5场效应管及其基本放大电路

5.1.1结型场效应管（以N沟道为例）栅极漏极源极1.工作原理(1)栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用（2）漏-源电压对漏极电流的影响预夹断uGD＝UGS（off）uGDUGS（off）uGDUGS（off）夹断电压3.特性2GS(off)GSDSSD)1(UuIi（1）转移特性（恒流区）（2）输出特性常量DSGSDmUuig可变电阻区恒流区击穿区夹断区（截止区）夹断电压IDSS低频跨导：5.1.2绝缘栅型场效应管uGS增大，反型层将变厚变长。uGS增大到一定值，反型层将两个N区相接，形成导电沟道。1.N沟道增强型管uDS对iD的影响uGD＝UGS（th）预夹断uGDUGS（th）uGDUGS（th）2.N沟道耗尽型MOS管耗尽型MOS管在uGS＞0、uGS＜0、uGS＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。3.MOS管的特性1)增强型MOS管2)耗尽型MOS管2GS(th)GSDOD)1(UuIi恒流区：例：判断场效应管的类型。iD(mA)vGS(V)30(a)iD(mA)vGS(V)-20(b)iD(mA)vGS(V)-30(c)iD(mA)vGS(V)-30(d)iD(mA)vGS(V)20(e)iD(mA)vGS(V)30(f)N沟道增强型MOSFET：vGSVT，VT0N沟道耗尽型MOSFET：vGSVT，VT0P沟道增强型MOSFET：vGSVT，VT0P沟道耗尽型MOSFET：vGSVT，VT04种MOSFET导通时有如下不同特点：2种JFET导通时有如下特点：N沟道JFET：VTvGS0，VT0P沟道JFET：0vGSVT，VT0iD(mA)vGS(V)30(a)(a)N沟道增强型MOSFET解：iD(mA)vGS(V)-20(b)(b)N沟道耗尽型MOSFETiD(mA)vGS(V)-30(c)iD(mA)vGS(V)-30(d)iD(mA)vGS(V)20(e)iD(mA)vGS(V)30(f)(c)N沟道JFET(d)P沟道增强型MOSFET(e)P沟道耗尽型MOSFET(f)P沟道JFET5.2.1场效应管静态工作点的设置方法dDQDDDSQ2GS(th)BBDODQBBGSQ)1(RIVUUVIIVU1.基本共源放大电路§5.2场效应管基本放大电路2.自给偏压电路sDQSQGQGSQsDQSQGQ0RIUUURIUU，2GS(off)GSQDSSDQ)1(UUII)(sdDQDDDSQRRIVU由正电源获得负偏压称为自给偏压3.分压式偏置电路sDQSQDDg2g1g1AQGQRIUVRRRUU2GS(th)GSQDODQ)1(UUII)(sdDQDDDSQRRIVU典型的Q点稳定电路例2：求静态工作点./1.0,15,30,60,90221VmAKVVVVkRkRkRnTDDdggmAVVKITGSnD1.0)12(1.0)(22VRIVVdDDDDS2301.05满足VDSVGS-VT，假设成立，结果即为所求。VVRRRVDDgggGS25906060212解：可见VGSVT，假设工作在饱和区。DSGSDmUuig近似分析时可认为其为无穷大！根据iD的表达式或转移特性可求得gm。5.2.2场效应管的交流等效模型例：基本共源放大电路的动态分析doidmgsddioRRRRgURIUUAu例：基本共漏放大电路的动态分析ismsmsdgssdio1RRgRgRIURIUUAu输出电阻：msomsooooo1gRUgRUUIUR∥