三端非对称瞬态过压保护器

NSMICROSDT58S三端非对称瞬态过电压保护器深圳市新达微电子有限公司-1-一、特点1双向短路保护2最大峰值脉冲电流：IPP=100A（10/700μs，4KV）3最小击穿电压=58V4最大转折电压=80V5最小维持电流=150mA二、描述SDT58S是为专门保护用户线卡（SLIC）而设计的，图1和图2是其外形图及等效电路图。图1、SDT58S外形图图2、SDT58S等效电路图三、产品满足以下标准标准类型波形数值10/700μs1KVITU-TK.20/215/310μs25A10/700μs2KVVDE04335/200μs45A四、电学特性1、额定参数（Tamb=25℃）符号参数数值单位10/700μs4000VVpp/IPP最大峰值脉冲电压/电流（注释）5/310μs100AITSM非重复性浪涌峰值电流（F=50Hz）tp=20ms30ATstg存储温度范围-40~150°CTj最高结温150°CNSMICROSDT58S三端非对称瞬态过电压保护器深圳市新达微电子有限公司-2-注释：脉冲波形：图3、脉冲波形图2、伏安特性符号参数VRM断态电压IRM断态漏电流VBR击穿电压VBO转折电压IH维持电流VF正向电压IBO转折电流IPP最大峰值脉冲电流C电容图4、伏安特性曲线图3、电学参数（TIP和GND或RING和GND之间）IRM@RMVBR@IRVBO@IBO(注1)IH(注2)C(注3)VF(注4)max.minmaxmin.maxmin.maxmaxμAVVmAVmAmAmApFV556581801508001504005注1：见测试电路1；注2：见测试电路2；注3：VR=2V，F=150KHz；注4：IF=5A，TP=500μs。NSMICROSDT58S三端非对称瞬态过电压保护器深圳市新达微电子有限公司-3-五、测试电路及方法1、IBO和VBO测试测试方法：1）测试脉冲宽度tp=20ms---对于双向器件：开关K关闭；---对于单向器件：开关K断开。图5、IBO和VBO参数测试2）VOUT选择：---器件VBO200V：-VOUT=250VRMS，R1=140Ω；---器件VBO200V：-VOUT=480VRMS，R2=240Ω。2、维持电流（IH）测试电路图6、IH测试电路这是一个“导通-截止”测试，该测试电路可以确定维持电流的大小。测试方法：1）短路DUT，调节电流在IH值范围；2）用IPP=10A，10/1000µs的浪涌电流触发DUT；3）DUT最多在50ms内必须返回到断态。NSMICROSDT58S三端非对称瞬态过电压保护器深圳市新达微电子有限公司-4-六、应用电路：典型的SLIC保护电路：图7、器件典型应用图七、功能描述线A保护=-对于正相浪涌电压，二级管D1动作。-对于负向浪涌电压，保护器件P1将触发动作，触发电压等于VBO。线B保护=-保护类型与线A相同。八、器件封装及尺寸该器件采用SIP3封装，外形及封装尺寸如下图所示：NSMICROSDT58S三端非对称瞬态过电压保护器深圳市新达微电子有限公司-5-九、命名规则十、标识型号标识封装订购号包装数量SDT58SSDT58SSIP3SDT58S管装50