TCAD-sprocess学习笔记

TCAD学习笔记--——sprocess1.Mask与photo,etch,depositPhoto应用mask:Createsphotoresistlayerofthespecifiedthicknessoutsidethemask.Themaskmusthavebeendefinedusingamaskcommand.Ifthephotoresistshouldbedepositedinsideofthemask,theparameternegativemustbedefinedinthemaskcommand正胶在mask之外保留光刻胶；负胶（加negative）在mask内部保留光刻胶。简单实例：maskname=gate_masksegments={0.00.09}negativephotomask=gate_maskthickness=0.02etchPolySiliconanisotropicthickness=0.2etchoxidethickness=0.1anisotropicstripResist定义光刻板segments={}括号内定义的为空白区域，如需保留如定义栅氧则需negative.Etch应用mask:Mask--themasktobeusedfortheetchmask在etch中是作为掩摸使用，即mask定义的区域在etch中被保护，同样的加negative后mask定义的区域被刻蚀。Maskname=SDleft=-1right=1back=0front=0.2EtchＮｉｔｒｉｄｅｍａｓｋ＝ＳＤｔｈｉｃｋｎｅｓｓ＝０．０５１ａｎｔｉｓｏｔｒｏｐｉｃdeposit应用mask:Thematerialisdepositedoutsideofthemask.Ifdepositioninsidethemaskisrequired,theparameternegativemustbespecifiedinthemaskcommand.材料淀积在ｍａｓｋ之外。2．提取氧化层厚度selectz=1layers结果显示在.out文件{TopBottomIntegralMaterial}{-6.178796082035e-033.676329713272e-039.855125795306e-07Oxide}{3.676329713272e-032.000000000000e+001.996323670287e-04Silicon}其中Top和Bottom单位为um，Integral单位为cm;则氧化吃硅3.676nm(consumed),氧化层厚度9.855nm3.Contact定义transformreflectleftcontactname=gatePolySiliconadjacent.material=Gasboxxlo=-0.182xhi=-0.05ylo=-0.05yhi=0.05contactname=drainAluminumadjacent.material=Gasboxxlo=-0.03xhi=-0.005ylo=0.32yhi=0.489contactname=sourceAluminumadjacent.material=Gasboxxlo=-0.03xhi=-0.005ylo=-0.489yhi=-0.32contactname=substratebottomsilicon注意：电极不能由transform对称形成，需再其后进行定义。电极需struct命令保存trd文件。使用adjacent.material语句时，定义的Box需要跨越界面，包含两种材料（如gate区域定义包含PolySilicon/Gas界面）。源漏结构以及Contact镜像语句if{[catch{exectdx–mtt–Z–rendrain=sourcen@node@_half_fps.tdrn@node@_fps.tdr}Err]LogFile$Err}Tdx工具-mtt镜像文件对称轴-Z(Zmax)-ren重命名4.PolyReoxidation+Spaceroffsetspacer一般用SiN。一般90nm(2004年左右)以上才会使用SiO2。offsetspacer一个不好的地方就是CDuniformity不好，id会漂的厉害。对reoxidation，很多logic制成都会使用。不过一般reoxdation的量很少，一般只有1～5nm左右。作用：reoxidation一个很重要的作用就是修复polyside下的GOX的damage（polyetch后往往有wetprocess，对poly2侧下的gox有etch掉的问题，所以要reoxdation来修复）。因为只有1～5nm的量，对SDEoverlap影响一般不是非常的大。当然，review的时候考虑也是必要的。5.在sprocess中插入SDE命令mathcoord.ucssde{(sdegeo:create-sphere(position0.40.00.0)0.9AluminumAluminum_1)}sdeoff注意：1.在插入的命令中不能有太过复杂的形状而有复杂的interface；2.插入sde命令一般只有一次，多次插入后面的插入的结构会覆盖之前的结构3.在插入的sde命令中，所用参数需是固定值，引用变量会导致命令不起作用。