更好抗噪性能的较低di/dt。这些器件专有的单独的逻辑接地引脚Vss对于COM瞬态电压变化具有更高的免疫力。新器件符合AEC-Q100标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)。产品规格器件编号拓扑高侧电源偏移电压封装源电流输出/吸电流能力VCC范围Vbs范围典型传输延迟AUIRS2181S双通道高侧和低侧驱动器600VSOIC8+1.9A/-2.3A10-20Vw/UVL010-20Vw/UVL0160/220ns开/关AUIRS21811S双通道高侧和低侧驱动器600VSOIC8+1.9A/-2.3A10-20Vw/UVL010-20Vw/UVL0160/220ns开/关AUIRS21814S双通道高侧和低侧驱动器600VSOIC8+1.9A/-2.3A10-20Vw/UVL010-20Vw/UVL0160/220ns开/关AUIRS2184S双通道高侧和低侧驱动器600VSOIC8+1.9A/-2.3A10-20Vw/UVL010-20Vw/UVL0160/220ns开/关AUIRS21844S双通道高侧和低侧驱动器600VSOIC8+1.9A/-2.3A10-20Vw/UVL010-20Vw/UVL0160/220ns开/关汽车用DirectFET®2功率MOSFET系列IR宣布推出汽车用DirectFET®2功率MOSFET系列，适合D类音频系统输出级等高频开关应用。新推出的AUIRF7640S2、AUIRF7647S2和AUIRF7675M2器件，拓展了IR适用于汽车D类音频系统的DirectFET®2功率MOSFET阵营，并利用低栅极电荷(Qg)作出优化，来改善总谐波失真(THD)和提高效率，而低二极管反向恢复电荷(Qrr)则进一步改善了总谐波失真，降低了电磁干扰(EMI)。AUIRF7640S2和AUIRF7647S2小罐器件的封装尺寸比SO-8小，更能够为没有散热片的8Ω负载提供每通道100W的功率，由此可以提供非常紧凑的D类解决方案，是节省多通道电路板空间的理想选择。AUIRF7675M2中罐器件的封装尺寸比DPak小54%，能够为没有散热片的4Ω负载提供每通道250W的功率，使其非常适合D类音频系统的亚低音输出级。正如所有的DirectFET®产品一样，新器件提供了最小的热阻抗以及寄生电阻和电感，能够提供出色的功率密度和双面冷却效率。新器件符合AEC-Q101标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)。产品规格器件编号封装Vds典型导通电阻最大导通电阻Rg（典型）栅极电荷（典型）AUIRF7640S2DF2小罐60V27mΩ36mΩ3.5mΩ7.3nCAUIRF7647S2DF2小罐100V26mΩ31mΩ1.6mΩ14nCAUIRF7675S2DF2中罐150V47mΩ56mΩ1.2mΩ21nC全新的绝缘栅双极晶体管(IGBT)在线选择工具全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出全新的绝缘栅双极晶体管(IGBT)在线选择工具。该工具可有效优化多种应用设计，包括马达驱动、不间断电源系统(UPS）、太阳能逆变器和焊接。IR全新的IGBT在线选择工具能评估总线电压、开关频率和短路保护要求等应用条件。新在线工具位于mypower.irf.com/IGBT，不但可以提供预估损耗，还可以建议一些能够在给定限制条件内运行的器件。该工具还为每个零件提供了定价，使设计人员能够考虑有关器件的选择对系统成本带来的影响。IGBT的选择需要同时评估多个参数，不能简化为单一指标。比如，由于开关损耗可用传导损失来抵消，所以计算工作损耗不仅需要工作电流，还要有工作频率和总线电压作为参数。此外，如果一些马达驱动逆变器要求最小的短路承受时间，就得产生较高的损耗。IR提供了多款具有不同开关速度的IGBT选择，以及为没有最低短路要求的应用而设计的器件。新的选择工具有助于设计人员利用IR广泛的IGBT组合去权衡设计的性能。具有低导通电阻的汽车用MOSFET系列国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)宣布拓展了针对低导通电阻（RDS(on)）应用的汽车用功率MOSFET专用系列，包括车载电源及内燃机(ICE)、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。新的MOSFET系列器件系列在55V的电压下可提供低达2.6mΩ的导通电阻，可以承受40V至100V的电压，并涵盖了此前推出的75V产品。当中一些具有更高电压的器件非常适用于24V卡车系统，采用D2Pak-7P和D2Pak封装的新器件的最大额定电流分别为240A和195A。IR的汽车用MOSFET将动态和静态部分的平均测试以及100%自动晶圆级视觉检测作为IR要求零缺陷的汽车质量理念的一部分。AEC-Q101标准要求导通电阻在经过1,000次温度循环测试后，变化幅度不能超过20%。然而，经过延长测试后，IR的新款AU材料显示，在5,000次温度循环时的最大导通电阻变化低于10%，体现了这款材料的高强度和耐用性。新器件符合AEC-Q101标准，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)。产品规格器件编号封装V(BR)DSS(V)10VGS下的最大导通电阻(mOhm)TC=25℃时的最大ID(A)10VGS下的QGTYP(nC)AUIRFR3504ZDPak409.07730AUIRF3805S-7PD2Pak-7P552.6240130AUIRF3805SD2Pak553.3210190AUIRF3805TO-220553.3210190AUIRF3805LTO-262553.3210190AUIRF1405ZSD2Pak554.9150120AUIRF1405ZLTO-262554.9150120AUIRF3205ZSD2Pak556.511076AUIRF3205ZTO-220556.511076AUIRFZ44ZSD2Pak5513.95129AUIRFZ44ZTO-2205513.95129AUIRFR2905ZDPak5514.55929AUIRFR4105ZDPak5524.53018AUIRF2907ZS-7PD2Pak-7P753.8180170AUIRF2907ZTO-220754.5170180AUIRFP2907ZTO-247754.5170180AUIRFB3207TO-220754.5170180AUIRFR2307ZDPak75165350AUIRFR2607ZDPak75224534AUIRFS4310D2Pak1007.0130170AUIRFS4610D2Pak10014.07390AUIRFB4610TO-22010014.07390AUIRF540ZSD2Pak10026.53642AUIRF540ZTO-22010026.536428月热卖产品DUALLOWSIDEDRIVER—IR4426IR4426Features■Outputsinphasewithinputs(IR4427)■Gatedrivesupplyrangefrom6to20V■OutputAoutofphasewithinputAand■CMOSSchmitt-triggeredinputsOutputBinphasewithinputB(IR4428)■Matchedpropagationdelayforbothchannels■AlsoavailableLEAD-FREE■Outputsoutofphasewithinputs(IR4426)IR4426定购信息ParametricsPartNumberPackageStandardPackOffsetVoltageOutputSourceCurrentOutputSinkCurrentVCCRange(V)OutoutVoltagemin(V)OutputVoltagemax(V)IR44268Lead17000N/A1500mA1500mA6-20620SELF-OSCILLATINGHALF-BRIDGEDRIVER—IR2155IR2155Features■Programmableoscillatorfrequency:■Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation()TTCRf×Ω+×=1504.11■Fullyoperationalto+600V■Toleranttonegativetransientvoltage■Matchedpropagationdelayforbothchannels■dV/dtimmune■Micropowersupplystartupcurrentof125uAtyp.■Undervoltagelockout■AvailableinLead-Free■LowsideoutputinphasewithRTIR2155定购信息ParametricsPartNumberPackageCircuitOffsetVoltage(V)OutputSourceCurrentmin(mA)OutputSinkCurrentmin(mA)VCCRange(V)OutoutVoltagemin(V)OutputVoltagemax(V)IR21558-pinDIPHalf-BridgeDriver60021042010-201020HEXFET®Chip-SetforDC-DCConverters—IRF7805AIRF7805AFeatures■NChannelApplicationSpecificMOSFETs■LowConductionLosses■IdealforMobileDC-DCConverters■LowSwitchingLossesIRF7805A定购信息ParametricsPartNumberPackageCircuitStandardPackVGs(max)(V)ID@TA=25℃(A)ID@TA=70℃(A)PackageClassCanIRF7805ASO-8Discrete951213.010SurfaceMountwithLea