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MOSFET问题集锦问题1：问题2:相近的尺寸下，为什么BJT的工作工作频率比CMOS的高，噪声低,从器件的角度分析.BJT工作频率比CMOS高是因为fT更大：BJT的fT=2uVt/2piWB*WB,CMOS的fT=1.5u(Vgs-Vth)/2piL*L,在相同工艺条件下，WB可以远小于L，所以BJT的fT比CMOS大.BJT噪声特性比CMOS更好是因为：BJT电流流动主要在体内（基区在体内），而CMOS的导电沟道在表面，所受散射更多，所以噪声更大.但是现在L可以做的越来越小了，工作频率达到或者超过BJT没有问题了。但是噪声可能还不如BJT。如果从电路的角度讲，ft~gm/C，gm越大，寄生电容越小，ft就越高。总的来说，现在一般大家都用CMOS了。问题3:带隙基准为什么叫带隙？带隙电压是指什么？当带隙基准温度系数为0的时候可以推出VREF=Eg/q+(4+m)VT,m=-1.5，这里这个T是常数，是VREF温度系数为零的那一点，假如设计带隙温度零点为常温300K,这时候VT是0.026V=26mV.硅的价带和禁带之间的宽度为常数Eg=1.12eV，VREF=1.12+2.5*0.026≈1.12=Eg/e，Eg/e占VREF电压的绝大部分，所以有带隙基准之名.问题4:MOSFET与BJT相比有何优点？问题5:场效应晶体管的分类问题6:MOS特性比较问题7:MOS阈值电压栅极上的电荷面密度为QM，半导体中的电荷面密度为Qs,反型层中的电荷面密度Qn,耗尽区中的电离受主电荷面密度QA问题8:氧化层厚度问题9:衬底费米势问题:耗尽区宽度和耗尽区电离杂志电荷面密度对于P衬底问题10：体效应问题11：离子注入对阈值电压的影响当注入的杂质与衬底类型相同时，阈值电压绝对值变大，反之阈值电压绝对值减小。离子注入形成的杂质分布一般是高斯分布。问题12：推导MOSFET直流方程时的假设问题13：沟道电子电荷面密度问题14：沟道长度调制效应（CLM）问题15：漏区静电场对沟道区的反馈作用问题16：亚阈值效应问题17：反型层的厚度，亚阈值漏电流问题18：亚阈值摆幅问题19：阈值电压的测量问题20：漏源击穿当漏源极电压VDS超过一定限度时，漏源极电流ID将迅速上升。这种现象称为漏源击穿，使ID迅速上升的漏源电压称为漏源击穿电压，极为BVDS。在MOSFET中产生漏源击穿的机理有两种：一是PN结的雪崩击穿，二是漏源两区的穿通。当源极与衬底相连时，漏源电压VDS对漏PN结是反向电压。当VDS增加到一定程度时漏PN结就会发生雪崩击穿。雪崩击穿电压的大小由衬底掺杂浓度和结深决定。但是在结深为1~3um的典型MOSFET中，漏源击穿电压BVDS的典型值只有25~40V，远低于PN结击穿电压的理论值。这是由于受到了由金属栅极引起的附加电场的影响。MOSFET的金属栅极一般覆盖了漏区边缘的一部分。如果金属栅极的电势低于漏区的电势，就会在漏区与金属栅极之间形成一个附加电场。这个附加电场使栅极下面漏PN结耗尽区中的电场增大，因而击穿首先发生在该处。MOSFET的这种雪崩击穿是表面的小面积击穿。应该指出，在MOS集成电路中，当N沟道MOSFET处于截止状态时，栅极电压为负值，这将使得BVDS有明显的降低。实验表明，当衬底的电阻率大于1Ω·cm时，BVDS就不再与衬底材料的掺杂浓度有关，而主要由栅极电压的特性、大小和栅氧化层的厚度决定。如果MOSFEt的沟道长度较短而衬底电阻率较高，则当VDS增加某一数值时，虽然漏区与衬底间尚未发生雪崩击穿，但漏PN结的耗尽区却已经扩展到与源区相连接了，这种现象称为漏源穿通。发生漏源穿通后，如果VDS继续增加，源PN结上会出现正偏，使电子从源区注入沟道。这些电子将被耗尽层区内的强电场扫入漏区，从而产生较大的漏极电流。使漏源两区发生穿通的漏源电压称为穿通电压，记为VpT。沟道长度越短，衬底电阻率越高，穿通电压就越低。源漏击穿电压是由漏PN结雪崩击穿电压和穿通电压两者中的较小者决定的。源漏穿通限制了MOSFET的沟道长度不能太短，否则会使BVDS降得太低。因此在设计MOSFET时必须对漏源穿通现象予以足够的重视。问题21：栅源击穿问题22：阈值电压的短沟道效应问题23：减小阈值电压短沟道效应的方法问题24：阈值电压的窄沟道效应问题25：VGS对迁移率的影响问题26：Vds对迁移率的影响问题27：迁移率的温度特性问题28：速度饱和的注意事项问题29：DIBL效应DIBL效应使的阈值电压减小，输出电阻减小问题30:热电子效应及应对措施问题31:短沟道器件的优点及潜在问题问题32:双扩散MOSFET问题33:SOS-MOSFET问题34:速度过冲效应问题35:问题36:问题37: