2.1半导体中量子跃迁的特点4

第一节半导体中量子跃迁的特点半导体中与光有关的量子（电子或空穴）跃迁主要发生在导带与价带之间。1.受激吸收受激吸收之后出现电子-空穴对光电导、光探测器原理。h2.自发发射半导体发光二极管（LED）工作原理。hhhh3.受激发射半导体激光器（LD）工作原理。半导体中量子跃迁特点：①电子态密度高（N～10²³㎝ˉ³）量子跃迁速率大增益系数大②量子效率高，响应速度快（碰撞能量交换时间短）可直接调制2.5GHz③能量转换效率高可将载流子直接注入有源区气体～20％，固体～5％，半导体～60－70％，量子点～100％。④由于不纯和的相互作用，选者定则不严格→谱线宽